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SSM3J02T
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型
SSM3J02T
电源管理开关
高速开关应用
·
·
·
·
适合于高密度安装元件包
小型封装
低导通电阻，R
on
= 0.5
（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
: R
on
= 0.7
（最大值） （ @V
GS
=
2.5
V)
低电压操作可能
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
(Note2)
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
-30
±10
-1.5
-3.0
1250
150
-55
150
A
单位
V
V
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1A
注1 ：
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨， Cu焊盘： 645平方毫米，T
=
10 s)
重量： 10毫克（典型值）。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大通道温度。
记号
3
等效电路
3
DD
1
2
1
2
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2002-01-17
SSM3J02T
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
= -1
毫安，V
GS
=
0
V
DS
= -30
V, V
GS
=
0
V
DS
= -3
V，I
D
= -0.1
mA
V
DS
= -3
V，I
D
= -0.3
A
I
D
= -0.3
A，V
GS
= -4
V
I
D
= -0.3
A，V
GS
= -2.5
V
(Note3)
(Note3)
(Note3)
民
-30
-0.6
0.6
典型值。
0.4
0.55
150
21
61
55
52
最大
±1
-1
-1.1
0.5
0.7
单位
mA
V
mA
V
S
W
pF
pF
pF
ns
V
DS
= -10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= -15
V，I
D
= -0.3
A,
V
GS
=
0
-2.5
V ，R
G
=
4.7
W
注3 ：
脉冲测试
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
0
-2.5
V
10
ms
V
IN
OUT
（二）V
IN
V
GS
-2.5
V
R
G
R
L
V
DS （ ON）
（三）V
OUT
V
DS
V
DD
t
r
t
on
t
f
t
关闭
10%
90%
90%
10%
IN
V
DD
V
DD
= -15
V
R
G
=
4.7
W
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= -100毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要的电压比V低
th
.
（关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
V
GS
的推荐电压
-2.5
V或更高，以打开此产品。
2
2002-01-17
SSM3J02T
I
D
– V
DS
-1.4
-1.2
-4.0
-2.5
-2.2
常见的来源
Ta
=
25°C
-10000
常见的来源
-1000
VDS
= -3
V
I
D
– V
GS
-1
-0.8
-0.6
-0.4
（MA ）
(A)
-2.0
-100
-10
-1
-0.1
-0.01
-0.001
0
-25°C
Ta
=
100°C
25°C
I
D
漏电流
-1.8
-1.6
-0.2
0
0
VGS
= -1.4
V
-0.5
-1
-1.5
-2
漏电流
I
D
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– I
D
1.5
常见的来源
Ta
=
25°C
0.8
1
常见的来源
ID
= -0.3
A
R
DS （ ON）
- TA
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(9)
1
漏源导通电阻
RDS （ ON）
(9)
VGS
= -2.5
V
-4
V
0.6
VGS
= -2.5
V
0.5
-4
V
0.4
0.2
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
0
-50
0
50
100
150
漏电流
I
D
(A)
环境温度Ta （C ）
|Y
fs
| – I
D
10
- V
DS
1000
正向转移导纳
|Y
fs
| (S)
（PF ）
3
1
常见的来源
VDS
= -3
V
Ta
=
25°C
300
100
西塞
电容C
0.3
0.1
30
10
科斯
CRSS
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
0.03
0.01
-0.001
3
1
-0.1
-0.01
-0.1
-1
-4
-1
-10
-100
-400
漏电流
I
D
(A)
漏源电压V
DS
(V)
3
2002-01-17
SSM3J02T
吨 - 我
D
10000
常见的来源
VDD
= -15
V
VGS
=
0
-2.5
V
RG
=
4.7
W
Ta
=
25°C
1.5
t
=
10 s
P
D
- TA
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
1
3000
花花公子
tf
(W)
漏极功耗
P
D
1.25
t
300
（纳秒）
1000
开关时间
0.75
DC
100
吨
tr
-0.01
-0.1
-1
-4
0.5
30
0.25
10
-0.001
漏电流
I
D
(A)
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度Ta （C ）
安全工作区
-10
ID MAX（脉冲） *
ID MAX（连续）
10毫秒*
-1
1毫秒*
I
D
(A)
漏电流
-0.1
直流操作
Ta
=
25°C
10 s
-0.01
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
-1
-10
VDSS
最大
-100
-0.001
-0.1
漏源电压V
DS
(V)
r
th
- TW
1000
r
th
瞬态热阻抗
（ ° C / W）
100
10
单脉冲
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
tw
(s)
4
2002-01-17
SSM3J02T
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2002-01-17
SSM3J02T
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型
SSM3J02T
电源管理开关
高速开关应用
·
·
·
·
适合于高密度安装元件包
小型封装
低导通电阻，R
on
= 0.5
（最大值） （ @V
GS
=
4
V)
: R
on
= 0.7
（最大值） （ @V
GS
=
2.5
V)
低电压操作可能
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
(Note2)
P
D
(Note1)
T
ch
T
英镑
等级
-30
±10
-1.5
-3.0
1250
150
-55
150
A
单位
V
V
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1A
注1 ：
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6吨， Cu焊盘： 645平方毫米，T
