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SSM3J113TU

东芝场效应晶体管

硅P沟道的MOS型

SSM3J113TU

高速开关应用

2.0V驱动

低导通电阻：

= 449mΩ （最大值）（ @V

2.0

= 249mΩ （最大值）（ @V

2.5

= 169mΩ （最大值）（ @V

4.0

0.65±0.05

2.1±0.1

1.7±0.1

+0.1

0.3 -0.05

0.166±0.05

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

GSS

D（注1 ）

D（注2）

英镑

等级

1.7

3.4

800

500

150

55~150

单位

°C

2.0±0.1

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障

率等）。

注1 ：安装在陶瓷板上。

(25.4 mm

25.4 mm

0.8毫米， Cu焊盘： 645平方毫米）

注2 ：安装在FR4板。

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 645平方毫米）

注意：

UFM

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-2U1A

重量： 6.6毫克（典型值）。

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

DS （ ON）

测试条件

= 1

毫安，V

= 1

毫安，V

= +12V

= 20

V, V

= ±12V,

= 3

V，I

= 0.1

= 3

V，I

0.65 A

= 0.65

A，V

= 4.0

漏源导通电阻

= 0.65

A，V

= 2.5

= 0.65

A，V

= 2.0

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

OSS

RSS

关闭

DSF

(Note3)

民

0.5

1.3

(Note3)

典型值。

2.7

129

189

249

370

116

0.77

最大

±1

1.1

169

249

449

1.2

mΩ

单位

μA

= 10

V, V

0, f

1兆赫

= 10

V, V

0, f

1兆赫

= 10

V, V

0, f

1兆赫

= 10

V，I

= 0.65

0 -2.5 V ，R

4.7

1.7 A，V

0 V

漏源正向电压

注3 ：脉冲测试

0.7±0.05

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

2007-11-01

SSM3J113TU

开关时间测试电路

（ a）测试电路

2.5

90%

OUT

（二）V

10%

2.5V

μs

（三）V

OUT

DS （ ON）

90%

10%

关闭

-10 V

4.7

D.U.

＆ LT ;

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

常见的来源

25°C

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

JJ6

注意事项

可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我

= -0.1mA的

此产品。对于正常的开关操作，V

GS （上）

需要较高的电压比V

TH ，

和V

GS （关闭）

需要较低的

电压比V

钍。

（该关系，可以建立如下：V

GS （关闭）

＆ LT ; V

GS （上）

)

使用设备时考虑到这一点。

操作注意事项

当处理中尚未安装在电路板上的各个设备，确保环境

防止静电放电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象

该直接接触与设备应当由防静电材料。

2007-11-01

SSM3J113TU

– V

3.0

2.5

4.0

2.5

常见的来源

25°C

1000

10000

常见的来源

VDS

= 3

100°C

100

25°C

– V

2.0

1.8

1.5

漏电流I

（MA ）

漏极电流ID

(A)

1.0

1.6

VGS

= 1.4

25°C

0.5

0.1

0.5

1.0

1.5

2.0

0.01

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

漏源电压

VDS

(V)

栅源电压

VGS （ V）

DS （ ON）

– I

1.0

常见的来源

25°C

0.8

1.0

DS （ ON）

– V

常见的来源

= 0.65

25°C

漏源导通电阻

（上）（ Ω ）

漏源导通电阻

（上）（ Ω ）

3.0

0.6

VGS

= 2

0.4

2.5

0.2

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

0.6

0.4

0.2

漏极电流ID （ A）

栅源电压

VGS （ V）

– I

DS （ ON）

- TA

0.5

常见的来源

0.4

VGS

= 2

= 0.65

漏源导通电阻

（上）（ Ω ）

正向转移导纳

(S)

0.3

2.5

0.2

0.1

常见的来源

VDS

= 3

25°C

100

125

150

0.01

0.1

环境温度Ta （C ）

漏极电流ID （ A）

2007-11-01

SSM3J113TU

- TA

1.0

常见的来源

600

- V

常见的来源

500

VGS

1兆赫

25°C

400

西塞

VTH （V）的

0.8

VDS

= 3

= 0.1

栅极阈值电压

电容C

0.6

（PF ）

0.4

300

200

科斯

100

CRSS

0.2

100

125

150

环境温度Ta （C ）

漏源电压

(V)

吨 - 我

1000

2.0

常见的来源

VGS

1.5

25°C

– V

反向漏电流IDR （ A）

开关时间t（ NS ）

100

花花公子

吨

常见的来源

VDD

= 10

VGS

0~2.5 V

25°C

0.01

4.7

0.1

1.0

0.5

漏源电压

VDS

(V)

漏极电流ID （ A）

动态输入特性

1000

= 1.3

25°C

VDD

= 16

钯 - TA

答：安装在FR4板

(25.4mm×25.4mm×1.6mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

B：安装在陶瓷板上

(25.4mm×25.4mm×0.8mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

漏极功耗PD （MW ）

常见的来源

栅极 - 源极电压VGS （V）的

800

600

400

200

40 60 80 100 120 140 160

环境温度Ta （ ° C）

总栅极电荷Qg （ NC）

2007-11-01

SSM3J113TU

RTH - TW

1000

瞬态热阻抗

RTH （ ° C / W）

单脉冲

答：安装在陶瓷板上

(25.4mm×25.4mm×0.8mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

B：安装在FR4板

(25.4mm×25.4mm×1.6mm)

Cu焊盘： 25.4毫米× 25.4毫米

C：安装在FR4板

(25.4mm×25.4mm×1.6mm)

Cu焊盘： 0.45毫米× 0.8毫米× 3

100

0.001

0.01

0.1

脉冲瓦特ID TW （ S）

100

1000

2007-11-01

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原装正品钻石品质假一赔十

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