【数据表特点在100 Hz的低电压噪声， 1纳伏/ √Hz的最大高增益带宽： 190 MHz的典型增益】,IC型号SSM2220PZ,SSM2220PZ PDF资料,SSM2220PZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

在100 Hz的低电压噪声， 1纳伏/ √Hz的最大

高增益带宽： 190 MHz的典型

增益我

= 1毫安， 165的典型

紧张的增益匹配： 3 ％最大

出色的对数一致性，R

= 0.3 Ω典型

低失调电压： 200 μV最大

音频双匹配PNP晶体管

SSM2220

引脚连接图

SSM2220

顶视图

（不按比例）

1 1

1 2

1 3

03096-001

应用

麦克风前置放大器连接器

磁带磁头前置放大器

电流源和镜子

低噪声精密仪表

压控放大器/乘法器

笔记

1. NC =无连接。该引脚为

没有内部连接。

图1 。

概述

该

SSM2220

是一款双通道，低噪声，匹配PNP晶体管，

已被优化用于音频应用。

的超低输入电压噪声

SSM2220

通常只

0.7纳伏/ √Hz的20赫兹的整个音频带宽为20kHz。

低噪声，高带宽（ 190兆赫），以及偏移电压

（ 200 μV最大值）使

SSM2220

需求的理想选择

荷兰国际集团，低噪声前置放大器的应用。

该

SSM2220

还提供了出色的电流增益匹配

(Δh

）至约0.5 ％，这有利于减少高次扩增

费里的谐波失真。此外，为了确保长期的

匹配参数的稳定性，内部保护二极管

横跨基极至发射极结被用来夹紧任何反向

基地发射结的潜力。这防止了基极到发射极

击穿状态，从而导致增益的劣化和

匹配性能，因为过高的故障电流。

的另一个特点

SSM2220

是其非常低的体积电阻

0.3 Ω典型，它可以确保精确的对数一致性。

该

SSM2220

提供8引脚塑料双列直插式封装（PDIP ）和

8引脚标准小型封装（ SOIC ），其性能和

特性都保证在扩展工业temper-

ATURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。

版本C

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SSM2220

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

引脚连接图............................................... ................. 1

概述................................................ ......................... 1

规格................................................. .................................... 3

电气特性................................................ ............. 3

绝对最大额定值............................................... ............. 4

热阻................................................ ...................... 4

ESD注意事项................................................ .................................. 4

数据表

典型性能特征.............................................. 5

应用信息................................................ ................. 8

超低噪声放大器.............................................. ............ 8

低噪声麦克风前置放大器......................................... 9

噪声测量................................................ ................... 10

电流源................................................ .......................... 10

外形尺寸................................................ ....................... 12

订购指南................................................ .......................... 12

修订历史

4月13日 - 修订版。 B到C版

更新格式................................................ ..................通用

更改功能部分和图1 ..................................... 1

更改为尾注2和尾4 ，表1 ............................... 3

改变的击穿电压参数，表2

到击穿电压（集电极到发射极），表2 ................ 3

更改表3 .............................................. .............................. 4

变化图8标题，图9标题，

图12 ............................................... ...................................... 6

变化图15 .............................................. ........................... 7

更改超低噪声放大器部分，如图16和

图17标题............................................... .............................. 8

变化图18 .............................................. ........................... 9

图19的变化和噪声测量部分............ 10

更改电流源和电流

匹配段................................................ .......................... 11

