SSM3K7002F
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型
SSM3K7002F
高速开关应用
模拟开关应用
小型封装
低导通电阻
: R
on
=
3.3
Ω
（最大值） （ @V
GS
=
4.5 V)
0.95 0.95
2.9±0.2
+0.5
2.5-0.3
+0.25
1.5-0.15
+0.1
0.4-0.05
3
0.3
+0.2
1.1-0.1
单位：mm
: R
on
=
3.2
Ω
（最大值） （ @V
GS
=
5 V)
: R
on
=
3.0
Ω
（最大值） （ @V
GS
=
10 V)
1
2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
±
20
200
800
200
150
55
150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1.9
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
S-迷你
JEDEC
1.Gate
2.Source
3.Drain
TO-236MOD
JEITA
SC-59
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
东芝
2-3F1F
温度等）可能会导致此产品在减少
重0.012克（典型值）
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
测试条件
V
GS
= ±
20 V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
60 V, V
GS
=
0
V
DS
=
10 V，I
D
=
0.25毫安
V
DS
=
10 V，I
D
=
200毫安
I
D
=
500毫安，V
GS
=
10 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
=
百毫安，V
GS
=
5 V
I
D
=
百毫安，V
GS
=
4.5 V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
td
（上）
td
（关闭）
V
DD
=
30 V，I
D
=
200毫安，
V
GS
=
0 10 V
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
民
60
1.0
170
典型值
2.0
2.1
2.2
17
1.4
5.8
2.4
26
最大
±
10
1
2.5
3.0
3.2
3.3
pF
pF
pF
ns
Ω
单位
μA
V
μA
V
mS
0~0.1
4.0
40
1
2007-11-01
+0.1
0.16-0.06
SSM3K7002F
开关时间测试电路
（ a）测试电路
10 V
0
IN
50
Ω
0V
R
L
V
DD
OUT
（二）V
IN
10 V
90 %
10 %
10
μs
V
DD
=
30 V
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
2纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25 °C
（三）V
OUT
V
DD
10 %
90 %
t
r
td
（上）
td
（关闭）
t
f
V
DS （ ON）
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
NC
1
2
1
2
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= 0.25毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
TH ，
和V
GS （关闭）
需要
电压比V低
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
2
2007-11-01
SSM3K7002F
I
D
- V
DS
1000
900
800
在C D RA ④此T I
D
（M A）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0.5
1
1.5
漏源电压V
DS
(V)
2
2.7
2.5
VGS = 2.3 V
0.01
0
1
2
3
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
4
5
常见的来源
TA = 25℃
7
10
3.3
3.0
5
4.5 4.0
100
在C D RA ④此T I
D
（M A）
1000
常见的来源
VDS = 10V
I
D
- V
GS
10
TA = 100 C
1
25 °C
- 25 °C
0.1
5
岭在-S ü RCE 0：N -R é SISTA CE
R
S
（ON） （ Ω ）
R
DS
（ON） - 我
D
常见的来源
TA = 25℃
5
岭在-S ü RCE 0：N -R é SISTA CE
R
S
（ON） （ Ω ）
R
DS
（ON ） - V
GS
常见的来源
I
D
= 100毫安
4
4
TA = 100 C
3
VGS = 4.5 V
2
5.0 V
3
2
25 °C
10 V
1
1
- 25 °C
0
10
100
漏电流I
D
（MA ）
1000
0
0
2
4
6
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
8
10
5
常见的来源
4
岭在-S ü RCE开-R ê SISTA CE
R
S
（O N） （ Ω ）
R
DS
（ON） - 钽
2
克忒钍重新SH LD V LTA克 V日（ V）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
0
25
50
75
100
环境温度Ta （C ）
125
150
-25
0
VTH - TA
常见的来源
ID = 0.25毫安
V
DS
= 10 V
VGS = 4.5 V ， ID = 100毫安
3
2
5.0 V ， 100毫安10 V ， 500毫安
1
0
25
50
75
100
环境温度Ta （C ）
125
150
3
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SSM3K7002F
| YFS | - 我
D
1000
在研发ê已经RSE ④此吨I D RA
，D R
（M A）
佛RW一个RD茶 SFE R A D M ITTA CE
| Y FS | （M S）
常见的来源
VDS = 10V
TA = 25℃
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
100
漏电流I
D
（MA ）
1000
0
-0.2
S
G
I
DR
- V
DS
常见的来源
VGS = 0 V
TA = 25℃
D
IDR
100
10
-0.4 -0.6
-0.8
-1
漏源电压V
DS
(V)
-1.2
-1.4
100
- V
DS
常见的来源
VGS = 0 V
F = 1 MHz的
TA = 25℃
西塞
科斯
10000
吨 - ID
常见的来源
VDD = 30 V
VGS = 0至10伏
TA = 25℃
10
以g添（E T） （ N s个）S瓦特痒
C时P A CITA CE （P F）
1000
tf
100
TD （关闭）
10
TD （上）
tr
CRSS
1
0.1
1
10
漏源电压V
DS
(V)
100
1
1
10
100
漏电流I
D
（MA ）
1000
P
D
- TA
250
岭在P 2 O宽E R D所issip一个TIO N P
D
（M W）
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100 120
环境温度Ta （C ）
140
160
4
2007-11-01
SSM3K7002F
限制产品使用
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20070701 - EN GENERAL
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