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SSG4825PE

公司Bauelemente

-11.5 A， 30 V ，R

DS （ ON）

13 m

P通道模式功率MOSFET

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

描述

这些微型表面贴装MOSFET的

利用高密度沟槽工艺

提供低R

DS （ ON）

并且，以确保最小的

功率损耗和散热。典型

应用的DC- DC转换器和功率

管理在便携式及电池供电的

产品，如计算机，打印机， PCMCIA

卡，手机和无绳电话。

SOP-8

特点

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命。

低热阻抗的铜引线框架

SOP- 8可节省电路板空间。

快速开关速度。

高性能沟道技术。

REF 。

包装信息

包

SOP-8

MPQ

2.5K

LeaderSize

13'寸

毫米

分钟。

马克斯。

5.80

6.20

4.80

5.00

3.80

4.00

0°

8°

0.40

0.90

0.19

0.25

1.27 TYP 。

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.35

0.49

0.375 REF 。

45°

1.35

1.75

0.10

0.25

0.25 REF 。

ESD

保护

二极管

3KV

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

总功耗

工作结&存储温度范围

热阻结案件（最大）

热阻结到环境（最大）

注意事项：

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温。

规范的任何更改将不个别通知。

符号

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

, T

英镑

≦

5秒

≦

5秒

θJC

θJA

热电阻额定值

评级

-30

单位

°C

C / W

-11.5

-9.3

-2.1

3.1

2.3

-55 ~ 150

http://www.SeCoSGmbH.com/

31日-12月2010版本B

第1页2

SSG4825PE

公司Bauelemente

-11.5 A， 30 V ，R

DS （ ON）

13 m

P通道模式功率MOSFET

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

符号

分钟。

典型值。

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

-30

-1

-50

-0.8

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

注意事项：

脉冲测试： PW

≦

300

μs

占空比

≦

2%.

通过设计保证，不受生产测试。

马克斯。

单位

乳头条件

μA

= 0V时，我

= -250μA

= V

, I

= -250μA

= 0V, V

25V

= -24V, V

= 0V

= -24V, V

= 0V ，T

= 55°C

= -5V, V

= -10V

= -10V ，我

= -11.5A

= -4.5V ，我

= -9.3A

= -15V ，我

= -11.5A

= 2.5A ，V

= 0V

±1

-1

-5

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

2300

600

300

100

= -11.5A

= -15V

= -5V

= -15V

= 0V

F = 1MHz的

= -15V

= -1A

根

= -10V

= 6

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

31日-12月2010版本B

第2页2

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SECOS

24+

21000

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真实库存信息/只做原装正品/支持实单

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SeCoS

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20500

SOP-8

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