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无滤波器,高效率,
3单声道D类音频放大器
SSM2315
特点
无滤波器D类放大器采用Σ -Δ调制
不使用多个D类放大器在必要时同步
来自Analog Devices , Inc.的
3 W到3 Ω负载和1.4 W功率为8 Ω负载在5.0 V电源
与<1 %的总谐波失真( THD + N)
93 %的效率在5.0 V , 1.4 W功率为8 Ω扬声器
>103分贝信号 - 噪声比( SNR)的
从2.5 V单电源供电,以5.5 V
20 nA的超低关断电流
短路保护和热保护
可在9球, 1.5毫米× 1.5毫米WLCSP
POP和点击抑制
内置电阻,减少电路板元件数量
默认情况下固定的6 dB或用户可调的增益设置
该SSM2315采用高效率,低噪声的调制
方案,无需外部LC输出滤波器。调制
继续,即使在低输出功率提供高效率。
它以93 %的效率为1.4 W功率为8 Ω或85 %的效率
在3 W到3 Ω从5.0 V电源供电,并具有>103分贝的SNR 。
扩频脉冲密度调制,用于提供
降低EMI辐射与其它D类放大器相比,
架构。
该SSM2315具有微功耗关断模式,典型的
20 nA的关断电流。关断是通过将启用
逻辑低到SD引脚。
该器件还包括弹出式和点击抑制电路。
这种抑制电路可有效降低电压毛刺的
导通和关断过程中的输出,降低可听噪声
于激活和去激活。
该SSM2315的全差分输入提供了极好的
抑制输入共模噪声。输入耦合
电容器可如果直流输入共模电压被省略
约为V
DD
/2.
该SSM2315的默认增益为6dB ,但用户可以减少
通过使用一对外部电阻获得(参见增益部分) 。
该SSM2315是在指定的工业温度范围
-40 ° C至+ 85°C 。它具有内置热关断和输出
短路保护。它可在一个9球, 1.5毫米× 1.5毫米
晶片级芯片规模封装(WLCSP ) 。
应用
手机
MP3播放器
便携式游戏
便携式电子产品
益智玩具
概述
该SSM2315是一款全集成,高效率, D类音频
放大器。它的目的是最大限度地提高移动性能
手机应用程序。该应用电路要求的最低
外部元件,并从单一2.5 V至5.5 V工作
供应量。它能够提供3连续输出功率W
与<1 % THD + N从5.0 V电源驱动3 Ω负载。
功能框图
10F
0.1F
VBATT
2.5V至5.5V
VDD
OUT +
调制器
(Σ-Δ)
FET
司机
OUT-
SSM2315
47nF*
AUDIO IN +
AUDIO IN -
47nF*
IN +
IN-
80k
80k
160k
160k
SD
BIAS
国内
振荡器
POP /点击
抑制
关闭
GND
*输入CAPS是可选的IF输入直流共模
电压约为V
DD
/2.
图1 。
REV 。一
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责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
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一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2008 ADI公司保留所有权利。
06857-001
SSM2315
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 4
热阻................................................ ...................... 4
ESD注意事项................................................ .................................. 4
引脚配置和功能说明............................. 5
典型性能特征............................................. 6
典型应用电路............................................... .......... 11
工作原理............................................... ....................... 12
概述................................................. .................................... 12
增益................................................. ............................................. 12
弹出式和-喀哒声抑制............................................ .......... 12
输出调制说明.............................................. 12
布局................................................. ......................................... 13
输入电容的选择............................................... ........... 13
适当的电源去耦............................................ 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
8月8日 - 修订版。 0到版本A
更改效率和总谐波
失真+噪声参数.............................................. ......... 3
更改订购指南.............................................. ............ 14
2月8日 - 修订版0 :初始版
版本A |第16页2
SSM2315
特定网络阳离子
V
DD
= 5.0 V ,T
A
= 25
o
C,R
L
= 8 Ω + 33微亨,除非另有说明。
表1中。
参数
设备特点
输出功率
符号
P
O
条件
1
R
L
= 8 Ω ,THD = 1%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 5.0 V
R
L
= 8 Ω ,THD = 1%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 3.6 V
