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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第929页 > SSM2211S-REEL7
a
特点
1.5瓦特输出
1
差分( BTL
2
)输出
单电源供电: 2.7 V至5.5 V
功能低至1.75 V
宽带宽: 4兆赫
高度稳定,相位裕度: > 80度
低失真: 0.2 % THD @ 1 W输出
出色的电源抑制
应用
手提电脑
个人无线通讯器
免提电话
免提
对讲机
玩具乐器和口语游戏
概述
IN =
IN +
低失真1.5瓦
音频功率放大器
SSM2211*
功能框图
V+
V
OUT
A
V
OUT
B
绕行
关闭
BIAS
V - ( GND )
该SSM2211是一款高性能音频放大器,可提供1
低失真音频功率的瓦RMS成桥接的8
扬声器负载, (或者1.5瓦RMS成4
负载)。它运行在一个很宽
温度范围,指定的单电源电压
2.7 V和5.5 V.当使用电池供电,它会继续
向下运行至1.75 V.这使得SSM2211的最佳选择
对于不受监管的应用,如玩具和游戏。拥有一个
4 MHz的带宽,低于0.2 %的THD @ 1 W失真,并且
已获专利的热海岸线引线框架,性能优越,是DE-
胆小在较高功率或较低的COM扬声器负载阻抗
petitive单位。先进的包装机械的SSM2211的
给出下芯片的温度,从而确保高度可靠的操作
并加强无故障使用寿命。
低差分直流输出电压导致的损失可以忽略不计
在扬声器线圈,使高价值的隔直流电容器
器不必要的。电池寿命是使用关机延长
模式,从而降低静态电流通常为100 nA的。
该SSM2211设计在-20 ° C至至+ 85°C
温度范围。参见图49的信息,该热
海岸线引线框架。该SSM2211是提供一个SO- 8河畔
面对贴装封装。 DIP可提供样品;你应该要求
一个特殊的报价上批量生产。评估板
可根据您的本地模拟设备销售办事处请求。
应用包括个人便携式计算机,免提
电话和收发器,发声玩具,对讲系统和
其他低电压音频系统,要求1 W的输出功率。
*受保护
由美国专利号5519576
1
1.5 W @ 4
,
+ 25 °C的环境, < 1 % THD ,5V电源, 4层PCB板。
2
桥接负载
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德。 MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司,1997
SSM2211–SPECIFICATIONS
电气特性
(V =
S
5.0 V ,T
A
=
25 C,R
L
= 8
, C
B
= 0.1 F,V
CM
= V
D
/ 2,除非另有说明)
典型值
4
0.1
3.0
1.3
66
9.5
100
4
86
最大
50
单位
mV
V
V
dB
mA
nA
兆赫
%
%
nV√Hz
参数
一般特性
差分输出失调电压
输出阻抗
关断控制
输入电压高
输入电压低
电源
电源抑制比
电源电流
电源电流,关断模式
动态性能
增益带宽
相位裕度
音频性能
总谐波失真
总谐波失真
电压噪声密度
符号
V
OOS
Z
OUT
V
IH
V
IL
PSRR
I
SY
I
SD
英镑
0
THD + N
THD + N
e
n
S
条件
A
VD
= 2
I
SY
= < 100
A
I
SY
- 正常
V
S
= 4.75 V至5.25 V
V
O1
= V
O2
= 2.5 V
引脚1 = V
DD
见图29
P = 0.5瓦到8
,
F = 1千赫
P = 1.0 W功率8
,
F = 1千赫
F = 1千赫
0.15
0.2
85
电气特性
(V =
参数
一般特性
差分输出失调电压
输出阻抗
关断输入
输入电压高
输入电压低
电源
电源电流
电源电流,关断模式
音频性能
总谐波失真
符号
V
OOS
Z
OUT
V
IH
V
IL
I
SY
I
SD
THD + N
S
3.3 V ,T
A
=
25 C,R
L
= 8
, C
B
= 0.1 F,V
CM
= V
D
/ 2,除非另有说明)
典型值
5
0.1
1.7
1
最大
50
单位
mV
V
V
mA
nA
%
条件
A
VD
= 2
I
SY
= < 100
A
V
O1
= V
O2
= 1.65 V
引脚1 = V
DD
见图29
P = 0.35 W功率8
,
F = 1千赫
5.2
100
0.1
电气特性
(V =
参数
一般特性
差分输出失调电压
输出阻抗
关断控制
输入电压高
输入电压低
电源
电源电流
电源电流,关断模式
音频性能
总谐波失真
规格若有变更,恕不诺蒂奇
2.7 V ,T
A
=
25 C,R
L
= 8
, C
B
= 0.1 F,V
CM
= V
S
/ 2,除非另有说明)
典型值
5
0.1
1.5
0.8
4.2
100
0.1
最大
50
单位
mV
V
V
mA
nA
%
符号
V
OOS
Z
OUT
V
IH
V
IL
I
SY
I
SD
THD + N
条件
A
VD
= 2
I
SY
= < 100
A
I
SY
- 正常
V
O1
= V
O2
= 1.35 V
引脚1 = V
DD
见图29
P = 0.25 W的8成
,
F = 1千赫
–2–
第0版
SSM2211
绝对最大额定值
1,2
订购指南
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +6 V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
