SSM2605GY
P沟道增强模式
功率MOSFET
产品概述
快速开关特性
低栅极电荷
小尺寸&薄型封装
S
D
D
G
D
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
80mΩ
- 4A
SOT-26
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻，效率非常高
和OST效益的设备。
采用SOT -26封装普遍用于所有commercial-工业
应用程序。
D
G
S
无铅;符合RoHS标准
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±20
-4
-3.3
-20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热
数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
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1
SSM2605GY
电气特性
(T
J
= 25℃ ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.02
-
-
-
6
-
-
-
5.5
1
2.6
7
6
18
4
400
90
30
MAX 。单位
-
-
80
120
-3
-
-1
-25
±100
8.8
-
-
-
-
-
-
640
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-4A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=-4A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -1.6A ，V
GS
=0V
I
S
= -4A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
14
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当156 ℃ / W 。铜垫。
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