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SSM3J16FV

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型

SSM3J16FV

高速开关应用

模拟开关应用

小型封装

低导通电阻

0.22±0.05

单位：mm

: R

（最大值）（ @V

= 4

: R

（最大值）（ @V

= 2.5

: R

（最大值）（ @V

= 1.5

1.2±0.05

0.8±0.05

0.32±0.05

0.13±0.05

1.门

2.源

3.排水

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

1.2±0.05

0.8±0.05

栅源电压

漏电流

脉冲

GSS

（注1 ）

英镑

±10

100

200

150

55~150

°C

漏极功耗（大

25°C)

通道温度

存储温度范围

注意：

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障

率等）。

VESM

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 1.5毫克

0.5±0.05

0.4

漏源电压

0.4

特征

符号

等级

单位

―

2-1L1B

注1 ：总的评价，装上FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6吨，铜垫： 0.6毫米

0.5mm

0.45mm

0.4mm

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保环境是

防止静电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

2007-11-01

SSM3J16FV

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

测试条件

= ±10

V, V

= 0.1

毫安，V

= 20

V, V

= 3

V，I

= 0.1

= 3

V，I

= 10

毫安，V

= 4

漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10

毫安，V

= 2.5

= 1

毫安，V

= 1.5

输入电容

反向传输电容

输出电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

RSS

OSS

关闭

= 3

V，I

10毫安，

0 ~

2.5

= 3

V, V

0, f

1兆赫

分钟。

0.6

典型值。

3.7

130

190

马克斯。

±1

1.1

单位

μA

开关时间测试电路

（ a）测试电路

2.5

90%

OUT

（二）V

10%

2.5V

μs

（三）V

OUT

DS （ ON）

90%

10%

关闭

= 3

税

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

OUT

Ω)

常见的来源

25°C

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

100

μA

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

和V

GS （关闭）

需要较低的电压比V

。（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ;

GS （上）。

)

请务必在使用该设备时要考虑到这一点。

2007-11-01

SSM3J16FV

– V

-250

常见的来源

-200

-10

-4

25°C

-3

-150

-100

100°C

-10

25°C

-1

-1000

常见的来源

VDS

-3 V

-2.7

-2.5

-2.3

-100

-2.1

-1.9

-50

-1.7

VGS

-1.5 V

-0.5

-1

-1.5

-2

-0.01

-1

– V

（MA ）

漏电流

（MA ）

25°C

-0.1

-2

-3

-4

漏 - 源电压VDS （ V）

栅极 - 源极电压VGS （ V）

DS （ ON）

– I

DS （ ON）

– V

1.8

常见的来源

-1毫安

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

VGS

-1.5 V

1.6

1.4

1.2

-25℃

-2

-4

-6

-10

Ta=100℃

-2.5 V

25℃

-4 V

-1

-10

-100

-1000

-8

漏电流

（MA ）

栅极 - 源极电压VGS （ V）

DS （ ON）

- TA

-2.5 V， -10mA

VGS

=1.5

V， ID = -1mA

常见的来源

-2

-1.8

常见的来源

-0.1毫安

VDS

-3 V

- TA

栅极阈值电压Vth （V）的

125

150

漏 - 源极导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

-1.6

-1.4

-1.2

-1

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

-4V ， -10mA

100

125

150

环境温度Ta （C ）

2007-11-01

SSM3J16FV

– I

1000

-250

500

300

常见的来源

VDS

25°C

常见的来源

VGS

0 V

25°C

– V

反向漏电流IDR （毫安）

-200

正向转移导纳

( S)

100

-150

IDR

-100

-50

-1

-10

-100

-1000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

漏极电流ID （MA ）

漏 - 源极VDS （ V）

- V

200

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

10000

5000

3000

花花公子

1000

500

300

吨

吨 - 我

常见的来源

VDD

-3 V

VGS

0~-2.5 V

25°C

电容C （PF ）

100

开关时间t（ NS ）

-100

西塞

科斯

100

-0.1

CRSS

-1

-10

-0.1

-1

-10

-100

漏 - 源电压VDS

(V)

漏电流I

（MA ）

- TA

250

安装在FR4板

(25.4mmX25.4mmX1.6t

Cu焊盘： 0.6mm2X3

功耗，Pd （MW ）

200

150

100

120

140

160

周囲温度

(°C)

2007-11-01

SSM3J16FV

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01