共模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
ESD敏感性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2000 V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65 ° C至+ 150°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65 ° C到+ 165℃
铅温度范围(焊接, 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
笔记
1
绝对最大额定值适用于+ 25 ° C,除非另有说明。
2
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
模型
SSM2211S
SSM2211S-reel
SSM2211S-reel7
SSM2211P
*
温度
范围
-20 ° C至+ 85°C
-20 ° C至+ 85°C
-20 ° C至+ 85°C
-20 ° C至+ 85°C
描述
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚PDIP
选项
SO-8
SO-8
SO-8
N-8
*
只有特殊的顺序。
销刀豆网络gurations
8引脚SOIC
(SO-8)
关机1
套餐类型
8引脚SOIC ( S)
8引脚PDIP ( P)
2
JA
1
8 V
OUT
B
JC
单位
° C / W
° C / W
BYPASS 2
98
103
43
43
7 –V
顶视图
+ IN 3 (不按比例) 6 + V
-IN 4
5 V
OUT
A
笔记
1
对于SOIC封装,
θ
JA
测量焊接到一个4层的器件
印刷电路板。
2
只有特殊的顺序。
8引脚塑料DIP
(N-8)
关机1
BYPASS 2
8 V
OUT
B
7 –V
顶视图
+ IN 3 (不按比例) 6 + V
-IN 4
5 V
OUT
A
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
该SSM2211具有专用ESD保护电路,永久性损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
10
THD + N - %
THD + N - %
THD + N - %
1
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 500mW的
10
C
B
= 0
10
C
B
= 0.1 F
C
B
= 0
1
C
B
= 1 F
C
B
= 0.1 F
1
C
B
= 1 F
C
B
= 0.1 F
C
B
= 1 F
0.1
0.1
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 10 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 500mW的
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.1
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 20 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 500mW的
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.01
20
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.01
20
0.01
20
图1. THD + N与频率的关系
图2. THD + N与频率的关系
图3. THD + N与频率的关系
第0版
–3–
SSM2211 -典型性能特征
10
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 1W
10
C
B
= 0
10
C
B
= 0.1 F
THD + N - %
THD + N - %
C
B
= 0
1
1
THD + N - %
C
B
= 0.1 F
1
C
B
= 1 F
C
B
= 0.1 F
C
B
= 1 F
0.1
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 10 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 1W
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.1 C
B
= 1 F
0.1
0.01
20
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.01
20
0.01
20
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 20 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 1W
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
图4. THD + N与频率的关系
图5
.
