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SSM3K101TU

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

SSM3K101TU

高速开关应用

1.8V驱动

低导通电阻：

= 230mΩ （最大值）（ @V

= 1.8 V)

= 138mΩ （最大值）（ @V

= 2.5 V)

= 103mΩ （最大值）（ @V

= 4.0 V)

0.65±0.05

0.166±0.05

单位：mm

2.1±0.1

1.7±0.1

+0.1

0.3 -0.05

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

GSS

D（注1 ）

D（注2）

英镑

等级

2.2

4.4

800

500

150

55~150

单位

°C

2.0±0.1

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障

率等）。

注1 ：安装在陶瓷板上。

(25.4 mm

25.4 mm

0.8毫米， Cu焊盘： 645毫米

)

注2 ：安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米

)

注意：

UFM

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-2U1A

重量： 6.6毫克（典型值）。

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

测试条件

1毫安，V

= 12

20 V, V

= ±12V,

3 V，I

1毫安

3 V，I

1.0 A

1.0 A，V

4.0 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

0.5 A ，V

2.5 V

0.2 A，V

1.8 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

OSS

RSS

关闭

DSF

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V，I

0.75 A,

0 2.5 V ，R

4.7

= 2.2A,

0 V

(Note3)

民

0.4

2.7

典型值。

4.5

105

140

125

0.85

最大

±1

1.0

103

138

230

mΩ

单位

μA

0.7±0.05

1 ： GATE

2 ：源

3 ：排水

漏源正向电压

1.2

注3 ：脉冲测试

2007-11-01

SSM3K101TU

开关时间测试电路

（ a）测试电路

（二）V

OUT

μs

10 V

4.7

D.U.

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

10%

2.5 V

90%

2.5 V

（三）V

OUT

10%

90%

关闭

DS （ ON）

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

KK1

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

= 1毫安此

产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

TH ，

和V

GS （关闭）

需要较低的

电压比V

钍。

（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ; V

GS （上）

)

使用设备时考虑到这一点。

操作注意事项

当处理中尚未安装在电路板上的各个设备，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

2007-11-01

SSM3K101TU

ID - VGS

ID - VDS

漏极电流ID （ A）

4.0

2.5

1.8

漏极电流ID （ A）

0.1

Ta=85°C

1.5

0.01

25°C

VGS=1.2V

常见的来源

Ta=25°C

0.001

-25°C

常见的来源

VDS=3V

0.2

0.4

0.6

0.8

漏源电压VDS （ V）

0.0001

栅极 - 源极电压VGS （V）的

RDS （ ON） - VGS

200

180

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ ）

160

140

120

100

3 4

5 6

7 8

栅极 - 源极电压VGS （V）的

0.5A

ID=0.2A

常见的来源

Ta=25°C

300

250

200

RDS （ ON） - TA

常见的来源

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ ）

1.8V,0.2A

2.5V,0.5A

150

100

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

VGS=4V,ID=1A

环境温度Ta （

℃

)

260

240

220

200

180

160

140

120

100

RDS （ ON） - ID

VTH - TA

常见的来源

ID=1mA

VDS=3V

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ ）

栅极阈值电压Vth （V）的

0.8

1.8V

0.6

2.5V

VGS=4V

0.4

常见的来源

Ta=25°C

0.2

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

漏极电流ID （ A）

环境温度Ta （ ° C）

2007-11-01

SSM3K101TU

10.0

| YFS | - ID

反向漏电流IDR （ A）

IDR - VDS

常见的来源

VGS=0V

Ta=25°C

正向转移导纳

25°C

-25°C

1.0

Ta=85°C

| YFS | （ S）

25°C

IDR

0.1

-25°C

Ta=85°C

常见的来源

VDS=3V

Ta=25°C

0.01

0.1

0.01

0.1

漏极电流ID （ A）

0.001

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

漏源电压VDS （ V）

-1

1000

- VDS

1000

吨 - ID

常见的来源

VDD=10V

VGS = 0 2.5V

Ta=25°C

花花公子

开关时间t（ NS ）

电容C （PF ）

100

西塞

100

吨

常见的来源

VGS=0V

f=1MHz

Ta=25°C

0.1

科斯

CRSS

100

0.01

0.1

漏极电流ID （ A）

漏源电压VDS （ V）

1000

漏极功耗PD （MW ）

800

600

钯 - TA

1000

答：安装在FR4板

(25.4mm×25.4mm×1.6mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

B：安装在陶瓷板上

(25.4mm×25.4mm×0.8mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

RTH - TW

瞬态热阻抗

RTH （ ° C / W）

100

单脉冲

答：安装在陶瓷板上

(25.4mm×25.4mm×0.8mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

B：安装在FR4板

(25.4mm×25.4mm×1.6mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

C：安装在FR4板

(25.4mm×25.4mm×1.6mm)

Cu焊盘： 0.45毫米× 0.8毫米× 3

400

200

80 100 120 140 160

环境温度Ta （ ° C）

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲瓦特ID TW （ S）

2007-11-01

SSM3K101TU

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01