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SSM5G10TU

硅P沟道MOS型（U - MOSⅢ ） /硅外延肖特基二极管

SSM5G10TU

DC- DC转换器应用

1.8 -V驱动器

结合的P-沟道MOSFET和一个肖特基势垒二极管

封装。

低R

DS （ ON）

低V

单位：mm

绝对最大额定值

MOSFET （大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

脉冲

符号

GSS

（注2 ）

（注1 ）

10 s

等级

1.5

3.0

0.5

0.8

150

单位

漏极功耗

通道温度

°C

UFV

JEDEC

―

2-2R1A

肖特基二极管

（大

25°C)

特征

反向重复峰值电压

平均正向电流

峰值一个周期正向电流浪涌

结温

符号

RRM

F（ AV ）

FSM

等级

0.7

2（ 50赫兹）

125

单位

°C

JEITA

东芝

重量： 7毫克（典型值）。

MOSFET和二极管

（大

25°C)

特征

存储温度范围

符号

英镑

等级

到125

单位

°C

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

KET

2008-09-27

SSM5G10TU

MOSFET

电气特性（Ta = 25 ° C）

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

测试条件

民

-20

-12

-0.3

（注2 ）

1.6

-10 V, V

0 V，F

1兆赫

= -10 V，I

= -1.5 A

= -4 V

-10 V，I

-1 A,

0至-2.5 V ，R

4.7

1.5 A，V

0 V

（注2 ）

典型值。

3.2

160

210

280

250

6.4

4.5

1.9

11.2

0.88

最大

-10

±1

-1.0

213

294

430

1.2

mΩ

单位

μA

（ BR ） DSS

-1毫安，V

0 V

（ BR ） DSX

-1毫安，V

= +8

DSS

GSS

-20 V, V

0 V

= ±8

V, V

0 V

-3 V，I

-1毫安

-3 V，I

-1 A

-1.0 A，V

-4 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

-0.8 A，V

-2.5 V

-0.1 A，V

-1.8 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

OSS

RSS

关闭

DSF

漏源正向电压

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

OUT

2.5

90%

（二）V

10%

2.5V

μs

（三）V

OUT

DS （ ON）

90%

10%

关闭

10 V

4.7

D.U.

≤

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

D =

-1

毫安

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要

电压比V低

（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ;

GS （上）

)

请务必在使用该设备时要考虑到这一点。

2008-09-27

SSM5G10TU

肖特基二极管

电气特性

（大

25°C)

特征

峰值正向电压

反向重复峰值电流

结电容

符号

调频（1）

调频（2）

RRM

0.5 A

0.7 A

6 V

0 V，F

1兆赫

测试条件

民

典型值。

0.32

0.36

143

最大

0.39

0.43

150

单位

μA

注意事项

相比典型的开关二极管在此装置中的肖特基势垒二极管具有较大的反向漏电流。因此，

过度的工作温度或电压可能会造成热失控。为了避免这个问题，一定要采取既

正向和反向的损失考虑在内。

操作注意事项

当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

直接接触与设备应当抗静电材料。

该通道到环境热阻R

第（章-a）的

和漏极功耗P

根据董事会各不相同

材料，电路板面积，板的厚度和板面积。使用本设备时，一定要采取散热充分考虑

帐户。

2008-09-27

SSM5G10TU

MOSFET

– V

-3

-8.0 V

-4.0 V

-2.5 V

-10

常见的来源

VDS

-3 V

– V

(A)

-2

(A)

-1

漏电流

-1.8 V

-0.1

100 °C

漏电流

-1

-1.5 V

-0.01

25 °C

-0.001

25 °C

VGS = - 1.2 V

常见的来源

25 °C

-0.8

-1.0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.0001

-1.0

-2.0

-3.0

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– V

1000

=1.0A

常见的来源

800

1000

DS （ ON）

– I

常见的来源

25°C

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

800

600

400

25 °C

100 °C

25 °C

400

-1.8 V

200

-2.5 V

VGS = -4.0 V

-1

-2

-3

200

-2.0

-4.0

-6.0

-8.0

栅源电压

(V)

漏电流

(A)

DS （ ON）

- TA

1000

-1.0

- TA

常见的来源

(V)

常见的来源

VDS

-3.0 V

-1毫安

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

800

600

栅极阈值电压

-0.5

400

-0.8 / -2.5 V

= 0.1

A / VGS

-1.8 V

200

-1.0 A / -4.0 V

100

150

100

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

2008-09-27

SSM5G10TU

MOSFET

– V

常见的来源

VGS

0 V

(S)

常见的来源

25°C

VDS

-3.0 V

| – I

(A)

反向漏电流

正向转移导纳

0.1

TA = 100℃

25 °C

0.3

0.01

°C

0.1

-0.01

-0.1

-1

-10

0.001

0.5

1.0

1.5

漏电流

(A)

漏源电压

(V)

- V

1000

500

1000

吨 - 我

常见的来源

VDD

-10 V

VGS

0至-2.5 V

25 °C

4.7

（纳秒）

300

西塞

（PF ）

花花公子

100

科斯

CRSS

电容

开关时间

常见的来源

25°C

1兆赫

VGS

0 V

-1

-10

-100

吨

-0.1

-0.01

-0.1

-1

-10

漏源电压

(V)

漏电流

(A)

动态输入特性

-10

常见的来源

(V)

-8

-1.5 A

25°C

栅源电压

-6

VDD = -10 V

-4

VDD = -16 V

-2

总栅极电荷

（ NC ）

2008-09-27

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