SSM3J328R
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型( U- MOSⅥ )
SSM3J328R
○
电源管理开关应用
1.5 -V驱动器
低导通电阻,R
DS ( ON)
= 88.4mΩ
R
DS ( ON)
= 56.0mΩ
R
DS ( ON)
= 39.7mΩ
R
DS ( ON)
= 29.8mΩ
(最大值) ( @V
GS
= -1.5 V)
(最大值) ( @V
GS
= -1.8 V)
(最大值) ( @V
GS
= -2.5 V)
(最大值) ( @V
GS
= -4.5 V)
0.05 M A
0.42
-0.05
3
+0.08
单位:mm
0.17
-0.07
+0.08
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
(注1 )
I
DP
(注1,2 )
P
D
(注3)
T = 10秒
T
ch
T
英镑
等级
-20
±
8
-6.0
-24.0
1
2
150
55
150
单位
V
V
A
W
°C
°C
1.8±0.1
1
2
0.95
0.95
2.9±0.2
2.4±0.1
A
1 :门
2 :源
3 :排水
SOT-23F
JEDEC
JEITA
东芝
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人可靠性
估计的故障率,等)。
注1 :通道温度不超过150 ℃,在使用过程中。
注2 : PW ≦为10μs ,占空比≦ 1 %
注3 :安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米, Cu焊盘: 645毫米
2
)
―
―
2-3Z1A
重量: 11毫克(典型值)。
数据(即可靠性试验报告,
记号
3
等效电路(顶视图)
3
KFH
1
2
1
2
1
2010-04-28
0.8
+0.08
-0.05
SSM3J328R
电气特性
( TA = 25°C )
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
测试条件
民
-20
(注5 )
-15
-0.3
(注4 )
(注4 )
(注4 )
(注4 )
(注4 )
4.5
(注4 )
典型值。
9.1
24.9
31.1
38.8
47.4
840
118
99
12.8
1.4
3.0
32
107
0.87
最大
-1
±1
-1.0
29.8
39.7
56.0
88.4
1.2
ns
V
nC
pF
mΩ
单位
V
V
μA
μA
V
S
V
( BR ) DSS
I
D
= -1毫安,V
GS
= 0 V
V
( BR ) DSX
I
D
= -1毫安,V
GS
= 5 V
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -3 V,I
D
= -1毫安
V
DS
= -3 V,I
D
= -1.0 A
I
D
= -3.0 A,V
GS
= -4.5 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
I
D
= -2.5 A,V
GS
= -2.5 V
I
D
= -1.5 A,V
GS
= -1.8 V
I
D
= -0.5 A,V
GS
= -1.5 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs1
Q
gd
t
on
t
关闭
V
DSF
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= -10 V,I
DS
= -4.0 A,
V
GS
= -4.5 V
V
DD
= -10 V,I
D
= -2.0 A
V
GS
= 0至-2.5 V,R 1
G
= 4.7
Ω
I
D
= 6.0 A,V
GS
= 0 V
漏源正向电压
注4 :脉冲测试
注5 : V
DSX
模式(栅极和源极之间加上电压的应用)可能会导致降低最高可
漏极 - 源极电压的额定值
开关时间测试电路
( a)测试电路
(二)V
IN
0
OUT
IN
2.5
V
R
G
R
L
V
DD
V
DD
t
on
10%
0V
90%
2.5V
10
μs
(三)V
OUT
V
DS ( ON)
90%
10%
t
r
t
关闭
t
f
V
DD
= -10 V
R
G
= 4.7
Ω
值班。
≤
1%
V
IN
: t
r
, t
f
& LT ; 5纳秒
常见的来源
TA = 25°C
关于使用注意事项
设V
th
是栅极和源极之间施加的电压,导致漏电流(I
D
)要低(-1毫安的
SSM3J328R ) 。然后,进行正常的开关操作,V
GS ( ON)
必须高于V更高
TH ,
和V
GS ( OFF )
必须小于
V
钍。
这种关系可表示为:V
GS ( OFF )
& LT ; V
th
& LT ; V
GS ( ON)
.
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中,确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装,以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
热阻R
第(章-a)的
和功耗P
D
根据板料,电路板面积,板的厚度各不相同
和焊盘面积。使用本设备时,请带散热考虑。
2
2010-04-28