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SSM3J306T
东芝场效应晶体管
硅P沟道的MOS型
SSM3J306T
电源管理开关应用
4 V驱动器
低导通电阻：
R
on
= 225毫欧（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
R
on
= 117毫欧（最大值） （ @V
GS
=
10
V)
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
30
±
20
2.4
4.8
700
150
55
150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障
率等）。
注1 ：安装在FR4板。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）
注意：
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 10毫克（典型值）。
―
―
2-3S1A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
on
t
关闭
V
DSF
V
DD
= 15
V，I
D
= 1
A,
V
GS
=
0
4
V ，R
G
=
10
I
D
=
2.4 A，V
GS
=
0 V
（注2 ）
V
DS
= -15 V，I
DS
= -2.4 A
V
GS
= -4 V
V
DS
= 15
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
= +20
V
V
DS
= 30
V, V
GS
=
0
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
V
DS
= 5
V，I
D
= 1
mA
V
DS
= 5
V，I
D
=
1 A
I
D
= 1
A，V
GS
= 10
V
I
D
= 0.5
A，V
GS
= 4
V
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
民
30
15
1.2
1.6
典型值。
3.1
80
160
280
80
45
2.5
1.3
1.2
16
35
0.8
最大
1
±1
2.6
117
225
1.2
ns
V
nC
pF
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
漏源正向电压
注2 ：脉冲测试
1
2007-11-01
SSM3J306T
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
IN
R
G
R
L
V
DD
4
V
90%
OUT
（二）V
IN
0V
10%
4 V
10
μs
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
= 15
V
R
G
=
10
Ω
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DD
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
JJ9
1
2
1
2
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
1
毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
2
2007-11-01
SSM3J306T
I
D
– V
DS
-5
10
V
6
V
-10
常见的来源
4
V
4
3.6
V
3
V
DS
= 5
V
1
I
D
– V
GS
(A)
I
D
I
D
漏电流
0.1
Ta
=
100°C
0.01
25°C
0.001
25°C
1
0.0001
0
漏电流
2
VGS =
3.3
V
1
常见的来源
Ta
=
25°C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– V
GS
500
500
ID
= 1
A
常见的来源
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
25 °C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
10
V
VGS =
4.0
V
常见的来源
Ta
=
25°C
Ta
=
100°C
25°C
8
10
0
0
1
2
3
4
5
栅源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
R
DS （ ON）
- TA
500
2.0
V
th
- TA
V
th
(V)
栅极阈值电压
常见的来源
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
400
1.5
300
I
D
=
-0.5 A / V
GS
=
–4.0 V
200
1.0
100
0.5
常见的来源
VDS
= 5
V
0
ID
= 1
mA
0
50
100
150
-1.0 A / -10 V
0
50
0
50
100
150
50
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
3
2007-11-01
SSM3J306T
|Y
fs
| – I
D
(S)
10
10
I
DR
– V
DS
常见的来源
V
GS
=
0 V
1
Ta
=
25°C
Y
fs
VDS
= 5
V
3
Ta
=
25°C
(A)
常见的来源
D
I
DR
S
I
DR
正向转移导纳
G
0.1
1
反向漏电流
0.01
Ta
=
100°C
0.3
0.001
25°C
0.1
0.01
0.1
1
10
0.0001
0
25°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
- V
DS
1000
600
t
关闭
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
= 10
V
VGS
=
0
4
V
Ta
=
25°C
RG
=
10
Ω
（PF ）
500
（纳秒）
t
f
100
300
C
国际空间站
C
电容
100
C
OSS
50
30
常见的来源
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
V
GS
=
0 V
1
10
100
C
RSS
开关时间
t
10
t
on
t
r
10
0.1
1
0.01
0.1
1
10
漏源电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
(A)
动态输入特性
10
常见的来源
(V)
ID
=
-2.4 A
8
Ta
=
25°C
V
GS
栅源电压
6
VDD = -15V
VDD = -24V
4
2
0
0
2
4
6
8
10
总栅极电荷
Qg
（ NC ）
4
2007-11-01
SSM3J306T
r
th
– t
w
漏极功耗P
D
（ mW）的
1000
1000
P
D
– T
a
答：安装在FR4板
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，
Cu焊盘： 645毫米
2
)
B：安装在FR4板
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，
2
铜垫为0.8mm × 3）
瞬态热阻抗的Rth （ ° C / W）
b
800
a
100
a
600
400
b
10
单脉冲
答：安装在FR4板
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，
Cu焊盘： 645毫米
2
)
B：安装在FR4板
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，
铜焊盘0.8mm的
2
×3)
200
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
脉冲宽度
t
w
(s)
环境温度
T
a
(°C)
5
2007-11-01
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推荐型号
SQS16B51R0ASLF7
S29GL064A30TFI013
ST25C16M1TR
S70GL02GP11FFIR12
SN5426J
SHD125536D
SY89112U
S3BR20
SAF-XC888-8FFA
SKKH253/16E
SD-A29JLDH-FREQ
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VB
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