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SSM2302N
N沟道增强模式功率MOSFET
能够2.5V栅极驱动
封装尺寸小
表面贴装封装
S
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
85m
2.8A
描述
SOT-23
G
从标准的硅功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
低导通电阻和成本效益。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
=25°C
I
D
@ T
A
=70°C
I
DM
P
D
@ T
A
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
± 12
2.8
2.2
10
1.25
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
100
单位
° C / W
Rev.2.02 2004年3月12日
www.SiliconStandard.com
1 6
SSM2302N
电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
-
-
6
-
-
-
4.4
0.6
1.9
5.2
37
15
5.7
145
100
50
MAX 。单位
-
-
85
115
-
-
1
10
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3.1A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=55
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=3.6A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
=
± 12V
I
D
=3.6A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
I
D
=3.6A
R
G
=6
,V
GS
=5V
R
D
=2.8
V
GS
=0V
V
DS
=10V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
I
S
= 1.6A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
1.6
10
1.2
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装在FR4板，T < 5秒。
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SSM2302N
10
6
T
C
=25
o
C
8
V
G
=4.5V
V
G
=3.5V
V
G
=3.0V
T
C
=150
o
C
V
G
=4.5V
V
G
=3.5V
V
G
=3.0V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
V
G
=2.5V
6
4
V
G
=2.5V
V
G
=2.0V
4
2
V
G
=2.0V
2
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
1.8
I
D
= 3.6 A
90
I
D
=3.6A
1.6
T
C
=25
o
C
V
G
=4.5V
R
DSON
(m
Ω
)
80
归一化
DS （ ON）
2
3
4
5
1.4
1.2
70
1.0
60
0.8
50
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
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3 6
SSM2302N
4
2
3
1.5
I
D
，漏电流（ A）
2
P
D
(W)
25
50
75
100
o
1
1
0.5
0
125
150
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（ C）
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏电流与
外壳温度
图6.典型功耗
100
1
DUTY=0.5
10
归热响应（R
thJA
)
0.2
I
D
(A)
0.1
1ms
0.1
0.05
P
DM
1
t
单脉冲
10ms
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
0.02
T
c
=25 C
单脉冲
0.1
1
10
o
100ms
1s
100
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
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4 6
SSM2302N
12
f=1.0MHz
1000
10
I
D
=3.6A
V
DS
=4.5V
V
GS
，门源电压（ V）
8
6
C（ pF）的
西塞
100
科斯
4
CRSS
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100.0
1.6
1.4
1.2
10.0
V
GS （ TH）
(V)
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
1
I
F
(A)
0.8
1.0
0.6
0.4
0.1
0.1
0.5
0.9
1.3
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压与
结温
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5 6
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