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SSG4920N
公司Bauelemente
6.9 A， 30 V ，R
DS （ ON）
34 m
双N通道模式功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET采用高密度工艺
低R
DS （ ON）
保证最小的功率损耗并节省能源，使
该器件非常适用于电源管理电路使用。典型应用
是PWMDC -DC转换器，电源管理在便携式和电池 -
供电的产品，如计算机，打印机，电池充电器，
通信电源系统和电话电源系统。
SOP-8
B
L
D
M
特点
A
C
N
J
K
低R
DS （ ON）
提供更高的效率，并延长电池寿命。
小型SOP- 8表面贴装封装可节省电路板空间。
高功率和电流处理能力。
低侧大电流的DC-DC转换器的应用程序。
H
G
F
E
产品概述
V
DS
(V)
30
SSG4920N
R
DS
（上）米（
34@V
GS
=10V
41@V
GS
=4.5V
I
D
(A)
6.9
6.0
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.40
0.90
0.19
0.25
1.27 TYP 。
REF 。
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.49
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
包装信息
包
SOP-8
MPQ
2.5K
LeaderSize
13'寸
S
G
S
G
D
D
D
D
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（二极管传导）
1
总功耗
1
工作结&存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
I
S
P
D
@ T
A
= 25°C
P
D
@ T
A
= 70°C
T
J
, T
英镑
t
≦
10秒
稳定状态
热电阻额定值
评级
30
±20
±6.9
±5.6
±40
1.7
2.1
1.3
-55 ~ 150
62.5
110
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
C / W
C / W
热阻结到环境（最大）
1
笔记
1
2
表面装在1 “×1” FR4板。
R
θJA
脉冲宽度有限的最高结温。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
22 -NOV- 2010版本A
第1页4
SSG4920N
公司Bauelemente
6.9 A， 30 V ，R
DS （ ON）
34 m
双N通道模式功率MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
栅极阈值电压
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
rr
分钟。
1
-
-
-
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
STATIC
-
-
-
-
-
-
-
25
0.77
马克斯。
-
±100
1
10
-
34
41
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
nA
μA
μA
A
m
S
V
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.0A
V
DS
= 15V ，我
D
= 6.9A
I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
I
D
= 6.9A
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 15V
I
D
= 1A
V
根
= 10V
R
L
= 15
I
F
= 1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
漏源导通电阻
1
正向跨导
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源Ddrain反转
恢复时间
笔记
1
2
1
动态
2
4.0
1.1
1.4
12
10
60
15
50
nC
nS
脉冲测试： PW
≦
300
μs
占空比
≦
2%.
通过设计保证，不受生产测试。
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规范的任何更改将不个别通知。
22 -NOV- 2010版本A
第2页4
SSG4920N
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6.9 A， 30 V ，R
DS （ ON）
34 m
双N通道模式功率MOSFET
典型电气特性
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22 -NOV- 2010版本A
第3页4
SSG4920N
公司Bauelemente
6.9 A， 30 V ，R
DS （ ON）
34 m
双N通道模式功率MOSFET
典型电气特性
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22 -NOV- 2010版本A
第4页4
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