音频，双匹配
NPN晶体管
SSM2212
特点
极低的电压噪声： 1内华达州/ √Hz的最大@ 100赫兹
出色的电流增益匹配： 0.5 ％
低失调电压（V
OS
） ： 200 μV最大
出色的失调电压漂移： 0.03 μV/°C
高增益带宽积： 200兆赫
引脚配置
C
1 1
B
1 2
E
1 3
网卡
4
8
7
6
C
2
B
2
E
2
09043-001
SSM2212
5
网卡
NIC =无内部连接
图1. 8引脚SOIC_N
概述
该SSM2212是一款双通道， NPN匹配晶体管对是
专为满足超低噪声的要求
音响系统。
凭借其极低的输入基地扩展电阻（ RBB '是
通常28 Ω ）和高电流增益（H
FE
一般超过600
在我
C
= 1毫安）， SSM2212可实现出色的信号对
信噪比。高电流增益效果优于中
性能比集成商业系统
可单片放大器。
电流增益的良好的匹配（△H
FE
）至约0.5％ ，并
低V
OS
小于10μV的典型化妆的SSM2212理想
对称平衡的设计，从而降低高次
放大器的谐波失真。
匹配参数的稳定性是通过保护保证
二极管两端的基极 - 发射极结。这些二极管防止
由于反向β和匹配特性下降
偏置的基极 - 发射极结的。
该SSM2212也是准确和可靠的理想选择
电流偏置和镜像电路。另外，因为一
电流镜的精度成倍降低与不匹配
V的
BE
晶体管对之间，所述低V
OS
该SSM2212的
不需要偏移修整在多数电路应用。
该SSM2212的性能和特点都保证
在-40 ° C至+ 85°C扩展级温度范围。
启示录
B
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2010
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SSM2212
目录
特点................................................. ............................................. 1
引脚配置................................................ ............................. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 4
热阻................................................ ....................... 4
ESD注意事项................................................ ................................... 4
典型性能特征.............................................. 5
应用信息................................................ ................. 8
快速的对数放大器............................................... ........... 8
外形尺寸................................................ .......................... 9
订购指南................................................ ............................. 9
修订历史
7月10日 - 修订版。 A到版本B
图1 ..............................................变化............................ 1
6月10日 - 修订版。 0到版本A
更改为快速对数放大器部分.......................... 8
6月10日 - 修订版0 ：初始版
版本B |第12页2
SSM2212
典型性能特性
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 5V ，除非另有规定。
CH1 4.92V P-P
900
800
700
电流增益（H
FE
)
T
A
= +125°C
600
500
400
T
A
= +25°C
1
T
A
= –55°C
300
200
09043-002
CH1 2.00V
M4.00s
A CH1信
15.8V
0.01
0.1
1
集电极电流（毫安）
图2.低频噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ） ，我
C
= 1毫安，增益=千万
1k
图5.电流增益与集电极电流（V
CB
= 0 V)
900
800
噪声电压密度（NV / HZ）
1mA
100
700
电流增益（H
FE
)
I
C
= 1μA测试
600
500
400
300
1A
200
100
10
I
C
= 10μA测试
1
I
C
= 1毫安测试
09043-003
1
10
100
频率（Hz）
1k
10k
100k
–50
0
50
100
150
温度（℃）
图3.噪声电压密度与频率的关系
100
图6.电流增益与温度的关系（不包括我
CBO
)
0.70
0.65
80
总噪声（NV / HZ）
基极发射极电压V
BE
(V)
0.60
0.55
V
CE
= 5V
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.001
60
R
S
= 100k
40
20
R
S
= 10k
R
S
= 1k
09043-004
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图4.总噪声与集电极电流， F = 1千赫
图7.基极发射极电压与集电极电流
版本B |第12页5
09043-008
0
0.001
09043-006
0.1
0.1
0
–100
09043-005
100
0.001
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