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SSM3J05FU
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型
SSM3J05FU
电源管理开关
高速开关应用
·
·
·
小型封装
低导通电阻，R
on
= 3.3
（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
: R
on
= 4.0
（最大值） （ @V
GS
=
2.5
V)
低栅极阈值电压
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
-20
±12
-200
-400
150
150
-55~150
单位
V
V
mA
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-70
2-2E1E
注1 ：安装在FR4板。
2
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨，铜垫： 0.6毫米
3)
重0.006克（典型值）。
记号
等效电路
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2003-03-27
SSM3J05FU
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
= ±12
V, V
DS
=
0
I
D
= -1
毫安，V
GS
=
0
V
DS
= -20
V, V
GS
=
0
V
DS
= -3
V，I
D
= -0.1
mA
V
DS
= -3
V，I
D
= -50
mA
I
D
= -100
毫安，V
GS
= -4
V
I
D
= -50
毫安，V
GS
= -2.5
V
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
民
-20
-0.6
100
典型值。
2.1
3.2
27
7
21
70
70
最大
±1
-1
-1.1
3.3
4.0
单位
mA
V
mA
V
mS
W
pF
pF
pF
ns
V
DS
= -3
V, V
GS
=
0中，f = 1 MHz的
V
DS
= -3
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -3
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= -3
V，I
D
= -50
毫安，
V
GS
=
0~-2.5 V
注2 ：脉冲测试
开关时间测试电路
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
-100毫安
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要
电压比V低
th
.
（关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
V
GS
的推荐电压
-2.5
V或更高，以打开此产品。
2
2003-03-27
SSM3J05FU
3
2003-03-27
SSM3J05FU
4
2003-03-27
SSM3J05FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2003-03-27
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    SSM3J05FU
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