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先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 25
A
（最大值） @ V
DS
= 900V
低R
DS （ ON）
: 2.300
（典型值）。
SSW/I5N90A
BV
DSS
= 900 V
R
DS （ ON）
= 2.9
I
D
= 5 A
D
2
-PAK
2
I
2
-PAK
1
1
3
2
3
1.门2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25
C)
连续漏电流（T
C
=100
C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
A
=25
C)
*
总功率耗散（T
C
=25
C)
线性降额因子
T
J
, T
英镑
T
L
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
Ο
Ο
Ο
Ο
价值
900
5
3.2
1
O
2
O
1
O
1
O
3
O
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W/
C
Ο
20
+
_
30
529
5
14
1.5
3.1
140
1.12
- 55 + 150
Ο
C
300
热阻
符号
R
R
R
θ
JC
θ
JA
θ
JA
特征
结到外壳
结到环境*
结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.89
40
62.5
单位
Ο
C
/W
*
当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装） 。
版本B
1999仙童半导体公司
SSW/I5N90A
电气特性
(T
C
=25
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
Ο
N沟道
功率MOSFET
C
除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。单位
900
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
1.14
--
--
--
--
--
--
4.0
105
43
21
39
94
32
54
9.0
25.0
--
--
3.5
100
-100
25
250
2.9
--
125
50
50
90
200
75
70
--
--
nC
ns
A
V
Ο
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250A
参见图7
V
DS
=5V,I
D
=250A
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=900V
V
DS
=720V,T
C
=125
C
V
GS
=10V,I
D
=2.5A
V
DS
=50V,I
D
=2.5A
4
O
*
4
O
Ο
V/
C
I
D
=250A
V
nA
pF
1110 1440
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=450V,I
D
=5A,
R
G
=13.6
见图13
V
DS
=720V,V
GS
=10V,
I
D
=5A
参见图6 &图12
4
5
OO
4
5
OO
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
O
4
O
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
540
5.62
5
20
1.4
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25
C
,I
S
=5A,V
GS
=0V
T
J
=25
C
,I
F
=5A
di
F
/dt=100A/s
4
O
Ο
Ο
注意事项;
1
O
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
2
O
L = 40mH ，我
AS
= 5A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，起始物为
J
=25
C
_
_
_
3
O
I
SD
＆ LT ;
如图5A所示， di / dt的
＆ LT ;
120A/
S，V
DD
＆ LT ;
BV
DSS
，起始物为
J
=25
C
Ο
Ο
_
4
O
脉冲测试：脉冲宽度= 250
S，占空比
＆ LT ;
2%
5
O
基本上是独立工作温度
N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
[A]
1
10
上图：
15V
10V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
SSW/I5N90A
如图2传输特性
[A]
I
D
，漏电流
1
10
V
GS
I
D
，漏电流
0
10
0
10
150
o
C
25
o
C
10
-1
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
10
0
10
1
- 55
o
C
10
-1
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. V = 50 V
DS
3. 250
s脉冲测试
6
8
10
10
-1
2
4
V
DS
，漏源电压[V]
[A]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
1
0
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
1
1
0
8
V
GS
= 10 V
6
I
DR
，反向漏电流
4
V
GS
= 20 V
2
@ N吨：T已
J
= 2
o
C
oe
5
0
0
4
8
12
16
2
0
1
0
0
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
02
.
04
.
06
.
@Nts ：
oe
1 V
GS
= 0 V
.
美国东部
2 25
S·P升（E T） s
. 0
08
.
10
.
12
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
1600
C = C + C ( C
ds
=短路）
ISS GS GD
C
国际空间站
1200
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
V
DS
= 180 V
V
DS
= 450 V
V
DS
= 720 V
[ pF的]
10
800
V
GS
，栅源电压
电容
5
C
OSS
400
C
RSS
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. F = 1 MHz的
@注： I = 5.0
D
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
10
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
SSW/I5N90A
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
3.0
图7.击穿电压与温度的关系
1.2
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
@注意事项：
1. V = 10 V
GS
2. I = 2.5 A
D
0.9
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. I = 250
A
D
0.5
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最大。安全工作区
[A]
2
10
图10.最大。漏电流与外壳温度
6
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
s
I
D
，漏电流
1
10
I
D
，漏电流
[A]
100
s
1毫秒
4
2
3
10
0
10
10毫秒
DC
10
-1
@注意事项：
1. T = 25
o
C
C
2. T = 150
o
C
J
3.单脉冲
10
-2
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[
o
C]
图11.热响应
热响应
10
0
D=0.5
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=0.89
o
C / W
马克斯。
0.2
10
- 1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
2.占空比， D = T / T
2
1
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
Z
JC
(t) ,
P
DM
t
1
t
2
θ
10
- 2
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
N沟道
功率MOSFET
SSW/I5N90A
图12.栅极电荷测试电路波形&
*电流调节器*
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
10V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
10V
V
in
10%
V
OUT
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
90%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
2
--------------------
E
AS
= ---- L
L
I
AS
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
10V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
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