THD + N与频率的关系
图6. THD + N与频率的关系
10
THD + N - %
THD + N - %
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 20Hz的
1 C
B
= 0.1 F
10
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 1kHz时
1 C
B
= 0.1 F
THD + N - %
0.1
P
产量
– W
1
2
10
T
A
= 25 C
V
DD
= 5V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 20kHz的
1 C
B
= 0.1 F
0.1
0.1
0.1
0.01
20n
0.1
P
产量
– W
1
2
0.01
20n
0.01
20n
0.1
P
产量
– W
1
2
图7. THD + N与P
产量
图8. THD + N与P
产量
图9. THD + N与P
产量
10
10
THD + N - %
THD + N - %
1
T
A
= 25 C
V
DD
= 3.3V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 350mW的
10
C
B
= 0
C
B
= 0
1
C
B
= 0.1 F
C
B
= 0.1 F
1
THD + N - %
C
B
= 1 F
C
B
= 0.1 F
0.1
C
B
= 1 F
0.1
C
B
= 1 F
T
A
= 25 C
V
DD
= 3.3V
A
VD
= 10 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 350mW的
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.1
0.01
20
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.01
20
100
0.01
20
T
A
= 25 C
V
DD
= 3.3V
A
VD
= 20 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 350mW的
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
图10. THD + N与频率的关系
图11. THD + N与频率的关系
图12. THD + N与频率的关系
–4–
第0版
SSM2211
10
T
A
= 25 C
V
DD
= 3.3V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 20Hz的
1 C
B
= 0.1 F
10
T
A
= 25 C
V
DD
= 3.3V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 1kHz时
1 C
B
= 0.1 F
10
T
A
= 25 C
V
DD
= 3.3V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 20kHz的
1 C
B
= 0.1 F
THD + N - %
THD + N - %
0.1
0.1
THD + N - %
1
2
0.1
0.01
20n
0.1
P
产量
– W
1
2
0.01
20n
0.1
P
产量
– W
0.01
20n
0.1
P
产量
– W
1
2
图13. THD + N与P
产量
图14. THD + N与P
产量
图15. THD + N与频率的关系
10
1
T
A
= 25 C
V
DD
= 2.7V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 250mW的
10
C
B
= 0
10
C
B
= 0.1 F
C
B
= 0
THD + N - %
C
B
= 0.1 F
0.1
C
B
= 1 F
THD + N - %
THD + N - %
1
C
B
= 0.1 F
1
0.1
C
B
= 1 F
T
A
= 25 C
V
DD
= 2.7V
A
VD
= 10 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 250mW的
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
C
B
= 1 F
0.1
T
A
= 25 C
V
DD
= 2.7V
A
VD
= 20 ( BTL )
R
L
= 8
P
L
= 250mW的
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.01
20
100
1k
频率 - 赫兹
10k 20k
0.01
20
0.01
20
图16. THD + N与频率的关系
图17. THD + N与频率的关系
图18. THD + N与频率的关系
10
T
A
= 25 C
V
DD
= 2.7V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 20Hz的
THD + N - %
10
1
T
A
= 25 C
V
DD
= 2.7V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 1kHz时
THD + N - %
10
T
A
= 25 C
V
DD
= 2.7V
A
VD
= 2 ( BTL )
R
L
= 8
频率= 20kHz的
THD + N - %
1
1
0.1
0.1
0.1
0.01
20n
0.1
P
产量
– W
1
2
0.01
20n
0.1
P
产量
– W
1
2
0.01
20n
0.1
P
产量
– W
1
2
图19. THD + N与P
产量
图20. THD + N与P
产量
图21. THD + N与P
产量
第0版
–5–
低失真, 1.5瓦音频
功率放大器
SSM2211
特点
1.5瓦的输出
1
差分( BTL
2
)输出
单电源供电: 2.7 V至5.5 V
功能低至1.75 V
宽带宽: 4兆赫
高稳定相位裕度: >80度
低失真: 0.2 % THD + N @ 1 W输出
出色的电源抑制
功能框图
IN-
IN +
V
OUT
A
V
OUT
B
绕行
应用
手提电脑
个人无线通讯器
免提电话
手机音箱
对讲机
音乐玩具和会说话的游戏
关闭
BIAS
00358-001
SSM2211
N-( GND)的
图1 。
概述
该SSM2211
3
是一款高性能音频放大器,
提供1 W低失真音频功率的均方根值成大桥
连接8 Ω扬声器负载(或1.5瓦RMS为4Ω负载) 。
它工作在很宽的温度范围内和被指定为
2.7 V和5.5 V时能操作的单电源电压
从电池阿婷,它继续向下运行至1.75 V.
