固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-7855 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SSG55N60系列
55 AMP / 600伏
1.65 V饱和
超快IGBT
产品特点：
最低导通电阻在业内
密封，隔离包装
低总栅极电荷
快速开关
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
设计师的数据表
的TO- 254和TO- 254Z
的TO- 258和TO- 259
最大额定值
集电极 - 发射极击穿电压
门 - 发射极电压
马克斯。连续集电极电流
马克斯。瞬时漏电流（ TJ有限）
钳位感性负载电流
重复反向电压雪崩能量
总功耗
工作&储存温度
最大热阻
（结点到外壳）
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
TO- 258 （ N）
符号
V
CES
V
GE
@ T
C
= 25C
@ T
C
= 100C
@ T
C
= 25C
L = 10 uH容
由TJ最大限制
@ T
C
= 25C
I
D1
I
D2
I
D3
I
LM
E
ARV
P
D
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
0JC
价值
600
±20
55
27
200
200
20
195
-55到+150
0.64 （典型值0.35 ）
的TO- 259 （P）的
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
C
摄氏度/ W
3脚
销2
3脚
销2
销1
销1
销1
销2
3脚
销1
销2
3脚
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TG0005A
DOC
固态器件， INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达，钙90638
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SSG50N60系列
符号
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 27A ， TJ = 25
o
C
V
GE
= 15V ，我
C
= 55A ， TJ = 25
o
C
V
GE
= 15V ，我
C
= 27A ， TJ = 150
o
C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 0.25毫安
V
GE
= ±20V
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25
o
C
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25
o
C
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 150
o
C
V
CE
= 15V ，我
C
= 27A ，T
j
= 25
o
C
V
GE
= 15V
V
CC
= 400V
I
C
= 27A
V
GE
= 15V, V
CC
= 480V,
I
C
= 27A ，R
G
= 5.0O ，T
j
= 25
o
C
V
GE
= 15V, V
CC
= 480V,
I
C
= 27A ，R
G
= 5.0O ，T
j
= 25
o
C
V
GE
= 15V, V
CC
= 480V,
I
C
= 27A ，R
G
= 5.0O ，T
j
= 150
o
C
BV
CES
BV
ECS
VCE
（上）
V
GS （ TH）
I
GES
I
CES
g
fs
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
C
IES
C
OES
C
水库
电气特性
4/
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
民
600
18
––
––
––
3.0
––
––
––
––
15
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
TYP MAX
––
––
1.65
2.0
1.6
––
––
0.5
––
––
25
180
25
60
35
20
175
90
0.12
0.55
0.66
33
25
230
120
1.6
4000
250
55
––
––
2.0
––
––
6.0
±100
250
2
5000
––
275
40
90
––
––
260
130
––
––
0.9
––
––
260
130
––
––
––
––
单位
V
V
V
V
nA
A
A
A
姆欧
nC
集电极到发射极饱和电压
栅极阈值电压
门极 - 发射极漏
零栅极电压集电极电流
正向跨导
总的导通栅极电荷
门到发射极导通电荷
大门收藏家导通电荷
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
纳秒
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1 MHz的
注意事项：
*
脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％ 。
1 /有关订购信息，价格和可用性，请联系工厂。
2 /筛选符合MIL -PRF- 19500 。
3 /对于包装纲要工厂联系。
4 /除非另有说明，所有电气特性@ 25
o
C.
