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SSM3K119TU

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

SSM3K119TU

电源管理开关应用

高速开关应用

1.8 V驱动器

低导通电阻：

单位：mm

= 134毫欧（最大值）（ @V

= 1.8V)

= 90毫欧（最大值）（ @V

= 2.5V)

= 74毫欧（最大值）（ @V

= 4.0V)

2.0±0.1

2.1±0.1

1.7±0.1

0.65±0.05

+0.1

0.3 -0.05

0.166±0.05

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

GSS

D（注1 ）

D（注2）

英镑

等级

2.5

5.0

800

500

150

55~150

单位

°C

0.7±0.05

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障

率等）。

注1：装在陶瓷板上。

(25.4 mm

25.4 mm

0.8吨，铜垫： 645毫米）

注2 ：安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）

注意：

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

UFM

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-2U1A

重量： 6.6毫克（典型值）。

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

关闭

DSF

测试条件

1毫安，V

–12 V

30 V, V

= ±

12 V, V

3 V，I

1毫安

3 V，I

2 A

2.0 A，V

4.0 V

漏源导通电阻

1.0 A，V

2.5 V

0.5 A ，V

1.8 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V，I

2 A,

0 2.5 V ，R

4.7

2.5 A，V

0 V

(Note3)

民

0.4

3.8

典型值。

7.7

270

– 0.85

最大

±1

1.0

134

– 1.2

mΩ

单位

μA

漏源正向电压

2007-11-01

SSM3K119TU

注3 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

（二）V

OUT

μs

10 V

4.7

D.U.

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

10%

2.5 V

90%

2.5 V

（三）V

OUT

10%

90%

关闭

DS （ ON）

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

KKA

关于使用注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

= 1毫安

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要较低的

电压比V

钍。

（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ; V

GS （上）。

)

使用设备时考虑到这一点。

操作注意事项

当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

直接接触与设备应当抗静电材料。

2007-11-01

SSM3K119TU

– V

10 V

4.0 V 2.5 V

常见的来源

3 V

– V

(A)

1.8 V

(A)

漏电流

0.1

VGS = 1.5 V

常见的来源

25°C

0.2

0.4

0.6

0.8

0.01

100 °C

25 °C

0.001

0.0001

1.0

2.0

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– V

200

0.5 A

200

DS （ ON）

– I

常见的来源

25°C

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

常见的来源

150

25°C

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

150

100

100 °C

25 °C

100

1.8 V

2.5 V

VGS = 4.0 V

栅源电压

(V)

漏电流

(A)

DS （ ON）

- TA

300

1.0

- TA

(V)

0.5 A / 1.8 V

1.0 A / 2.5 V

常见的来源

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

250

200

栅极阈值电压

150

0.5

100

2.0 A / VGS

4.0 V

常见的来源

VDS

3 V

1毫安

100

150

100

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

2007-11-01

SSM3K119TU

| – I

– V

常见的来源

0 V

25°C

(S)

(A)

正向转移导纳

反向漏电流

0.1

TA = 100℃

0.3

常见的来源

VDS

3 V

25°C

0.01

25 °C

°C

0.001

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

0.1

0.01

0.1

漏电流

(A)

漏源电压

(V)

1000

- V

1000

吨 - 我

常见的来源

VDD

10 V

VGS

0至2.5 V

25°C

4.7

500

（PF ）

花花公子

西塞

300

（纳秒）

100

开关时间

电容

常见的来源

25°C

1兆赫

0 V

科斯

CRSS

吨

0.1

100

0.01

0.1

漏源电压

(V)

漏电流

(A)

– T

1000

：安装在FR4板

600

牛逼= R

（ mW）的

（ 25.4× 25.4× 0.8毫米

Cu焊盘： 645毫米）

800

漏极功耗

瞬态热阻抗

RTH （ ° C / W）

–

：安装在陶瓷板上

（ 25.4× 25.4× 1.6毫米

Cu焊盘： 645毫米）

100

600

400

200

：安装在陶瓷板上

：安装在FR4板

（ 25.4× 25.4× 1.6毫米

（ 25.4× 25.4× 0.8毫米

Cu焊盘： 645毫米）

Cu焊盘0.36毫米x 3 ）

–40

–20

100 120 140 160

0.001

（ 25.4× 25.4× 1.6毫米

0.01

0.1

100

600

环境温度

(°C)

脉冲宽度

(s)

2007-11-01

SSM3K119TU

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01