=
10 s)
重量： 10毫克（典型值）。
注2 ：
脉冲宽度有限的最大通道温度。
记号
3
等效电路
3
DD
1
2
1
2
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2002-01-17
SSM3J02T
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
= -1
毫安，V
GS
=
0
V
DS
= -30
V, V
GS
=
0
V
DS
= -3
V，I
D
= -0.1
mA
V
DS
= -3
V，I
D
= -0.3
A
I
D
= -0.3
A，V
GS
= -4
V
I
D
= -0.3
A，V
GS
= -2.5
V
(Note3)
(Note3)
(Note3)
民
-30
-0.6
0.6
典型值。
0.4
0.55
150
21
61
55
52
最大
±1
-1
-1.1
0.5
0.7
单位
mA
V
mA
V
S
W
pF
pF
pF
ns
V
DS
= -10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= -10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= -15
V，I
D
= -0.3
A,
V
GS
=
0
-2.5
V ，R
G
=
4.7
W
注3 ：
脉冲测试
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
0
-2.5
V
10
ms
V
IN
OUT
（二）V
IN
V
GS
-2.5
V
R
G
R
L
V
DS （ ON）
（三）V
OUT
V
DS
V
DD
t
r
t
on
t
f
t
关闭
10%
90%
90%
10%
IN
V
DD
V
DD
= -15
V
R
G
=
4.7
W
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= -100毫安
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要的电压比V低
th
.
（关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
V
GS
的推荐电压
-2.5
V或更高，以打开此产品。
2
2002-01-17
SSM3J02T
I
D
– V
DS
-1.4
-1.2
-4.0
-2.5
-2.2
常见的来源
Ta
=
25°C
-10000
常见的来源
-1000
VDS
= -3
V
I
D
– V
GS
-1
-0.8
-0.6
-0.4
（MA ）
(A)
-2.0
-100
-10
-1
-0.1
-0.01
-0.001
0
-25°C
Ta
=
100°C
25°C
I
D
漏电流
-1.8
-1.6
-0.2
0
0
VGS
= -1.4
V
-0.5
-1
-1.5
-2
漏电流
I
D
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
漏源电压
V
DS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS （ ON）
– I
D
1.5
常见的来源
Ta
=
25°C
0.8
1
常见的来源
ID
= -0.3
A
R
DS （ ON）
- TA
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(9)
1
漏源导通电阻
RDS （ ON）
(9)
VGS
= -2.5
V
-4
V
0.6
VGS
= -2.5
V
0.5
-4
V
0.4
0.2
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
0
-50
0
50
100
150
漏电流
I
D
(A)
环境温度Ta （C ）
|Y
fs
| – I
D
10
- V
DS
1000
正向转移导纳
|Y
fs
| (S)
（PF ）
3
1
常见的来源
VDS
= -3
V
Ta
=
25°C
300
100
西塞
电容C
0.3
0.1
30
10
科斯
CRSS
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
0.03
0.01
-0.001
3
1
-0.1
-0.01
-0.1
-1
-4
-1
-10
-100
-400
漏电流
I
D
(A)
漏源电压V
DS
(V)
3
2002-01-17
SSM3J02T
吨 - 我
D
10000
常见的来源
VDD
= -15
V
VGS
=
0
-2.5
V
RG
=
4.7
W
Ta
=
25°C
1.5
t
=
10 s
P
D
- TA
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
1
3000
花花公子
tf
(W)
漏极功耗
P
D
1.25
t
300
（纳秒）
1000
开关时间
0.75
DC
100
吨
tr
-0.01
-0.1
-1
-4
0.5
30
0.25
10
-0.001
漏电流
I
D
(A)
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度Ta （C ）
安全工作区
-10
ID MAX（脉冲） *
ID MAX（连续）
10毫秒*
-1
1毫秒*
I
D
(A)
漏电流
-0.1
直流操作
Ta
=
25°C
10 s
-0.01
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
-1
-10
VDSS
最大
-100
-0.001
-0.1
漏源电压V
DS
(V)
r
th
- TW
1000
r
th
瞬态热阻抗
（ ° C / W）
100
10
单脉冲
安装在FR4板
(25.4 mm
25.4 mm
1.6 t,
Cu焊盘： 645毫米
2
)
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
tw
(s)
4
2002-01-17
SSM3J02T
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
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此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
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2002-01-17
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S8AS-24006N
SSM2160
SGM9117XS/TR
SN74AUP2G34
S2N5542-1
SMTT-90H-12
SST29VF020-70-4C-PH
SN74LV4046ANE4
SRM20100LM85
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SF2161E
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SSM34LSPT
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深圳青禾创新科技有限公司
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Toshiba
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北京元坤国际科技有限公司
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TOSHIBA/东芝
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32570
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