SSM3J134TU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（ U- MOSⅥ ）
SSM3J134TU
○
电源管理开关应用
1.5 V驱动器
低导通电阻，R
DS （ ON）
= 240毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.5 V)
R
DS （ ON）
= 168毫欧（最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
R
DS （ ON）
= 123毫欧（最大值） （ @V
GS
= -2.5 V)
R
DS （ ON）
= 93毫欧（最大值） （ @V
GS
= -4.5 V)
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
（注1 ）
I
DP
（注1 ）
P
D
（注2 ）
吨< 1S
T
ch
T
英镑
等级
-20
±
8
-3.2
-6.4
500
1000
150
55
150
单位
V
V
A
功耗
通道温度
存储温度范围
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
等）。
注1 ：通道温度不超过150 ℃，在使用过程中。
注2 ：安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
1 ：门
UFM
JEDEC
JEITA
东芝
2 ：源
3 ：排水
―
―
2-2U1A
重量： 6.6mg （典型值）。
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
朱镇模
1
2
1
2
1
2010-11-18
SSM3J134TU
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
测试条件
民
-20
（注
4)
-15
-0.3
（注3）
（注3）
（注3）
（注3）
（注3）
2.9
（注3）
典型值。
5.8
78.5
97.5
120
141
290
44
32
12
46.2
4.7
0.4
1.0
0.9
最大
-1
±1
-1.0
93
123
168
240
1.2
V
nC
ns
pF
mΩ
单位
V
V
μA
μA
V
S
V
（ BR ） DSS
I
D
= -1毫安，V
GS
= 0 V
V
（ BR ） DSX
I
D
= -1毫安，V
GS
= 5 V
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -3 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= -3 V，I
D
= -1.0 A
I
D
= -1.5 A，V
GS
= -4.5 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
= -1.0 A，V
GS
= -2.5 V
I
D
= -0.5 A，V
GS
= -1.8 V
I
D
= -0.25 A，V
GS
= -1.5 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源正向电压
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
V
DSF
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= -10 V，I
D
= -0.5 A
V
GS
= 0至-2.5 V，R 1
G
= 4.7
Ω
V
DD
= -10 V，I
D
= -2.0 A,
V
GS
= -4.5 V
I
D
= 3.2 A，V
GS
= 0 V
注3 ：脉冲测试
注释4 ：如果一个正向偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V
（ BR ） DSX
模式。需要注意的是
漏极 - 源极击穿电压降低于该模式。
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
OUT
IN
2.5
V
R
G
R
L
V
DD
10%
（二）V
IN
0V
90%
2.5V
10
μs
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
=
－10
V
R
G
=
4.7
Ω
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
V
DD
关于使用注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= -1毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的
电压比V
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上） 。
)
使用设备时考虑到这一点。
操作注意事项
当处理尚未安装在电路板上的各个装置中，确保环境
防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
直接接触与设备应当抗静电材料。
热阻R
第（章-a）的
和功耗P
D
根据板料，电路板面积，板的厚度各不相同
和焊盘面积。使用本设备时，请带散热考虑
2
2010-11-18
SSM3J134TU
I
D
– V
DS
-8
-4.5 V
-2.5 V
-1.8 V
-6
-1
-10
常见的来源
VDS = -3 V
脉冲测试
I
D
– V
GS
(A)
I
D
I
D
-4
VGS = -1.5 V
(A)
漏电流
漏电流
-0.1
TA = 100 C
-0.01
25 °C
-0.001
-25 °C
-2
常见的来源
TA = 25℃
0
脉冲测试
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-0.0001
0
-1.0
-2.0
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– V
GS
300
ID = -1.5一
常见的来源
脉冲测试
300
常见的来源
TA = 25°C
脉冲测试
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
-1.5 V
200
-1.8 V
200
25 °C
TA = 100 C
-2.5 V
100
VGS = -4.5 V
100
-25 °C
0
0
-2
-4
-6
-8
0
0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
栅源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
300
R
DS （ ON）
- TA
常见的来源
脉冲测试
V
th
- TA
-1.0
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
-1.0 A / -2.5 V
200
-0.5 / -1.8 V
栅极阈值电压
V
th
(V)
常见的来源
VDS = -3 V
为ID = -1毫安
-0.5
-0.25 A / -1.5 V
100
ID = -1.5 A / VGS = -4.5 V
0
50
0
50
100
150
0
50
0
50
100
150
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
3
2010-11-18
QQ：2880707522 复制
