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SSM3K107TU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM3K107TU
高速开关应用
4 V驱动器
低导通电阻：
单位：mm
R
on
= 410毫欧（最大值） （ @V
GS
= 4V)
R
on
= 200毫欧（最大值） （ @V
GS
= 10V)
0.65±0.05
2.1±0.1
1.7±0.1
+0.1
0.3 -0.05
3
0.166±0.05
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D（注1 ）
P
D（注2）
T
ch
T
英镑
等级
20
±
20
1.5
3.0
800
500
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
2.0±0.1
1
2
0.7±0.05
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障
率等）。
注1：装在陶瓷板上。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
0.8吨，铜垫： 645毫米）
注2 ：安装在FR4板。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）
注意：
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
UFM
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2U1A
重量： 6.6毫克（典型值）。
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
V
DSF
测试条件
I
D
=
1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
GS
= ±
20 V, V
DS
=
0
V
DS
=
5 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
5 V，I
D
=
0.6 A
I
D
=
0.6 A，V
GS
=
10 V
I
D
=
0.6 A，V
GS
=
4 V
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
10 V，I
D
=
0.6 A,
V
GS
=
0-4 V，R 1
G
=
10
Ω
I
D
=
1.5 A，V
GS
=
0 V
(Note3)
(Note3)
(Note3)
(Note3)
民
20
1.1
0.68
典型值。
1.36
135
250
60
47
17
19
10
– 0.9
最大
1
±1
2.3
200
410
– 1.2
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
V
漏源正向电压
注3 ：脉冲测试
1
2007-11-01
SSM3K107TU
开关时间测试电路
（ a）测试电路
（二）V
IN
OUT
IN
0V
R
G
10
μs
V
DD
=
10 V
R
G
=
10
Ω
D.U.
＆ LT ;
1%
=
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
V
IN
常见的来源
Ta
=
25°C
10%
4V
90%
4 V
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS （ ON）
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
KK7
1
2
1
2
关于使用注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= 0.1毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
2
2007-11-01
SSM3K107TU
I
D
– V
DS
3.0
2.5
10 V
6V
10
常见的来源
V
DS
=
5 V
I
D
– V
GS
(A)
(A)
4V
3.7V
1
I
D
2.0
I
D
漏电流
0.1
Ta
=
100 °C
0.01
25 °C
漏电流
1.5
VGS = 3.3V
1.0
0.5
常见的来源
Ta
=
25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.001
25
°C
0
0.0001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– V
GS
600
ID
=
0.6 A
600
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
500
常见的来源
500
Ta
=
25°C
400
400
300
Ta
=100
°C
200
25 °C
300
VGS = 4.0V
200
10V
100
0
100
0
25
°C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
栅源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
R
DS （ ON）
- TA
500
2.0
V
th
- TA
V
th
(V)
栅极阈值电压
常见的来源
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
400
1.5
300
ID
=
0.6A / VGS
=
4.0 V
1.0
200
0.6 A / 10V
0.5
100
常见的来源
VDS
=
5 V
ID
=
0.1毫安
0
50
100
150
0
50
0
0
50
100
150
50
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
3
2007-11-01
SSM3K107TU
|Y
fs
| – I
D
(S)
10
常见的来源
10
常见的来源
I
DR
– V
DS
Y
fs
(A)
VDS
=
5 V
3
Ta
=
25°C
1
V
GS
=
0 V
Ta
=
25°C
D
I
DR
S
正向转移导纳
I
DR
G
0.1
1
反向漏电流
0.1
1
10
0.01
0.3
0.001
0.1
0.01
0.0001
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
- V
DS
1000
常见的来源
500
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
V
GS
=
0 V
600
吨 - 我
D
（PF ）
（纳秒）
花花公子
100
tf
300
C
100
50
30
西塞
科斯
开关时间
电容
t
10
吨
tr
常见的来源
VDD
=
10 V
VGS
=
0-4 V
Ta
=
25°C
RG
=
10
Ω
0.1
1
10
10
0.1
CRSS
1
10
100
1
0.01
漏源电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
(A)
动态输入特性
10
600
吨 - 我
D
c
b
a
V
GS
8
栅源电压
6
VDD
=
16 V
4
瞬态热阻抗
RTH （ ° C / W）
(V)
100
10
2
常见的来源
ID
=
1.2 A
Ta
=
25 °C
0
1
2
3
4
1
0.001
a
：安装在陶瓷板上
b
：安装在FR4板
c
：安装在FR4板
（ 25.4× 25.4× 1.6毫米
（ 25.4× 25.4× 1.6毫米
（ 25.4× 25.4× 0.8毫米
Cu焊盘： 645毫米）
Cu焊盘： 645毫米）
Cu焊盘0.36毫米x 3 ）
2
2
2
0
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
0.01
0.1
1
10
100
600
脉冲宽度
t
w
(s)
4
2007-11-01
SSM3K107TU
P
D
– T
a
1000
a
：安装在FR4板
（ mW）的
b
：安装在陶瓷板上
（ 25.4× 25.4× 0.8毫米
（ 25.4× 25.4× 1.6毫米
Cu焊盘： 645毫米）
Cu焊盘： 645毫米）
2
2
800
漏极功耗
P
D
b
600
a
400
200
0
–40
–20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
环境温度
Ta
(°C)
5
2007-11-01
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STTH1002CG-TR
SKIIP1212GB120402WT-F
SMB10J24
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SST39LF800A-45-4C-B3K
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SX75
SN75976A2DGGRG4
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SA12C
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