【先进的功率MOSFET特点雪崩坚固的技术坚固的门栅氧化层技术较低的输入电容改进的栅极电荷扩展安全工作】,IC型号SSH7N60A,SSH7N60A PDF资料,SSH7N60A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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先进的功率MOSFET

特点

雪崩坚固的技术

坚固的门栅氧化层技术

较低的输入电容

改进的栅极电荷

扩展安全工作区

低漏电流： 25

A（最大） @ V

DS

= 600V

低

DS （ ON）

: 0.977

（典型值）。

SSH7N60A

BV

DSS

= 600 V

R

DS （ ON）

= 1.2

I

D

= 7.3 A

TO-3P

1

2

3

1.Gate 2.排水3.源

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

特征

漏极至源极电压

连续漏电流（T

C

=25

o

C

)

连续漏电流（T

C

=100

o

C)

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（T

C

=25

o

C)

线性降额因子

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“案件从5秒

2

O

1

O

1

O

3

O

价值

600

7.3

4.6

1

O

单位

V

A

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W/

C

o

30

+ 30

_

581

7.3

16

3.0

160

1.28

- 55 + 150

o

C

300

热阻

符号

R

θ

JC

R

θ

CS

R

θ

JA

特征

结到外壳

外壳到散热器

结到环境

典型值。

--

0.24

--

马克斯。

0.78

--

40

o

单位

C / W

版本B

1999仙童半导体公司

SSH7N60A

符号

BV

DSS

BV /

T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

特征

漏源击穿电压

击穿电压温度。 COEFF 。

栅极阈值电压

门源泄漏，正向

门源漏，反

漏极至源极漏电流

静态漏源

导通状态电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

分钟。典型值。马克斯。单位

600

--

2.0

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

0.65

--

--

--

--

--

--

6.13

130

53

18

19

72

28

49

8.4

22.1

--

--

4.0

100

-100

25

250

1.2

--

150

62

45

50

155

65

65

--

--

nC

ns

A

pF

V

V

nA

N沟道

功率MOSFET

电气特性

(T

C

=25

o

C除非另有说明）

测试条件

V

GS

=0V,I

D

=250

A

参见图7

V

DS

=5V,I

D

=250

A

V

GS

=30V

V

GS

=-30V

V

DS

=600V

V

DS

=480V,T

C

=125 C

V

GS

=10V,I

D

=3.65A

V

DS

=50V,I

D

=3.65A

4

O

4

O

o

o

V / C I

D

=250

A

1150 1500

V

GS

=0V,V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

参见图5

V

DD

=300V,I

D

=7A,

R

G

=9.1

见图13

V

DS

=480V,V

GS

=10V,

I

D

=7A

参见图6 &图12

4

5

OO

4

5

OO

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

特征

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

1

O

4

O

分钟。典型值。马克斯。单位

--

--

--

--

--

--

--

--

415

3.8

7.3

30

1.4

--

--

A

V

ns

C

测试条件

积分反向PN二极管

在MOSFET

T

J

=25

o

C，我

S

=7.3A,V

GS

=0V

T

J

=25

o

C，我

F

=7A

di

F

/dt=100A/

s

4

O

注意事项;

1

O

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

2

O

L = 20mH ，我

AS

= 7.3A ，V

DD

= 50V ，R

G

=27

，起始物为

J

=25

o

C

3

＆ LT ;

_

_

O

I

SD

＆ LT ;

图7A中， di / dt的

_

120A/

S，V

DD

＆ LT ;

BV

DSS

，起始物为

J

=25

o

C

_

4

脉冲测试：脉冲宽度= 250

S，占空比

＆ LT ;

2%

O

5

O

基本上是独立工作温度

N沟道

功率MOSFET

看图1，输出特性

15V

10 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

底部： 4.5 V

SSH7N60A

如图2传输特性

[A]

I

D

，漏电流

V

GS

[A]

上图：

10

1

10

1

I

D

，漏电流

150

o

C

10

0

10

0

25

o

C

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. V = 50 V

DS

3. 250

s脉冲测试

6

8

10

10

-1

10

-1

10

0

@注意事项：

1. 250

s脉冲测试

2. T = 25

o

C

C

10

1

- 55

o

C

10

-1

2

4

V

DS

，漏源电压[V]

[A]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻与漏电流

R

DS （ ON）

, [ ]

漏源导通电阻

25

.