更新的外形尺寸............................................... ........ 12

更改订购指南.............................................. ............ 12

11月3日 - 修订版。 A到版本B

更改订购指南.............................................. ............... 1

更新的外形尺寸............................................... ........... 9

版本C | 12页2

数据表

特定网络阳离子

= 25 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

电流增益

符号

民

电流增益匹配

噪声电压密度

Δh

典型值

165

150

120

0.5

0.8

0.7

0.3

0.026

最大

单位

SSM2220

200

400

0.75

0.1

纳伏/赫兹÷

μV

失调电压

偏移电压随集电极电压

偏移电压随集电极电流

失调电流

集电极基极漏电流

体积电阻

集电极饱和电压

ΔV

/ΔV

ΔV

/ΔI

CBO

CE （ SAT ）

测试条件/评论

= 0 V至36 V

= 1毫安

= 100 μA

= 10 μA

= 100 μA ，V

= 0 V

= 1毫安， V

= 0 V

= 10赫兹

= 100赫兹

= 1千赫

= 10千赫

= 0 V，I

= 100 μA

= 100 μA ，V

CB1

= 0 V, V

CB2

= 36 V

= 0 V，I

= 10 μA ，我

= 1毫安

= 100 μA ，V

= 0 V

= 36 V = V

最大

= 0 V ， 10 μA ≤我

= 1毫安

= 1毫安，我

= 100 μA

电流增益集电极到基极电压测量（V

）横扫从0 V到V

最大

在指定的集电极电流。标准被定在V测

= 0 V.

电流增益匹配（

Δh

）被定义如下：

Δh

100(

)(

)

民

样品测试。噪声测试和指定为等效输入电压的每个晶体管。

偏置电压被定义如下：

BE1

–

BE2

哪里

的差分电压为

电气特性

-40 ° C≤牛逼

= + 85 ℃，除非另有说明。

表2中。

参数

电流增益

符号

民

失调电压

失调电压漂移

失调电流

击穿电压（集电极到发射极）

典型值

125

105

0.3

最大

单位

TCV

首席执行官

265

1.0

200

μV

μV/°C

测试条件/评论

= 0 V至36 V

= 1毫安

= 100 μA

= 10 μA

= 100 μA ，V

= 0 V

= 100 μA ，V

= 0 V

= 100 μA ，V

= 0 V

用V保证

测试（ TCV

= V

对于V

<< V

），其中T = 298K对于T

= 25°C.

版本C |第12页3

SSM2220

绝对最大额定值

表3中。

参数

的击穿电压

集电极基极电压（ BV

CBO

)

集电极到发射极电压（ BV

首席执行官

)

集电极集电极电压（ BV

)

发射极发射极电压（ BV

)

当前

收集器（我

)

发射器（我

)

温度范围

操作

存储

连接点

引线温度（焊接， 60秒）

等级

36 V

20毫安

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

+300°C

数据表

热阻

表4 。

套餐类型

8引脚PDIP

8引脚SOIC

JA1

103

158

单位

° C / W

被指定为最坏情况下的安装条件;即， θ

被指定为一个

设备在一个插座用于PDIP封装，并焊接到印刷设备

电路板SOIC封装。

ESD警告

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

版本C |第12页4

数据表

典型性能特性

= 5V

= 1毫安

= 25°C

250

SSM2220

200

= 25°C

= 0V

F = 1kHz时

40nV

–40nV

总噪声（NV赫兹）

150

= 100kΩ

100

03096-002

20mV

垂直= 40nV / DIV

水平= 1秒/格

= 10kΩ

100

= 1kΩ

03096-005

03096-007

1000

集电极电流（ μA ）

图2.低频噪声

= 1kΩ

噪声系数（dB ）

图5.总噪声与集电极电流

= 5V

F = 1kHz时

= 25°C

= 0V

噪声电压密度（NV赫兹）

= 100kΩ

= 10kΩ

0.001

10Hz

100Hz

03096-003

0.01

0.1

集电极电流（毫安）

图3.噪声系数与集电极电流

0.5

0.4

0.3

图6.噪声电压密度与集电极电流

= 25°C

= 0V

= 25°C

= 0V

噪声电压密度（NV赫兹）

记录错误（MV ）

100

0.2

0.1

–0.1

–0.2

–0.3

–0.4

03096-004

= 10A

= 100A

= 1毫安

–0.5

–8

–7

–6

–5

–4

–3

0.1

100

频率（Hz）

10k

100k

集电极电流（ A）

图4.发射器基日志整合

图7.噪声电压密度与频率的关系

版本C |第12页5

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