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SSG4842N

公司Bauelemente

23A ， 40V ，R

DS （ ON）

9 m

N沟道增强型功率MOSFET

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

描述

这些微型表面贴装MOSFET的

利用高密度沟槽过程中提供

低R

DS （ ON）

并且，以确保最小的功率损耗和

散热。

SOP-8

特点

低R

DS （ ON）

提供更高的效率和扩展

电池寿命。

低热阻抗的铜引线框架

SOIC - 8可节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

毫米

分钟。

马克斯。

5.80

6.20

4.80

5.00

3.80

4.00

0°

8°

0.40

0.90

0.19

0.25

1.27 TYP 。

REF 。

应用

的DC- DC转换器和电源管理

在便携式及电池供电的产品如

计算机，打印机，PCMCIA卡，蜂窝式和

无绳电话。

毫米

分钟。

马克斯。

0.35

0.49

0.375 REF 。

45°

1.35

1.75

0.10

0.25

0.25 REF 。

包装信息

包

SOP-8

MPQ

2.5K

负责人尺寸

13英寸

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

符号

= 25°

= 70°

, T

英镑

评级

2.9

3.1

2.2

-55~150

单位

连续源电流（二极管传导）

总功耗

= 25°

= 70°

工作结&存储温度范围

热阻率

热阻结到环境（最大）

≦

10秒

稳定状态

θJA

° /W

注意事项：

1.表面装在1 “×1” FR4板。

2.脉冲宽度有限的最高结温。

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

12月13日2011年修订版A

第1页2

SSG4842N

公司Bauelemente

23A ， 40V ，R

DS （ ON）

9 m

N沟道增强型功率MOSFET

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

符号

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

分钟。

典型值。

STATIC

0.7

马克斯。

100

单位

乳头条件

, I

=250A

=0, V

=20V

=24V, V

=0, T

=55°

=5V, V

=10V

= 10V ，我

=23A

= 4.5V ，我

=20A

= 15V ，我

=23A

= 2.3A ，V

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

DS （ ON）

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

=23A

=15V

=4.5V

=15V

=1A

根

=10V

注意事项：

1.脉冲测试： PW ≦ 300μS占空比≦ 2 ％。

2.设计保证，不受生产测试。

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

12月13日2011年修订版A

第2页2

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只做原装公司现货

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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HAMOS/汉姆

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8640

SOP-8

全新原装现货，原厂代理。

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绝对原装进口现货！渠道优势供应!

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100%原装正品，可长期订货

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