这使得SSM2211于不规则的最佳选择
的应用,如玩具和游戏。设有4兆赫
带宽和失真低于0.2 %的THD
+
@ 1 W ,
卓越的性能被输送以更高的功率或低
扬声器负载阻抗比同类单位。
低差分直流输出电压的结果可以忽略不计
在扬声器线圈损耗,使高价值的隔直流
电容器是不必要的。电池寿命是通过使用扩展
关断模式下,这通常会降低静态电流
漏到100 nA的。
SSM2211的设计工作在-40° C至至+ 85°C
温度范围。该SSM2211是8引脚SOIC两种封装
(窄体)和LFCSP (引脚架构芯片级) surface-
安装包。先进的包装机械的
LFCSP模式保证了更低的芯片温度,增强
相对于标准的封装选项的性能。
应用包括个人便携式计算机,免提
电话和收发器,发声玩具,对讲系统,以及
其他低电压音频系统,要求1 W的输出功率。
1
2
在r
L
= 4 Ω, T
A
= 25 ° C, THD + N < 1 % ,V
S
= 5 V , 4层PCB 。
桥接负载。
3
由美国专利号5519576保护。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
SSM2211
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
电气特性................................................ ................. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述........................... 6
典型性能特征............................................. 7
产品概述................................................ ........................... 14
热性能- LFCSP .............................................. .. 14
典型应用................................................ ....................... 15
桥输出与单端输出配置... 15
扬声器的效率和响度............................................. 15
功耗................................................ ....................... 16
输出电压余量............................................... ......... 17
自动关机检测电流..................................... 17
关断电路设计实例......................................... 18
启动爆音............................................. ................ 18
SSM2211放大器设计实例.................................. 18
单端应用.............................................. .......... 19
驱动两个扬声器单端形式..................................... 19
评估板................................................ ........................ 20
LFCSP印刷电路板布局考虑.......... 20
外形尺寸................................................ ....................... 21
订购指南................................................ .......................... 21
修订历史
11月6日 - 修订版。 C到Rev. D的
更新格式................................................ ..................通用
更改概述.............................................. ...... 1
更改电气特性............................................ 3
更改绝对最大额定值....................................... 5
添加表6 ............................................... ..................................... 6
图32 ..............................................变化........................ 11
更改产品概述部分................................. 14
改变输出电压余量部分................... 17
更改启动爆音科........................ 18
更改评估板科................................... 20
更新的外形尺寸............................................... ........ 21
更改订购指南.............................................. ............ 21
10/04 -数据表,从版本B更改为C版
更新格式................................................ ..................通用
更改概述.............................................. ...... 1
更改表5 .............................................. .............................. 4
删除的热性能-SOIC第........................... 8
图31 ..............................................变化........................ 10
图40 ..............................................变化........................ 12
切换到热性能- LFCSP科................. 13
删除的图52 ,连续重编图.................. 14
删除的印刷电路板布局- SOIC第............. 14
更改输出电压余量部分......................... 16
更改初创爆音科.............................. 17
更改订购指南.............................................. ............ 20
10月2日,数据手册,从版本A更改为版本B
删除的8引脚PDIP .............................................通用............
