SSG4942N
公司Bauelemente
双N通道模式功率MOSFET
4.4 A, 40 V ,R
DS ( ON)
75 m
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽工艺
提供低R
DS ( ON)
并且,以确保最小的
功率损耗和散热。典型
应用的DC- DC转换器和功率
管理在便携式及电池供电的
产品,如计算机,打印机, PCMCIA
卡,手机和无绳电话。
SOP-8
B
L
D
M
A
C
N
J
K
特点
H
G
F
E
低R
DS ( ON)
提供更高的效率和扩展
电池寿命。
低热阻抗的铜引线框架SOP- 8
节省电路板空间。
快速开关速度。
高性能沟道技术。
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.40
0.90
0.19
0.25
1.27 TYP 。
REF 。
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.49
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
包装信息
S
D
D
D
D
包
SOP-8
MPQ
2.5K
LeaderSize
13'寸
G
S
G
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
1
符号
V
DS
V
GS
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
I
S
P
D
@
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
评级
40
±20
4.4
3.6
±50
2.3
2.1
1.3
-55 ~ 150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
连续源电流(二极管传导)
总功耗
1
工作结&存储温度范围
热电阻额定值
热阻结到环境(最大)
1
注意事项:
1.
2.
表面装在1 “×1” FR4板。
脉冲宽度有限的最高结温。
t
≦
10秒
稳定状态
R
θJA
62.5
110
C / W
C / W
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规范的任何更改将不个别通知。
14 -JAN- 2011版本B
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SSG4942N
公司Bauelemente
双N通道模式功率MOSFET
4.4 A, 40 V ,R
DS ( ON)
75 m
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
符号
V
BR ( DSS )
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
分钟。
30
1
-
-
-
20
-
-
-
-
典型值。
STATIC
-
-
-
-
-
-
-
-
40
0.7
马克斯。
-
-
±100
1
25
-
80
100
-
-
单位
乳头条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ,T
J
= 55°C
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ,我
D
= 4.4A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 3.9A
V
DS
= 15V ,我
D
= 4.4A
I
S
= 2.3A ,V
GS
= 0V
V
nA
μA
μA
A
m
S
V
漏源导通电阻
1
正向跨导
二极管的正向电压
1
动态
2
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
-
-
-
20
7.0
7.0
-
-
-
nC
I
D
= 4.4A
V
DS
= 15V
V
GS
= 5V
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项:
1.
2.
脉冲测试: PW
≦
300μS占空比
≦
2%.
通过设计保证,不受生产测试。
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
-
-
-
-
20
9
70
20
-
-
-
-
nS
V
DD
= 25V
I
D
= 1A
V
根
= 10V
R
L
= 25
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规范的任何更改将不个别通知。
14 -JAN- 2011版本B
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