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SSM4835M
P沟道增强模式
功率MOSFET
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关
G
D
D
D
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
S
-30V
20mΩ
-8A
SO-8
S
S
描述
从功率MOSFET
硅标准
提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
采用SO-8封装
广首选
对于商业
和
产业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±25
-8
-6
-50
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
Rev.2.01 2003年6月26日
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1 6
SSM4835M
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。典型值。马克斯。单位
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.037
-
-
20
35
-3
-
-1
-25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
-
-
-
20
-
-
-
36
5.5
3.5
12
8
75
40
1530
900
280
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -15V ，我
D
=-8A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±25
I
D
=-4.6A
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=-1.2V
T
j
=25℃, I
S
= -2.1A ，V
GS
=0V
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
-
-2.1
-50
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
-0.75 -1.2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装在FR4板， t<10秒。
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SSM4835M
50
50
T
C
=25
o
C
40
V
G
=-10V
V
G
=-8.0V
-I
D
，漏电流（ A）
V
G
=-6.0V
40
T
C
=150
o
C
V
G
=-10V
V
G
=-8.0V
V
G
=-6.0V
-I
D
，漏电流（ A）
30
30
V
G
=-4.0V
V
G
=-4.0V
20
20
10
10
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
40
1.6
35
I
D
=-8A
T
c
=25
℃
1.4
I
D
=-8A
V
G
=-10V
归一化
DS （ ON）
R
DSON
(m
Ω
)
30
1.2
25
1.0
20
0.8
15
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
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SSM4835M
10
3
2.5
8
-I
D
，漏电流（ A）
2
6
P
D
(W)
4
2
0
25
50
75
100
125
150
1.5
1
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100.00
1
DUTY=0.5
100us
0.2
归热响应（R
thJA
)
10.00
1ms
0.1
0.1
0.05
-I
D
(A)
10ms
0.02
100ms
1.00
0.01
0.01
单脉冲
P
DM
t
T
T
c
=25
o
C
单脉冲
0.10
0.1
1
10
1s
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
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SSM4835M
14
f=1.0MHz
10000
12
I
D
=-4.6A
V
DS
=-15V
-V
GS
，门源电压（ V）
10
8
西塞
C（ pF）的
1000
6
科斯
4
CRSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100.00
3
10.00
2
-I
S
(A)
1.00
T
j
=25
o
C
-V
GS （ TH）
(V)
1
0
-50
T
j
=150 C
o
0.10
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0
50
100
150
-V
SD
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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