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SSM3J09FU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型
SSM3J09FU
管理交换机
高速开关应用
·
·
小型封装
低导通电阻，R
on
= 2.7
（最大值） （ @V
GS
=
10
V)
: R
on
= 4.2
（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
-30
±20
-200
-400
150
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
储存温度
JEDEC
JEITA
―
SC-70
2-2E1E
注1 ：安装在FR4板
2
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨，铜垫： 0.6毫米
3)
图1 。
东芝
重0.006克（典型值）。
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
图1： 25.4毫米
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 0.6毫米
2
3
0.6 mm
DK
1.0 mm
1
2
1
2
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境是
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2002-01-16
SSM3J09FU
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
½Y
fs
½
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
I
D
= -1
毫安，V
GS
=
0
V
DS
= -30
V, V
GS
=
0
V
DS
= -5
V，I
D
= -0.1
mA
V
DS
= -5
V，I
D
= -100
mA
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -10
V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -4
V
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -3.3
V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
(Note2)
(Note2)
(Note2)
(Note2)
民
-30
-1.1
115
典型值。
2.1
3.3
4.0
22
5
14
85
85
最大
±1
-1
-1.8
2.7
4.2
6.0
pF
pF
pF
ns
ns
W
单位
mA
V
mA
V
mS
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= -5
V，I
D
= -100
毫安，
V
GS
=
0~-4 V
注2 ：脉冲测试
开关时间测试电路
（ a）测试电路
（二）V
IN
0V
0
-4
V
10
ms
V
DD
= -5
V
D.U.
＆ LT ;
1%
=
输入：吨
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
产量
输入
50
9
R
L
-4
V
90%
10%
V
DD
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
-100毫安
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS
（关）要求
电压比V低
th
.
（关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
V
GS
的推荐电压
-4.0
V或更高，以打开此产品。
2
2002-01-16
SSM3J09FU
I
D
– V
DS
-500
常见的来源
Ta
=
25°C
-400
-10
-4
7
8
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
（MA ）
6
5
4
-4
V
3
2
1
0
0
-10
V
VGS
= -3.3
V
-3.3
-300
-3.0
-200
-2.8
-2.6
-100
VGS
= -2.4
V
0
0
-0.5
-1
-1.5
-2
漏电流
ID
-100
-200
-300
-400
-500
漏源电压VDS
(V)
漏电流
ID
（MA ）
I
D
– V
GS
-1000
常见的来源
VDS
= -5
V
7
-100
8
R
DS （ ON）
– V
GS
常见的来源
ID
= -100
mA
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
（MA ）
25°C
-10
Ta
=
100°C
-1
-25°C
6
5
Ta
=
100°C
4
3
2
1
25°C
漏电流
ID
-0.1
-25°C
-0.01
0
-1
-2
-3
-4
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
½Y
fs
½
– I
D
R
DS （ ON）
- TA
8
常见的来源
500
7
ID
= -100
mA
1000
常见的来源
VDS
= -5
V
Ta
=
25°C
正向转移导纳
½Y
fs
½
（女士）
300
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
6
5
4
3
2
1
0
-25
VGS
= -3.3
V
-4
V
-10
V
100
50
30
0
25
50
75
100
125
150
10
-10
-30
-50
-100
-300 -500
-1000
环境温度Ta （C ）
漏电流
ID
（MA ）
3
2002-01-16
SSM3J09FU
V
th
- TA
-2
-500
常见的来源
-1.8
I
DR
– V
DS
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
D
-300
G
S
-200
IDR
（MA ）
漏电流尊
IDR
(V)
ID
= -0.1
mA
VDS
= -5
V
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-25
0
25
50
75
-400
栅极阈值电压Vth的
-100
100
125
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
环境温度Ta （C ）
漏源电压VDS
(V)
- V
DS
500
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
5000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
= -5
V
VGS
=
0~-4 V
Ta
=
25°C
（PF ）
电容C
t
（纳秒）
100
1000
西塞
10
科斯
开关时间
花花公子
tf
100
吨
tr
CRSS
1
-0.1
10
-1
-1
-10
-100
-10
-100
-1000
漏源电压VDS
(V)
漏电流
ID
（MA ）
P
D
- TA
200
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6
t
2
Cu焊盘： 0.6毫米
3）图1中
150
功耗
PD
100
50
0
0
（ mW）的
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta （C ）
4
2002-01-16
SSM3J09FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2002-01-16
SSM3J09FU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型
SSM3J09FU
管理交换机
高速开关应用
·
·
小型封装
低导通电阻，R
on
= 2.7
（最大值） （ @V
GS
=
10
V)
: R
on
= 4.2
（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
-30
±20
-200
-400
150
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
储存温度
JEDEC
JEITA
―
SC-70
2-2E1E
注1 ：安装在FR4板
2
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨，铜垫： 0.6毫米
3)
图1 。
东芝
重0.006克（典型值）。
记号
3
等效电路
（ TOP VIEW ）
3
图1： 25.4毫米
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 0.6毫米
2
3
0.6 mm
DK
1.0 mm
1
2
1
2
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境是
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2002-01-16
SSM3J09FU
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
½Y
fs
½
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0
I
D
= -1
毫安，V
GS
=
0
V
DS
= -30
V, V
GS
=
0
V
DS
= -5
V，I
D
= -0.1
mA
V
DS
= -5
V，I
D
= -100
mA
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -10
V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -4
V
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -3.3
V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
(Note2)
(Note2)
(Note2)
(Note2)
民
-30
-1.1
115
典型值。
2.1
3.3
4.0
22
5
14
85
85
最大
±1
-1
-1.8
2.7
4.2
6.0
pF
pF
pF
ns
ns
W
单位
mA
V
mA
V
mS
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -5
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= -5
V，I
D
= -100
毫安，
V
GS
=
0~-4 V
注2 ：脉冲测试
开关时间测试电路
（ a）测试电路
（二）V
IN
0V
0
-4
V
10
ms
V
DD
= -5
V
D.U.