可用型号：
SSG55N60M
SSG55N60Z
SSG55N60N
SSG55N60P
引脚配置（标准）
包
漏
来源
销1
销2
的TO- 254 （M）的
销1
销2
TO- 254Z （ Z）
销1
销2
TO- 258 （ N）
销1
销2
的TO- 259 （P）的
门
3脚
3脚
3脚
3脚
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TG0005A
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SSG55N60系列
1/
设计师的数据表
零件编号/订购信息
SSG55N60 ___ ___
2/
│
└
筛选
__
=不屏蔽
│
TX = TX水平
│
TXV = TXV
│
S =个级别。
└
套餐类型
M = TO- 254
Z = TO- 254Z
N =表示TO- 258
P = TO- 259
55 AMP / 600伏
1.65 V饱和
超快IGBT
产品特点：
最低导通电阻在业内
密封，隔离包装
低总栅极电荷
快速开关
TX ， TXV ，S级屏蔽可用
符号
V
CES
V
GE
@ T
C
= 25C
@ T
C
= 100C
@ T
C
= 25C
L = 10 uH容
由TJ最大限制
@ T
C
= 25C
I
D1
I
D2
I
D3
I
LM
E
ARV
P
D
T
OP
＆放大器;牛逼
英镑
R
0JC
TO- 258 （ N）
价值
600
±20
55
27
200
200
20
195
-55到+150
0.64 （典型值0.35 ）
的TO- 259 （P）的
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
C
摄氏度/ W
最大额定值
集电极 - 发射极击穿电压
门 - 发射极电压
马克斯。连续集电极电流
马克斯。瞬时漏电流（ TJ有限）
钳位感性负载电流
重复反向电压雪崩能量
总功耗
工作&储存温度
最大热阻
（结点到外壳）
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
注意事项：
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μsec ，占空比= 2 ％ 。
1 /有关订购信息，价格和可用性 - 请联系工厂。
2 /筛选基于MIL- PRF- 19500 。筛选根据要求提供流动。
3 /除非另有规定，所有的电特性@ 25 ℃。
o
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TG0005B
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SSG55N60系列
符号
V
GE
= 0V时，我
C
= 250μA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 27A ， TJ = 25℃
o
V
GE
= 15V ，我
C
= 55A ， TJ = 25℃
o
V
GE
= 15V ，我
C
= 27A ， TJ = 150℃
V
CE
= V
GE
, I
C
= 0.25毫安
V
GE
= ±20V
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25 C
o
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25 C
o
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 150 C
V
CE
= 15V ，我
C
= 27A ，T
j
= 25
o
C
V
GE
= 15V
V
CC
= 400V
I
C
= 27A
V
GE
= 15V, V
CC
= 480V,
o
I
C
= 27A ，R
G
= 5.0, T
j
= 25 C
V
GE
= 15V, V
CC
= 480V,
o
I
C
= 27A ，R
G
= 5.0, T
j
= 25 C
V
GE
= 15V, V
CC
= 480V,
o
I
C
= 27A ，R
G
= 5.0, T
j
= 150 C
o
o
电气特性
3/
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极饱和电压
栅极阈值电压
门极 - 发射极漏
零栅极电压集电极电流
正向跨导
总的导通栅极电荷
门到发射极导通电荷
大门收藏家导通电荷
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
民
600
18
––
––
––
3.0
––
––
––
––
15
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
––
典型值
––
––
1.65
2.0
1.6
––
––
0.5
––
––
25
180
25
60
35
20
175
90
0.12
0.55
0.66
33
25
230
120
1.6
4000
250
55
最大
––
––
2.0
––
––
6.0
±100
250
2
5000
––
275
40
90
––
––
260
130
––
––
0.9
––
––
260
130
––
––
––
––
单位
V
V
V
V
nA
μA
μA
μA
姆欧
nC
BV
CES
BV
ECS
VCE
（上）
V
GS （ TH）
I
GES
I
CES
g
fs
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
C
IES
C
OES
C
水库
纳秒
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1 MHz的
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TG0005B
DOC
固态器件， INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达，钙90638
电话： （ 562 ） 404-4474 *传真： （ 562 ） 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SSG55N60系列
TO- 254Z （ Z）
的TO- 254 （M）的
TO- 258 （ N）
的TO- 259 （P）的
可用型号：
SSG55N60M
SSG55N60Z
SSG55N60N
SSG55N60P
包
的TO- 254 （M）的
TO- 254Z （ Z）
TO- 258 （ N）
的TO- 259 （P）的
引脚配置（标准）
漏
来源
销1
销2
销1
销2
销1
销2
销1
销2
门
3脚
3脚
3脚
3脚
注意：
所有规格如有变更，恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查，以释放之前。
数据表＃ ： TG0005B
DOC
QQ：2880707522 复制