R
L
= 8 Ω ,THD = 10%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 5.0 V
R
L
= 8 Ω ,THD = 10%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 3.6 V
R
L
= 4 Ω ,THD = 1%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 5.0 V
R
L
= 4 Ω ,THD = 1%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 3.6 V
R
L
= 4 Ω ,THD = 10%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 5.0 V
R
L
= 4 Ω ,THD = 10%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 3.6 V
R
L
= 3 Ω ,THD = 1%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 5.0 V
R
L
= 3 Ω ,THD = 1%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 3.6 V
R
L
= 3 Ω ,THD = 10%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 5.0 V
R
L
= 3 Ω ,THD = 10%中,f = 1千赫, 20千赫带宽,V
DD
= 3.6 V
P
O
= 1.4 W,R
L
= 8 Ω + 33 μH ,V
DD
= 5.0 V
P
O
= 1 W,R
L
= 8 Ω + 33 μH , F = 1千赫,V
DD
= 5.0 V
P
O
= 0.5 W,R
L
= 8 Ω + 33 μH , F = 1千赫,V
DD
= 3.6 V
1.0
V
CM
= 2.5 V± 100 mV的217赫兹,简称输出
增益= 6分贝
从PSRR测试保证
V
DD
= 2.5 V至5.0 V , DC输入浮动
V
纹波
= 100 mV的217赫兹,输入AC GND ,C
IN
= 0.1 μF
V
IN
= 0V ,无负荷,V
DD
= 5.0 V
V
IN
= 0V ,无负荷,V
DD
= 3.6 V
V
IN
= 0V ,无负荷,V
DD
= 2.5 V
V
IN
= 0 V ,负载= 8
+
33 μH ,V
DD
= 5.0 V
V
IN
= 0 V ,负载= 8
+
33 μH ,V
DD
= 3.6 V
V
IN
= 0 V ,负载= 8
+
33 μH ,V
DD
= 2.5 V
SD = GND
2.5
70
55
280
2.0
5.5
85
60
3.2
2.8
2.4
3.3
2.9
2.4
20
6
80
1.2
0.5
7
5
>100
21
103
典型值
1.48
0.75
1.84
0.94
2.72
1.38
3.40
2
1.72
3.43
1.72
4.28
2
2.14
93
0.004
0.004
V
DD
1.0
最大
单位
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
%
%
%
V
dB
千赫
mV
V
dB
dB
mA
mA
mA
mA
mA
mA
nA
dB
V
V
ms
μs
μV RMS
dB
效率
总谐波失真+噪声
输入共模电压范围
共模抑制比
平均开关频率
差分输出失调电压
电源
电源电压范围
电源抑制比
电源电流
η
THD + N
V
CM
CMRR
GSM
f
SW
V
OOS
V
DD
PSRR
PSRR
GSM
I
SY
关断电流
增益控制
闭环增益
差分输入阻抗
关断控制
输入电压高
输入电压低
开启时间
打开-O FF时间
输出阻抗
噪声性能
输出电压噪声
信噪比
1
2
I
SD
收益
Z
IN
V
IH
V
IL
t
WU
t
SD
Z
OUT
e
n
SNR
SD = V
DD
I
SY
= 1毫安
I
SY
= 300 nA的
SD上升沿从GND到V
DD
SD下降沿从V
DD
到GND
SD = GND
V
DD
= 3.6 V , F = 20 Hz至20 kHz ,输入为交流接地,
增益= 6分贝, A加权
P
O
= 1.4 W,R
L
= 8 Ω
请注意,虽然SSM2315具有良好的音频质量高于3瓦,连续输出功率超过3 W必须避免由于设备封装的限制。
此值表示测得的性能;封装的限制,不得超过。
版本A |第16页3
SSM2315
绝对最大额定值
绝对最大额定值适用于25 ° C,除非另有说明。
表2中。
参数
电源电压
输入电压
共模输入电压
连续输出功率
存储温度范围
工作温度范围
结温范围
引线温度(焊接, 60秒)
等级
6V
V
DD
V
DD
3W
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65C至+ 165℃
300°C
热阻
θ
JA
被指定为最坏的条件下,也就是说,一个设备
焊在电路板的表面贴装封装。
表3.热阻
套餐类型
9球, 1.5毫米× 1.5毫米WLCSP
PCB
1S0P
2S0P
θ
JA
162
76
θ
JB
39
21
单位
° C / W
° C / W
ESD警告
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
版本A |第16页4
SSM2315
引脚配置和功能描述
球A1
角落
1
A
2
3
B
C
SSM2315
06857-002
顶视图
球偏下
(不按比例)
图2.引脚配置
表4.引脚功能描述
PIN号
2C
2A
1A
1C
3C
1B
3B
3A
2B
助记符
SD
GND
IN +
IN-
OUT +
VDD
GND
OUT-
PVDD
描述
关断输入。低电平有效数字输入。
地面上。
同相输入。
反相输入端。
同相输出。
电源。
地面上。
反相输出。
电源。
版本A |第16页5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SSM2315
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    -
    -
    -
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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24+
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