＆ LT ;
1%
=
输入：吨
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
产量
输入
50
9
R
L
-4
V
90%
10%
V
DD
（三）V
OUT
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
t
关闭
t
f
V
DD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
-100毫安
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS
（关）要求
电压比V低
th
.
（关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
V
GS
的推荐电压
-4.0
V或更高，以打开此产品。
2
2002-01-16
SSM3J09FU
I
D
– V
DS
-500
常见的来源
Ta
=
25°C
-400
-10
-4
7
8
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
（MA ）
6
5
4
-4
V
3
2
1
0
0
-10
V
VGS
= -3.3
V
-3.3
-300
-3.0
-200
-2.8
-2.6
-100
VGS
= -2.4
V
0
0
-0.5
-1
-1.5
-2
漏电流
ID
-100
-200
-300
-400
-500
漏源电压VDS
(V)
漏电流
ID
（MA ）
I
D
– V
GS
-1000
常见的来源
VDS
= -5
V
7
-100
8
R
DS （ ON）
– V
GS
常见的来源
ID
= -100
mA
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
（MA ）
25°C
-10
Ta
=
100°C
-1
-25°C
6
5
Ta
=
100°C
4
3
2
1
25°C
漏电流
ID
-0.1
-25°C
-0.01
0
-1
-2
-3
-4
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
½Y
fs
½
– I
D
R
DS （ ON）
- TA
8
常见的来源
500
7
ID
= -100
mA
1000
常见的来源
VDS
= -5
V
Ta
=
25°C
正向转移导纳
½Y
fs
½
（女士）
300
漏源导通电阻
RDS（ON） （W）的
6
5
4
3
2
1
0
-25
VGS
= -3.3
V
-4
V
-10
V
100
50
30
0
25
50
75
100
125
150
10
-10
-30
-50
-100
-300 -500
-1000
环境温度Ta （C ）
漏电流
ID
（MA ）
3
2002-01-16
SSM3J09FU
V
th
- TA
-2
-500
常见的来源
-1.8
I
DR
– V
DS
常见的来源
VGS
=
0
Ta
=
25°C
D
-300
G
S
-200
IDR
（MA ）
漏电流尊
IDR
(V)
ID
= -0.1
mA
VDS
= -5
V
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-25
0
25
50
75
-400
栅极阈值电压Vth的
-100
100
125
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
环境温度Ta （C ）
漏源电压VDS
(V)
- V
DS
500
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
5000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
= -5
V
VGS
=
0~-4 V
Ta
=
25°C
（PF ）
电容C
t
（纳秒）
100
1000
西塞
10
科斯
开关时间
花花公子
tf
100
吨
tr
CRSS
1
-0.1
10
-1
-1
-10
-100
-10
-100
-1000
漏源电压VDS
(V)
漏电流
ID
（MA ）
P
D
- TA
200
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6
t
2
Cu焊盘： 0.6毫米
3）图1中
150
功耗
PD
100
50
0
0
（ mW）的
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta （C ）
4
2002-01-16
SSM3J09FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
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2002-01-16
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S-1701T1815-M5T1G
SMBJ5933
SI-50214-F
S-7760A
SN74HCT245DB
ST92F124CR2TC
SST89E58RD2-40-C-QJ
ST72F324LK6T6
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STV240N75F3
SF2060B
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SA5219D
ST72C314N2T3XXX
SPE0532
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深圳市集创讯科技有限公司
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SSM3J09FU
TOSHIBA/东芝
24+
68500
SOT-323
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市银芯龙科技有限公司
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TOSHIBA
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SOT-23
进口原装现货
北京元坤国际科技有限公司
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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全新原装正品/质量有保证
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
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联系人：肖佳欣
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13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市深科创科技有限公司
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联系人：李先生/吴小姐/ 朱先生
地址：深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
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TOSHIBA
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SOT-23
进口原装现货假一赔十可开增值税发票
深圳市恒佳微电子有限公司
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TOSHIBA/东芝
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！
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联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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TOSHIBA/东芝
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深圳市银芯龙科技有限公司
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TOS
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8800
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原装正品，现在供应
深圳市富乐亚科技有限公司
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全新原装正品，详询18503085056/VX同号
深圳市源丰诚电子科技有限公司
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联系人：朱先生
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TOSHIBA
17+
4550
SC70
进口全新原装现货
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