更新的外形尺寸............................................... ........ 15
5月2日,数据表,从第0更改为版本A
编辑概述.............................................. ............. 1
编辑封装类型.............................................. ......................... 3
编辑订购指南.............................................. ..................... 3
编辑产品概述.............................................. ................. 8
编辑印刷电路板布局考虑............. 13
增加了部分印刷电路板布局
注意事项- LFCSP ............................................... ................. 14
修订版D |页24 2
SSM2211
电气特性
V
S
= 5.0 V ,T
A
= 25 ° C,R
L
= 8 Ω, C
B
= 0.1 μF ,V
CM
= V
D
/ 2,除非另有说明。
表1中。
参数
一般特性
差分输出失调电压
输出阻抗
关断控制
输入电压高
输入电压低
电源
电源抑制比
电源电流
电源电流,关断模式
动态性能
增益带宽
相位裕度
音频性能
总谐波失真
总谐波失真
电压噪声密度
符号
V
OOS
Z
OUT
V
IH
V
IL
PSRR
I
SY
I
SD
英镑
Φ
M
THD + N
THD + N
e
n
P = 0.5瓦到8
Ω,
F = 1千赫
P = 1.0 W功率8
Ω,
F = 1千赫
F = 1千赫
条件
A
VD
= 2 , -40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
典型值
4
0.1
3.0
1.3
66
9.5
0.1
4
86
0.15
0.2
85
最大
50
单位
mV
Ω
V
V
dB
mA
μA
兆赫
%
%
nV√Hz
I
SY
= <百毫安
I
SY
- 正常
V
S
= 4.75 V至5.25 V
V
O1
= V
O2
= 2.5 V , -40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
引脚1 = V
DD
(见图32 ) , -40°C <牛逼
A
& LT ; + 85°C
20
1
V
S
= 3.3 V ,T
A
= 25 ° C,R
L
= 8 Ω, C
B
= 0.1 μF ,V
CM
= V
D
/ 2,除非另有说明。
表2中。
参数
一般特性
差分输出失调电压
输出阻抗
关断控制
输入电压高
输入电压低
电源
电源电流
电源电流,关断模式
音频性能
总谐波失真
符号
V
OOS
Z
OUT
V
IH
V
IL
I
SY
I
SD
THD + N
条件
A
VD
= 2 , -40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
典型值
5
0.1
1.7
1
5.2
0.1
0.1
20
1
最大
50
单位
mV
Ω
V
V
mA
μA
%
I
SY
= < 100 μA
I
SY
- 正常
V
O1
= V
O2
= 1.65 V , -40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
引脚1 = V
DD
(见图32 ) , -40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
P = 0.35 W功率8
Ω,
F = 1千赫
修订版D |第24 3
SSM2211
V
S
= 2.7 V ,T
A
= 25 ° C,R
L
= 8 Ω, C
B
= 0.1 μF ,V
CM
= V
S
/ 2,除非另有说明。
表3中。
参数
一般特性
差分输出失调电压
输出阻抗
关断控制
输入电压高
输入电压低
电源
电源电流
电源电流,关断模式
音频性能
总谐波失真
符号
V
OOS
Z
OUT
V
IH
V
IL
I
SY
I
SD
THD + N
条件
A
VD
= 2
典型值
5
0.1
1.5
0.8
4.2
0.1
0.1
20
1
最大
50
单位
mV
Ω
V
V
mA
μA
%
I
SY
= <百毫安
I
SY
- 正常
V
O1
= V
O2
= 1.35 V, -40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
引脚1 = V
DD
(见图32 ) , -40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
P = 0.25 W的8Ω , F = 1千赫
修订版D |第24 4
SSM2211
绝对最大额定值
绝对最大额定值适用于25 ° C,除非另有说明。
表4 。
参数
电源电压
输入电压
共模输入电压
ESD敏感性
存储温度范围
工作温度范围
结温范围
铅温度范围,焊接( 60秒)
等级
6V
V
DD
V
DD
2000 V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65C至+ 165℃
300°C
热阻
θ
JA
被指定为最坏的条件下,也就是说,一个设备
焊在电路板的表面贴装封装。
表5.热阻
套餐类型
8引脚LFCSP_VD ( CP-后缀)
1
8引脚SOIC_N ( S-后缀)
2
1
θ
JA
50
121
单位
° C / W
° C / W
对于LFCSP_VD ,
θ
JA
度用焊接到暴露的引线框架
印刷电路板。
2
对于SOIC_N ,
θ
JA
度用焊接到4层印刷设备
电路板。
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
修订版D |第24 5
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