SSM3J317T
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型
SSM3J317T
○
电源管理开关应用
○
高速开关应用
1.8 -V驱动器
低导通电阻，R
on
= 306毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
: R
on
= 144毫欧（最大值） （ @V
GS
= -2.8 V)
: R
on
= 107毫欧（最大值） （ @V
GS
= -4.5 V)
2.9±0.2
0.95
１
２
３
单位：mm
+0.2
2.8-0.3
+0.2
1.6-0.1
0.4±0.1
0.15
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
I
D
符号
V
DSS
V
GSS
（注1 ）
I
DP
（注1 ）
P
D
（注2 ）
T = 5秒
T
ch
T
英镑
等级
-20
±8
-3.6
-7.2
700
1400
150
55
150
单位
V
V
1.9±0.2
0.95
mW
°C
°C
0.7±0.05
A
1 ：门
2 ：源
注：在重负载下连续使用（例如应用
TSM
3 ：排水
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
JEDEC
―
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
JEITA
―
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
东芝
2-3S1A
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
重量： 10毫克（典型值）。
等）。
注1 ：结点温度不应超过150 ℃，在使用过程中。
注2 ：安装在FR4板。 （25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
开启时间
打开-O FF时间
t
on
t
关闭
V
DSF
V
DS
= -10 V，I
DS
= -3.6 A
V
GS
= -4 V
V
DD
=
-10 V，I
D
=
-1.0 A
V
GS
=
0至-2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
I
D
=
3.6 A，V
GS
=
0 V
（注3）
V
DS
=
-10 V, V
GS
=
-0 V，F
=
1兆赫
测试条件
I
D
=
-1毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
-1毫安，V
GS
=
8 V
V
DS
=
-20 V, V
GS
=
0 V
V
GS
= ±8
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
-3 V，I
D
=
-1毫安
V
DS
=
-3 V，I
D
=
-1.0 A
I
D
=
-1.0 A，V
GS
=
-4.5 V
漏源导通电阻
I
D
=
-0.5 A，V
GS
=
-1.8 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开关时间
（注3）
（注3）
民
-20
-12
-0.3
2.2
典型值。
4.4
83
107
170
390
67
55
9.6
6.6
3.0
17
19.5
0.9
最大
-10
±1
-1.0
107
144
306
1.2
ns
V
nC
pF
mΩ
单位
V
μA
μA
V
S
I
D
=
-0.75 A，V
GS
=
-2.8 V（注3 ）
（注3）
漏源正向电压
注3 ：脉冲测试
1
2008-10-22
0½0.1
0.16±0.05
SSM3J317T
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
2.5
V
10
μs
OUT
2.5
V
R
G
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
（二）V
IN
0V
10%
90%
IN
（三）V
OUT
V
DD
V
DD
V
DD
= 10
V
R
G
=
4.7Ω
D.U.
≤
1%
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
KDV
1
2
1
2
使用注意事项
设V
th
是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I
D
）以下（ -1毫安的Q2
在SSM3J317T的） 。然后，进行正常的开关操作，V
GS （ ON）
必须高于V更高
TH ，
和V
GS （ OFF ）
必须是低
比V
钍。
这种关系可表示为：V
GS （ OFF ）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
2
2008-10-22
SSM3J317T
r
th
– t
w
1000
1000
b
P
D
– T
a
答：安装在FR4板
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
B：安装在FR4板
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm,
铜焊盘0.8mm的
2
×3)
瞬态热阻抗
th
（ ° C / W）
漏极功耗P
D
（ mW）的
800
a
100
a
600
400
b
10
答：安装在FR4板
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
B：安装在FR4板
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm,
2
铜垫为0.8mm × 3）
0.01
0.1
1
10
100
1000
200
1
0.001
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
脉冲宽度
t
w
(s)
环境温度
Ta
(°C)
5
2008-10-22
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