SSM2318GEN
N沟道增强模式功率MOSFET
产品概述
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
该SSM2318GEN acheives快速开关性能
有没有复杂的驱动电路，低栅极电荷。它
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器与一般的负载开关电路。
该SSM2318GEN是符合RoHS标准提供
SOT- 23-3封装，其被广泛地用于低
功率商业和工业表面贴装
应用程序。
该门有内部ESD保护。
30V
720m
1A
无铅;符合RoHS标准的SOT- 23-3
D
S
SOT-23-3
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3,
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
漏电流脉冲
1,2
总功耗，T
A
= 25°C
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
价值
30
±
16
1
800
2
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
mA
A
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
符号
R
θJA
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
90
单位
° C / W
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.Mounted对FR4板的铜焊盘的平方英寸;安装在需要焊接的最小垫区时为270℃ / W 。
2006年6月16日Rev.3.01
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SSM2318GEN
电气特性
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
（在TJ = 25 ° C，除非另有规定）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 4V ，我
D
=500mA
V
GS
= 2.5V ，我
D
=200mA
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
30
-
典型值。
-
0.04
-
-
-
725
-
-
-
1.1
0.4
0.4
17
44
45
55
30
12
11
MAX 。单位
-
-
720
1200
1.3
-
1
25
±30
1.8
-
-
-
-
-
-
48
-
-
V
V /°C的
m
m
V
mS
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 4V ，我
D
=500mA
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
= 0V ， TJ = 70℃
V
GS
=±16V
I
D
=1A
V
DS
=25V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3 , V
GS
=5V
R
D
=15
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压
2
测试条件
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
分钟。
-
典型值。
-
MAX 。单位
1.3
V
注意事项：
1.Pulse宽度必须被限制，以避免超过150℃的最大结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
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SSM2318GEN
物理尺寸
SOT-23-3
SOT-23-3
SYMBOL MILLIMETERS
分钟。
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
Θ
0°
0.89
0
0.70
0.30
0.08
2.65
2.10
1.19
马克斯。
1.45
0.15
1.30
0.50
0.25
3.10
3.00
2.30
0.95BSC
1.90BSC
0.30
0.60
0.60REF
8°
最热
*尺寸不包括塑模突出。
器件编码： NM = SSM2318GEN
NMXX
第一个字符是下划线来表示无铅零件
XX =日期/批号 - 联系SSC的
关于解码该信息。
包装：
湿度敏感度等级MSL3
3000只在对包装在防潮袋（ MBB）的卷轴抗静电胶带。
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