SSG4565
公司Bauelemente
N沟道7.6A ， 40V ，R
DS （ ON）
25m
Ω
P通道6.5A ， 40V ，R
DS （ ON）
33m
Ω
增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
SOP-8
描述
0.40
0.90
0.19
0.25
该SSG4565提供设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业
工业表面贴装应用程序，并适用于低
电压应用，如DC / DC转换器。
0.35
0.49
1.27Typ.
45
6.20
5.80
0.25
o
0.375 REF
3.80
4.00
4.80
5.00
0.10~0.25
特点
*简单的驱动要求
*低导通电阻
D1
8
D1
7
D2
6
D2
5
D1
0
o
8
o
1.35
1.75
单位：毫米
*快速开关性能
日期代码
D2
4565SS
G1
G2
1
S1
2
G1
3
S2
4
G2
S1
S2
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
o
o
o
评级
N沟道
P沟道
40
±20
7.6
6
30
2
0.016
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
-40
_
+20
-6.5
-5.2
-30
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
Rthj -A
评级
62.5
o
单位
C / W
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
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SSG4565
公司Bauelemente
N沟道7.6A ， 40V ，R
DS （ ON）
25m
Ω
P通道6.5A ， 40V ，R
DS （ ON）
33m
Ω
增强模式电源Mos.FET
o
电气特性N-通道（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
o
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
o
C
)
静态漏源导通电阻
2
2
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
40
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V/
o
C
V
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25
o
C，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=40V,V
GS
=0
V
DS
=32V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
0.03
_
_
_
_
_
_
1.0
_
_
_
_
3.0
±
100
1
25
25
32
27
_
_
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
17
4
10
11
8
30
11
1400
250
170
12
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
2
nC
I
D
=7A
V
DS
=32V
V
GS
=4.5V
_
_
_
_
V
DD
=20V
I
D
=1A
nS
V
GS
=10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=20
Ω
2400
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
分钟。
_
_
典型值。
_
马克斯。
1.2
_
单位
V
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V.
是= 7A ，V
GS
=0V
dl/dt=100A/us
反向恢复时间
2
TRR
QRR
26
ns
反向恢复电荷
_
21
_
nC
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜垫; 270
° C / W
安装在最小的时候。铜垫。
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N沟道7.6A ， 40V ，R
DS （ ON）
25m
Ω
P通道6.5A ， 40V ，R
DS （ ON）
33m
Ω
增强模式电源Mos.FET
o
电气特性P沟道（ TJ = 25℃
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
o
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
除非另有规定编）
典型值。
_
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-40
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=-40V,V
GS
=0
V
DS
=-32V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
o
-0.03
_
_
_
_
_
_
-1.0
_
_
_
_
-3.0
±
100
-1
-25
33
42
32
_
_
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
20
4
10
11
7
67
43
1440
250
190
10
nC
I
D
=-6A
V
DS
=-32V
V
GS
=-4.5V
_
_
_
_
V
DS
=-20V
I
D
=-1A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=20
Ω
2300
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -10V ，我
D
=-6A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
符号
V
SD
TRR
QRR
分钟。
_
_
典型值。
_
马克斯。
-1.2
_
_
单位
V
测试条件
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V.
是= -6A ， VGS = 0V
dl/dt=100A/us
27
23
ns
反向恢复电荷
_
nC
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜垫; 270
° C / W
安装在最小的时候。铜垫。
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公司Bauelemente
N沟道7.6A ， 40V ，R
DS （ ON）
25m
Ω
P通道6.5A ， 40V ，R
DS （ ON）
33m
Ω
增强模式电源Mos.FET
特性曲线N沟道
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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公司Bauelemente
N沟道7.6A ， 40V ，R
DS （ ON）
25m
Ω
P通道6.5A ， 40V ，R
DS （ ON）
33m
Ω
增强模式电源Mos.FET
N沟道
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
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图12.栅极电荷波形
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