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SSM3J305T
东芝场效应晶体管
硅P沟道的MOS型
SSM3J305T
高速开关应用
4 V驱动器
低导通电阻：
R
on
= 477毫欧（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
R
on
= 237毫欧（最大值） （ @V
GS
=
10
V)
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
30
±
20
1.7
3.4
700
150
55
150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障
率等）。
注1 ：安装在FR4板。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）
注意：
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1A
重量： 10毫克（典型值）。
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
on
t
关闭
V
DSF
V
DS
=
15
V，I
DS
=
1.7
A
V
GS
=
4
V
V
DD
= 15
V，I
D
= 0.65
A,
V
GS
=
0
4
V ，R
G
=
10
I
D
=
1.7 A，V
GS
=
0 V
（注3）
V
DS
= 15
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
= +
20 V
V
DS
= 30
V, V
GS
=
0
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
V
DS
= 5
V，I
D
= 1
mA
V
DS
= 5
V，I
D
=
0.65 A
I
D
= 0.65
A，V
GS
= 10
V
I
D
= 0.4
A，V
GS
= 4
V
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
民
30
15
1.2
0.8
典型值。
1.5
177
357
137
39
20
1.3
0.7
0.6
15
14
0.85
最大
1
±1
2.6
237
477
1.2
ns
V
nC
pF
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
漏源正向电压
注2 ：脉冲测试
1
2007-11-01
SSM3J305T
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
IN
R
G
R
L
V
DD
4
V
90%
OUT
（二）V
IN
0V
10%
4 V
10
μs
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
= 15
V
R
G
=
10
Ω
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DD
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
JJA
1
2
1
2
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
1
毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
2
2007-11-01
SSM3J305T
I
D
– V
DS
–3.0
–10 V
–6 V
–2.5
–4 V
–2.0
–3.6 V
–1.5
–10
常见的来源
V
DS
= 5
V
–1
I
D
– V
GS
(A)
I
D
I
D
漏电流
–0.1
Ta
=
100 °C
–0.01
25
°C
25 °C
VGS = -3.3 V
–0.001
常见的来源
Ta
=
25°C
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1
–0.0001
0
漏电流
–1.0
–0.5
0
(A)
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– V
GS
1000
900
ID
= 0.65
A
常见的来源
1000
900
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
800
700
600
500
25 °C
400
300
200
100
0
0
–2
–4
–6
25
°C
–8
–10
Ta
=100
°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
–0.5
–1.0
– 10 V
VGS = - 4.0V
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
栅源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
R
DS （ ON）
- TA
1000
–2.0
V
th
- TA
V
th
(V)
栅极阈值电压
常见的来源
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
800
–1.5
600
I
D
= 0.4
A
400
/ V
GS
=
–4.0 V
–1.0
–0.5
常见的来源
VDS
= 5
V
0
ID
= 1
mA
0
50
100
150
200
-0.65 A / -10 V
0
50
0
50
100
150
50
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
3
2007-11-01
SSM3J305T
|Y
fs
| – I
D
(S)
10
10
I
DR
– V
DS
常见的来源
(A)
常见的来源
VDS
= 5
V
3
Ta
=
25°C
D
I
DR
S
Y
fs
V
GS
=
0 V
1
Ta
=
25°C
I
DR
正向转移导纳
G
0.1
1
反向漏电流
Ta
=
100 °C
0.01
0.3
25 °C
0.001
25
°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
–0.01
–0.1
–1
–10
0.0001
0
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
- V
DS
1000
吨 - 我
D
600
t
关闭
500
（PF ）
（纳秒）
300
100
t
f
C
电容
C
国际空间站
100
50
30
C
OSS
C
RSS
10
–0.1
–1
–10
–100
开关时间
t
10
t
on
t
r
1
–0.01
–0.1
–1
–10
漏源电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
(A)
动态输入特性
10
常见的来源
ID
= 1.7A
8
Ta
=
25°C
V
GS
栅源电压
6
VDD=15V
4
VDD=24V
2
0
0
1
2
3
(V)
总栅极电荷
Qg
（ NC ）
4
2007-11-01
SSM3J305T
r
th
– t
w
漏极功耗P
D
（ mW）的
1000
1000
P
D
– T
a
答：安装在FR4板
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，
Cu焊盘： 645毫米
2
)
B：安装在FR4板
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，
2
铜垫为0.8mm × 3）
瞬态热阻抗的Rth （ ° C / W）
b
800
a
100
a
600
400
b
10
单脉冲
答：安装在FR4板
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，
Cu焊盘： 645毫米
2
)
B：安装在FR4板
（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6吨，
铜焊盘0.8mm的
2
×3)
200
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
脉冲宽度
t
w
(s)
环境温度
T
a
(°C)
5
2007-11-01
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SMP40N10
SNJ54LVC257AFK
SN74LVC1G374YZPR
SP3243EBEY-L/TR
S1008R-822K
SMW
S71NS128NB0BJWVN2
SST39LF800A-90-4I-EK
S-80860CNMC-B9L-T2
SP25001
S29AL004D70BAI022
SMOAC24A
SM-OAC24A
SMDT-90-14
SN74AHCT74MDREP
S29GL128N90TFI023
SMCG110C
SC9660
SN74HCT245DWE4
SEA15010
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操作
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    SSM3J305T
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VB
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联系人：高小姐/李先生
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