SSM3J16FS
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型
SSM3J16FS
高速开关应用
模拟开关应用
单位：mm
小型封装
低导通电阻
: R
on
=
8
Ω
（最大值） （ @V
GS
= 4
V)
: R
on
=
12
Ω
（最大值） （ @V
GS
= 2.5
V)
: R
on
=
45
Ω
（最大值） （ @V
GS
= 1.5
V)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
等级
20
±10
100
200
100
150
55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
注意：
重负载下连续使用（例如应用
JEDEC
―
高温/电流/电压和在显著变化
JEITA
―
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
东芝
2-2H1B
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，
估计的故障率，等）。
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
DT
1
2
1
2
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保环境是
防止静电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
该直接接触与设备应当由防静电材料。
1
2007-11-01
SSM3J16FS
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
QQ：2880707522 复制
