【SSM0410公司Bauelemente3.5 A， 100V ，RDS （ ON）220mN沟道增】,IC型号SSM0410,SSM0410 PDF资料,SSM0410经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSM0410

公司Bauelemente

3.5 A， 100V ，R

DS （ ON）

220m

N沟道增强型功率MOSFET

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

描述

该SSM0410提供设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

采用SOT - 223封装普遍首选的所有商业，工业表面

安装的应用程序，并适用于低电压应用，如DC / DC转换器。

特点

快速开关

低导通电阻

兼容逻辑电平

SOT-223

顶视图

记号

漏

REF 。

门

来源

毫米

分钟。

马克斯。

6.20

6.70

7.30

3.30

3.70

1.42

1.90

4.50

4.70

0.60

0.82

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.10

0.25

0.35

2.30 REF 。

2.90

3.10

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

连续漏电流， V

@5V

漏电流脉冲

1,2

符号

= 25°C

= 70°C

, T

英镑

热数据

θJA

等级

100

±20

3.5

2.2

2.7

0.02

-65~150

单位

W / ℃，

°C

° C / W

总功耗

线性降额因子

工作结&存储温度范围

最大结到环境

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SSM0410

公司Bauelemente

3.5 A， 100V ，R

DS （ ON）

220m

N沟道增强型功率MOSFET

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

总栅极电荷

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

民

100

1.0

典型值

4.0

11.2

4.4

3.0

9.4

26.8

2.6

975

最大

2.5

±100

0.22

0.28

1.5

单位

μA

测试条件

= 0V时，我

=1mA

= 10V

=1mA

= 10V ，我

=2.5A

=±20V

=100V, V

=0V

= 10V ，我

=2.6A

= 5.0V ，我

=1.7A

=5V

=80V

=3.5A

=30V

=10V

=1A

=6, R

=30

=25V

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

正向电压上

注意：

=0V

f=1MHz

源极 - 漏极二极管

= 0V时，我

=3.5A

1.脉冲宽度有限的最高结温。

2.脉冲宽度

≦

300

μs,

占空比

≦

3.表面装在1 FR4电路板的铜垫;安装于民的时候120 ° C / W 。铜垫。

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DS （ ON）

220m

N沟道增强型功率MOSFET

特性曲线

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特性曲线

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

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公司现货，全新原厂原装正品！

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全新原装现货，原厂代理。

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