图4.源极 - 漏极二极管正向电压

I

DR

，反向漏电流

20

.

V

GS

= 10 V

15

.

1

1

0

10

.

V

GS

= 20 V

05

.

@ N吨：T已

J

= 25

o

C

oe

00

.

0

5

1

0

15

20

2

5

3

0

1

0

0

1 0

o

C

5

2

o

C

5

1

-1

0

04

.

06

.

08

.

@Nts ：

oe

1 V

GS

= 0 V

.

2 2 0

S·P升（E T） s

. 5

美国东部

10

.

12

.

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容与漏源电压

20

00

C

国际空间站

= C

gs

+ C ( C

ds

= S 0吨四）

HRE

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

图6.栅极电荷与栅源电压

[V]

[ pF的]

V

GS

，栅源电压

C

RSS

= C

gd

10

50

C

国际空间站

1

0

V =10V

2

DS

V

DS

= 3 0 V

0

V

DS

= 4 0 V

8

电容

10

00

5

50

0

C

OSS

C

RSS

@Nts ：

oe

1 V =0V

.

GS

2 F = 1MZ

.

H

@ N吨S：我

D

= 7 0 A

oe

.

0

0

1

0

2

0

3

0

4

0

5

0

0

0

1

0

1

10

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

SSH7N60A

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

N沟道

功率MOSFET

图8.导通电阻与温度的关系

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

3.0

图7.击穿电压与温度的关系

1.2

2.5

1.1

2.0

1.0

1.5

1.0

@注意事项：

1. V = 10 V

GS

2. I = 3.5 A

D

0.9

@注意事项：

1. V = 0 V

GS

2. I = 250

A

D

0.5

0.8

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

o

125

150

175

0.0

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

o

125

150

175

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

图9.最大。安全工作区

[A]

2

10

图10.最大。漏电流与外壳温度

8

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10

s

I

D

，漏电流

I

D

，漏电流

[A]

6

100

s

1毫秒

4

2

3

10

1

10

10毫秒

DC

0

10

@注意事项：

1. T = 25

o

C

C

2. T = 150

o

C

J

3.单脉冲

10

-1

0

10

1

10

2

10

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

c

，外壳温度[

o

C]

图11.热响应

10

0

热响应

D=0.5

0.2

10

- 1

0.1

0.05

0.02

0.01

10

- 2

10

- 5

10

- 4

10

- 3

10

- 2

单脉冲

@注意事项：

1. Z

θ

J·C

(t)=0.78

o

C / W最大。

2.占空比， D = T / T

2

1

3. T

J·M

-T

C

=P

D M

*Z

θ

J·C

(t)

Z

θ

JC

(t) ,

P

DM

t

1

t

2

10

- 1

10

0

10

1

t

1

，方波脉冲持续时间

[秒]

N沟道

功率MOSFET

图12.栅极电荷测试电路波形&

SSH7N60A

“电流调节器”

50K

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

GS

Q

g

10V

V

DS

V

GS

DUT

3mA

Q

gs

Q

gd

R

1

电流取样（我

G

)

电阻器

R

2

电流取样（我

D

)

电阻器

收费

图13.电阻开关测试电路波形&

R

L

V

OUT

V

in

R

G

DUT

10V

V

in

10%

V

OUT

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

90%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

图14.非钳位感应开关测试电路波形&

L

L

V

DS

异吨

p

获得

所需的峰值I

D

BV

DSS

1

2

--------------------

E

AS

= ---- L

L

I

AS

2

BV

DSS

-- V

DD

BV

DSS

I

AS

C

V

DD

V

DD

t

p

I

D

R

G

DUT

10V

t

p

I

D

(t)

V

DS

(t)

时间

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