a
特点
单或双电源供电
优秀的声音特性
低噪音： 7内华达州/
√
Hz
低总谐波失真： 0.0006 ％
轨到轨输出
高输出电流： 50毫安
低电源电流1.7毫安/放大器
宽带宽： 8 MHz的
高压摆率： 12 V / S
无相位反转
单位增益稳定
稳定的参数随温度
应用
多媒体音响
专业音响系统
高性能消费类音频
麦克风前置放大器
MIDI乐器
概述
OUT A 1
-IN一
+ IN A
V–
2
3
4
轨到轨输出
音频放大器
SSM2275/SSM2475*
销刀豆网络gurations
8引脚窄体SOIC
(SO-8)
8 V+
14引脚窄体SOIC
(R-14)
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
V+ 4
+ IN B 5
-IN B 6
OUT B
7
14输出D
13 -IN
12 + D中
SSM2275
（不按比例）
7
6
5
OUT B
-IN B
+ IN B
SSM2475
（不按比例）
11 V–
10 + IN C
9
8
-IN
输出C
8引脚MicroSOIC
(RM-8)
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
1
8
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
OUT A
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
14引脚TSSOP
(RU-14)
1
14
输出D
-IN
+ D中
V–
+ IN C
-IN
输出C
SSM2275
4
5
SSM2475
7
8
该SSM2275和SSM2475采用巴特勒放大器前端
最后，它结合了双极和场效应晶体管报价
双极型晶体管的精度和低噪声性能
和压摆率和FET的音质。本产品
系列包括双核和四轨到轨输出音频amplifi-
即达到降低生产成本比行业商标
准OP275 （第一巴特勒放大器提供的模拟
设备） 。这种成本较低的放大器还提供操作从
5 V单电源，除了常规的
±
15 V电源。
交流性能满足最苛刻的非盟的需求
DIO的应用程序，以8 MHz带宽， 12 V / μs压摆率和
极低的失真。
该SSM2275和SSM2475是理想的高应用
高性能音频放大器，录音设备， synthesiz-
器， MIDI乐器和电脑声卡。其中，磁带式
caded阶段要求低噪声和可预测的性能，
SSM2275和SSM2475是一个符合成本效益的解决方案。两者都是
稳定驱动容性负载时也是如此。
能力摆轨到轨输出（见应用节
化）和运营从低电源电压使设计人员能够AT-
泰恩高品质的音频性能，即使在单电源系统中。
该SSM2275和SSM2475是在扩展
工业级（-40 ° C至+ 85° C）温度范围。该SSM2275是
8引脚塑料DIP封装， SOIC封装，以及microSOIC surface-可用
安装包。该SSM2475是窄体可用
SOIC封装和超薄紧缩小型封装（ TSSOP ），表面贴装
包。
*受保护
由美国专利号5101126 。
8引脚塑料DIP
(N-8)
OUT A
-IN一
+ IN A
V–
1
2
3
4
（不
秤）
8
7
6
5
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
SSM2275
REV 。一
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传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1999
SSM2275/SSM2475–SPECIFICATIONS
电气特性
(V =
S
15 V ，T
A
=
条件
25 C，V
CM
= 0V ，除非另有说明）
民
典型值
1
1
250
300
5
15
–14
80
80
100
80
14
14.5
100
100
240
120
14.5
14.7
–14
–14.6
–14.3
±
50
±
40
110
105
1.7
1.75
0.0006
12
8
128
8
<1
最大
4
6
400
500
75
125
+14
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
V
dB
V / MV
V / MV
V / MV
V
V
V
V
V
mA
mA
dB
dB
mA
mA
%
V / μs的
兆赫
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
参数
输入特性
失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
符号
V
OS
I
B
I
OS
V
IN
CMRR
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
S
=
±
15 V
–12.5 V
≤
V
CM
≤
+12.5 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
–12.5 V
≤
V
CM
≤
+12.5 V
R
L
= 2 kΩ的， -12 V
≤
V
O
≤
+12 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
I
L
≤
20毫安
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
I
L
= 20毫安
I
L
= 10毫安
I
L
= 10毫安， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
±
2.5 V
≤
V
S
≤ ±18
V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
O
= 0 V
–40°C
≤
T
A
≤
+85°C
R
L
= 10 kΩ的， F = 1千赫，V
O
= 1 V均方根
R
L
= 2 kΩ的50 pF的
R
L
= 2 kΩ的， F = 1千赫
F > 1千赫
F > 1千赫
A
VO
输出特性
输出电压，高
输出电压，低
V
OH
V
OL
I
SC
输出短路电流限制
电源
电源抑制比
电源电流/放大器
动态性能
总谐波失真
压摆率
增益带宽积
声道分离
噪声性能
电压噪声谱密度
电流噪声频谱密度
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
±
25
±
17
85
80
–13.5
–14.4
–13.9
±
75
±
80
PSRR
I
SY
2.9
3.0
THD
SR
GBW
CS
e
n
i
n
9
–2–
REV 。一
SSM2275/SSM2475
电源电压（V
S
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
18 V
输入电压（V
IN
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
15 V
差分输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
15 V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65 ℃150 ℃的
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 ° C至85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65 ℃150 ℃的
铅温度范围（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
ESD敏感性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2000 V
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致博 -
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
对于供应不足
±
15V，输入电压和差分输入电压
必须小于
±15
V.
绝对最大额定值
1
套餐类型
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚MicroSOIC
14引脚SOIC
14引脚TSSOP
JA
*
JC
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
103
158
206
120
180
43
43
43
36
35
*θ
JA
在插座DIP指定为最坏的情况下，即对设备
封装和焊接到电路基板的表面安装封装。
订购指南
模型
SSM2275P
SSM2275S
SSM2275RM
SSM2475S
SSM2475RU
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚MicroSOIC
14引脚SOIC
14引脚TSSOP
包
选项
N-8
SO-8
RM-8
R-14
RU-14
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然SSM2275 / SSM2475具有专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的
ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
100
V
S
= 2.5V
R
L
= 2k
C
L
= 10pF的
225
100
80
60
第一阶段 - 度
增益 - 分贝
V
S
= 2.5V
R
L
= 600
C
L
= 10pF的
225
180
135
第一阶段 - 度
80
60
增益 - 分贝
40
180
135
90
40
20
0
90
45
0
20
0
–20
–40
10
45
0
–45
–90
10M 40M
–20
–40
10
–45
–90
10M 40M
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
图1.相位/增益与频率的关系
图2.相位/增益与频率的关系
–4–
REV 。一
QQ：2880707522 复制
