SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6 A， 20 V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2 A， -20 V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽工艺，以提供低
R
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电产品，如计算机，。
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话
SOP-8
B
L
D
M
A
C
N
J
K
特点
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命。
低热阻抗的铜引线框架
SOP- 8可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
H
G
F
E
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
包装信息
包
SOP-8
MPQ
2.5K
LeaderSize
13'寸
毫米
分钟。
马克斯。
5.8
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.50
0.93
0.19
0.25
1.27 TYP 。
REF 。
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.51
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
S
S
S
G
D
D
D
D
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（二极管传导）
1
总功耗
1
工作结&存储温度范围
吨≦ 10秒
稳定状态
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
I
S
P
D
@ T
A
= 25°C
P
D
@ T
A
= 70°C
T
J
, T
英镑
热电阻额定值
N沟道
20
±8
6.6
5.5
20
1.3
3.1
1.3
P沟道
-20
±8
-5.2
-4.2
-20
-1.3
3.1
1.3
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
C / W
C / W
-55 ~ 150
40
110
最大结点到环境
1
注意事项：
1.
2.
表面装在1 “×1” FR4板。
R
θJA
脉冲宽度有限的最高结温。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27日-12月2010版本B
第1页6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6 A， 20 V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2 A， -20 V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号章
N
P
N
P
N
P
N
P
N
R
DS （ ON）
P
正向跨导
1
g
fs
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
±100
±100
1
-1
-
-
47
55
79
110
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
乳头条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= 0V, V
GS
= 12V
V
DS
= 0V, V
GS
= -12V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= -5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 6.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -4.4A
V
DS
= 15V ，我
D
= 6.6A
V
DS
= -15V ，我
D
= -5.2A
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
漏源导通电阻
1
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
STATIC
0.4
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
10
动态
2
-
6.3
-
10
-
0.9
-
2.2
-
1.9
-
1.7
开关
-
-
-
-
-
-
-
-
7.4
7.6
4
6.8
22.2
33.6
3.6
23.2
V
nA
μA
A
m
S
nC
N沟道
I
D
= 6.6A ，V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V
P沟道
I
D
= -5.2A ，V
DS
= -15V, V
GS
= -4.5V
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
1.
2.
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
nS
N沟道
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A ，R
根
= 6
P沟道
V
DD
= -15V, V
GS
= -4.5V
I
D
= -1A ，R
根
= 6
脉冲测试： PW
≦
300
μs
占空比
≦
2%.
通过设计保证，不受生产测试。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
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第2 6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6 A， 20 V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2 A， -20 V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线（ N沟道）
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27日-12月2010版本B
第3页6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6 A， 20 V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2 A， -20 V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27日-12月2010版本B
第4 6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6 A， 20 V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2 A， -20 V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线（ P沟道）
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
27日-12月2010版本B
分页： 5 6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6A ， 20V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽工艺，以提供低
R
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。
SOP-8
B
L
D
M
特点
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命。
低热阻抗的铜引线框架
SOP- 8可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
A
C
N
J
K
H
G
毫米
分钟。
马克斯。
5.8
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.50
0.93
0.19
0.25
1.27 TYP 。
F
E
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
REF 。
H
J
K
L
M
N
应用
的DC- DC转换器和电源管理
便携式和电池供电产品，如计算机，。
打印机， PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.51
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
顶视图
包装信息
包
SOP-8
MPQ
2.5K
负责人尺寸
13英寸
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（二极管传导）
1
总功耗
1
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
N沟道
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
20
±8
6.6
5
20
2.2
等级
P沟道
-20
±8
-5.2
-3.8
-20
-2.2
2.1
1.3
-55 ~ 150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
工作结&存储温度范围
热电阻额定值
最大结点到环境
1
吨≦ 10秒
稳定状态
R
θJA
62.5
110
C / W
C / W
注意事项：
1.表面装在1 “×1” FR4板。
2.脉冲宽度有限的最高结温。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10 -JAN- 2012 Rev. D的
第1页6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6A ， 20V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号章
N
P
N
P
N
P
N
P
N
漏源导通电阻
1
R
DS （ ON）
P
二极管的正向电压
正向跨导
1
V
SD
g
fs
N
P
N
P
-
-
分钟。
1
-1
-
-
-
-
10
-10
-
-
-
-
典型值。
STATIC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.7
-0.73
10
10
马克斯。
-
-
±100
±100
1
-1
-
-
47
55
79
110
单位
乳头条件
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
=0, V
GS
=8V
V
DS
=0, V
GS
= -8V
V
DS
=8V, V
GS
=0
V
DS
= -8V, V
GS
=0
V
DS
=5V, V
GS
=4.5V
V
DS
= -5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.3A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.8A
V
GS
=0, I
S
=1.1A
V
GS
=0, I
S
= -1.1A
V
DS
= 10V ，我
D
=5.3A
V
DS
= -10V ，我
D
= -4.2A
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
nA
μA
A
m
V
-
-
S
动态
2
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
439
683
78
90
68
75
6
11
0.9
2.8
2.1
2.7
7
10
24
20
35
49
19
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nS
N沟道
V
DD
=10V, V
根
=4.5V
I
D
= 5.3A ，R
根
=6, R
L
=1.8
P沟道
V
DD
= -10V, V
根
= -4.5V
I
D
= -4.2A ，R
根
=6, R
L
=2.3
nC
P沟道
I
D
= -4.2A ，V
DS
= -10V, V
GS
= -4.5V
N沟道
I
D
= 5.3A ，V
DS
=10V, V
GS
=4.5V
pF
P沟道
V
DS
= -15V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
注意事项：
1.脉冲测试： PW
≦
300μS占空比
≦2%.
2.设计保证，不受生产测试。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10 -JAN- 2012 Rev. D的
第2 6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6A ， 20V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线（ N沟道）
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10 -JAN- 2012 Rev. D的
第3页6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6A ， 20V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10 -JAN- 2012 Rev. D的
第4 6
SSG4520H
公司Bauelemente
N-CH ： 6.6A ， 20V ，R
DS （ ON）
47 m
P -CH ： -5.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
79 m
& P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线（ P沟道）
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10 -JAN- 2012 Rev. D的
分页： 5 6
QQ：2881677436 复制
