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SSM4957(G)M
双P沟道增强型功率MOSFET
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
D1
D2
D1
D2
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
S2
-30V
24m
-7.7A
SO-8
G1
S1
描述
从硅标准高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该SSM4957M是在SO- 8封装，广泛用于优先
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
对于低电压应用。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
该器件可提供作为SSM4957GM无铅引脚镀层（二级互连） 。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=100°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±
20
-7.7
-6.1
-30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
° C / W
2004年10月21日Rev.1.01
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1 5
SSM4957(G)M
电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.02
-
-
-
12
-
-
-
27
5
18
14
11
38
25
530
435
MAX 。单位
-
-
24
36
-3
-
-1
-25
±100
45
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-7A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-7A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-7A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3 , V
GS
=-10V
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1670 2670
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
I
S
=-7A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
35
34
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候135 ° C / W 。铜垫。
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2 5
SSM4957(G)M
120
120
100
T
A
= 25 C
-7.0V
-I
D
，漏电流（ A）
o
-10V
100
T
A
= 150 C
o
-10V
-I
D
，漏电流（ A）
80
80
-7.0V
60
60
40
-5.0V
-4.5V
40
-5.0V
-4.5V
V
G
=-3.0V
20
20
V
G
=-3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
48
1.6
I
D
=-5A
T
A
=25°C
40
1.4
I
D
=-7A
V
G
=-10V
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m )
1.2
32
1.0
24
0.8
16
0.6
3
5
7
9
11
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
2.0
7
6
1.5
5
-I
S
(A)
4
T
j
=150
o
C
3
T
j
=25
o
C
归-V
GS （ TH）
(V)
1.0
2
0.5
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压与
结温
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SSM4957(G)M
12
10000
f=1.0MHz
-V
GS
，门源电压（ V）
10
I
D
= -7A
V
DS
= - 24 V
C
国际空间站
8
6
C（ pF）的
1000
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
60
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
0.1
0.1
1ms
-I
D
(A)
1
0.05
10ms
100ms
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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SSM4957(G)M
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使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
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