SSG4542C
公司Bauelemente
N-CH ： 8.3 A， 40 V ，R
DS （ ON）
14 m
P -CH ： -7.6 A， -40 V ，R
DS （ ON）
28 m
& P沟道增强型功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽工艺，以提供低
R
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
SOP-8
B
L
D
M
特点
A
C
N
J
K
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和扩展
电池寿命。
低热阻抗的铜引线框架SOP- 8
节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
H
G
F
E
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
包装信息
包
SOP-8
MPQ
2.5K
LeaderSize
13'寸
毫米
分钟。
马克斯。
5.8
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.50
0.93
0.19
0.25
1.27 TYP 。
REF 。
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.51
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（二极管传导）
1
总功耗
1
工作结&存储温度范围
吨≦ 10秒
稳定状态
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
I
S
P
D
@ T
A
= 25°C
P
D
@ T
A
= 70°C
T
J
, T
英镑
热电阻额定值
N沟道
40
20
8.3
6.8
±50
2.3
2.1
1.3
P沟道
-40
-20
-7.6
-6.3
±50
-2.1
2.1
1.3
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
C / W
C / W
-55 ~ 150
62.5
110
最大结点到环境
1
注意事项：
1.
2.
表面装在1 “×1” FR4板。
R
θJA
脉冲宽度有限的最高结温。
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规范的任何更改将不个别通知。
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公司Bauelemente
N-CH ： 8.3 A， 40 V ，R
DS （ ON）
14 m
P -CH ： -7.6 A， -40 V ，R
DS （ ON）
28 m
& P沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号章
N
P
N
P
N
P
N
P
N
漏源导通电阻
1
R
DS （ ON）
P
正向跨导
1
g
fs
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
分钟。
1
-1
-
-
-
-
25
-50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
STATIC
栅极阈值电压
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
1.5
-1.4
6
7
2nA
12nA
-
-
14
17
28
35
40
31
动态
2
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
1.
2.
脉冲测试： PW
≦
300
μs
占空比
≦
2%.
通过设计保证，不受生产测试。
马克斯。
3
-3
±100
±100
1
-1
-
-
22
27
30
40
-
-
30
30
7
12
10
30
3000
4000
600
600
400
400
40
30
20
40
200
200
40
100
单位
乳头条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= 0V, V
GS
= -20V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.3A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7.3A
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -6.2A
V
DS
= 15V ，我
D
= 8.3A
V
DS
= -15V ，我
D
= -7.6A
V
nA
μA
A
m
S
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
13
14
3.3
5.8
4.5
12
1317
1583
272
278
169
183
20
15
9
16
70
62
20
46
nC
N沟道
I
D
= 8.3A ，V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V
P沟道
I
D
= -7.6A ，V
DS
= -15V, V
GS
= -4.5V
pF
N沟道
F = 1MHz时， V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
P沟道
F = 1MHz时， V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
nS
N沟道
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 1A ，R
根
= 25
P沟道
V
DD
= -15V, V
GS
= -10V
I
D
= -1A ，R
根
= 15
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P -CH ： -7.6 A， -40 V ，R
DS （ ON）
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& P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线（ N沟道）
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特性曲线
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特性曲线（ P沟道）
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