【SSM4K27CT东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSⅣ ）SSM4K27CT○切换应用】,IC型号SSM4K27CT,SSM4K27CT PDF资料,SSM4K27CT经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSM4K27CT

东芝场效应晶体管

硅N沟道MOS型（ U- MOSⅣ ）

SSM4K27CT

○

切换应用程序

适合于高密度安装，由于紧凑的封装

低导通电阻：

= 205毫欧（最大值）（ @V

= 4.0 V)

= 260毫欧（最大值）（ @V

= 2.5 V)

1.2±0.05

0.75

单位：mm

顶视图

0.05±0.04

0.8±0.05

0.5

0.2±0.02

0.3±0.02

= 390毫欧（最大值）（ @V

= 1.8 V)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

GSS

（注1 ）

英镑

等级

±12

0.5

1.0

400

150

55~150

单位

°C

SIDE VIEW

+0.02

0.38 -0.03

CST4

1 ：门2 ：源

3,4 ：排水

注意：

JEDEC

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

JEITA

温度等）可能会导致此产品在减少

东芝

2-1M1A

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

重量： 1.1毫克（典型值）。

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ），并

个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。

注1 ：安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）

标识（ TOP VIEW ）

电极布局（底视图）

等效电路（顶视图）

极性标记

门

来源

漏

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保环境是

防止静电。操作人员应穿防静电服装和容器以及随之而来的其他对象

与设备直接接触，应采用防静电材料。

2007-11-01

0.075±0.04

绝对最大额定值

（大

25°C)

SSM4K27CT

电气特性

(Ta=25°C)

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

GSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

测试条件

= ±12

V, V

1毫安，V

-12 V

20 V, V

3 V，I

1毫安

3 V，I

0.25 A

0.25 A，V

4 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

0.25 A，V

2.5 V

0.10 A，V

1.8 V

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

RSS

OSS

关闭

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V，I

0.25 A,

0 2.5 V ，R

4.7

(Note2)

民

0.5

0.8

典型值。

最大

±1

单位

μA

1.1

205

260

390

1.6

175

200

250

174

16.4

mΩ

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

2.5 V

μs

10 V

4.7

D.U.

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

OUT

（二）V

2.5 V

10%

90%

（三）V

OUT

90%

10%

关闭

DS （ ON）

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

D =

1mA

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要

电压比V低

。（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ;

GS （上）。

)

请务必在使用该设备时要考虑到这一点。

2007-11-01

SSM4K27CT

– V

1.0

常见的来源

25°C

10000

常见的来源

1000

VDS

3 V

– V

2.5V

0.6

1.8V

0.4

VGS

1.2 V

0.2

（MA ）

(A)

0.8

100

85°C

25°C

漏电流

25°C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

漏 - 源极电压

(V)

栅 - 源电压

(V)

DS （ ON）

– V

500

0.25 A

常见的来源

300

DS （ ON）

– I

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

400

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

250

VGS

1.8 V

200

2.5V

300

25°C

200

85°C

25°C

150

100

常见的来源

25°C

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

栅 - 源电压

(V)

漏电流

(A)

DS （ ON）

- TA

500

常见的来源

1.2

- TA

常见的来源

(V)

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

400

1.0

VDS

1mA

300

栅极阈值电压

0.1A / VGS

1.8 V

0.8

0.6

200

0.25 A / 4 V

0.4

100

0.25 A / 2.5 V

0.2

100

150

100

125

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

2007-11-01

SSM4K27CT

(S)

| – I

500

300

- V

西塞

（PF ）

100

科斯

CRSS

正向转移导纳

0.3

0.1

常见的来源

0.03

0.01

VDS

25°C

100

1000

10000

电容

常见的来源

25°C

1兆赫

VGS

0 V

100

0.1

漏电流

（MA ）

漏 - 源极电压

(V)

动态输入特性

1000

常见的来源

0.5 A

25°C

0.01

0.1

VDD

10 V

吨 - 我

常见的来源

VDD

10 V

VGS

0-2.5V

25°C

4.7

(V)

（纳秒）

花花公子

100

栅源电压

开关时间

吨

总栅极电荷

（ NC ）

漏电流

(A)

- TA

– V

漏极功耗P

(W)

1.0

常见的来源

VGS

0.8

25°C

1.2

安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6 t,

Cu焊盘： 645毫米）

(A)

0.8

反向漏电流

0.6

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-1.2

100

150

周围温度Ta

(°C)

漏源电压

(V)

2007-11-01

SSM4K27CT

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01