SSG4435
公司Bauelemente
-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
P沟道增强型功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
该SSG4435为设计者提供了最好的
快速开关，坚固耐用的设备设计，低相结合
导通电阻和成本效益。该SOP- 8封装
普遍首选的所有商业，工业表面
安装应用程序和适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
SOP-8
B
L
D
M
特点
A
C
N
J
K
低导通电阻
简单的驱动要求
快速开关
H
G
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.40
0.90
0.19
0.25
1.27 TYP 。
F
E
REF 。
REF 。
H
J
K
L
M
N
记号
4435SC
½
=日期代码
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.49
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
包装信息
包
SOP-8
MPQ
3K
LeaderSize
13'寸
S
S
S
G
D
D
D
D
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1.2
功耗
最大结到环境
3
线性降额因子
工作结&存储温度范围
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
评级
-30
±20
-8
-6
-50
2.5
50
0.02
-55~150
单位
V
V
A
A
W
C / W
W / ℃，
°C
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01 -MAR - 2011版本B
第1页4
SSG4435
公司Bauelemente
-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
P沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(T
j
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。
系数
栅极阈值电压
正向传输导
门体漏
零栅压漏
当前
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
BV
DSS
△
BV
DS
/
△
T
j
V
GS （ TH）
G
fs
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
STATIC
-
-0.037
-
20
-
-
-
-
-
12.4
3.4
5.1
24.2
23.8
58.2
9
1345
194
158
马克斯。
-
-
-3
-
±100
-1
-5
20
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V /°C的
V
S
nA
μA
μA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250μA
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V ，我
D
= -8A
V
GS
=±20V
V
DS
= -30V, V
GS
=0
V
DS
= -24V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
= -8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5A
I
D
= -12A
V
DS
= -20V
V
GS
= -4.5V
漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
nS
V
DS
= -15V
I
D
= -1A
V
GS
= -10V
R
G
=3.3
pF
V
GS
=0
V
DS
= -15V
f=1.0MHz
源极 - 漏极二极管
正向电压上
2
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
1
（体二极管）
V
DS
I
s
I
SM
-
-
-
-0.75
-
-
-1.2
-2.1
-50
V
A
A
I
S
= -2.1A ，V
GS
=0, T
j
=25°C
V
D=
V
G=
0V, V
S
= -1.2V
注意事项：
1脉冲宽度有限的最大。结温。
2脉冲宽度≦ 300US ，占空比≦ 2 ％ 。
2
3表面安装在1 FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候125 ° C / W 。铜垫。
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-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线
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-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线
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SSG4435
-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
Ω
公司Bauelemente
P沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
SOP-8
描述
该SSG4435提供设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和成本效益。
该SOP - 8普遍首选的所有商业
工业表面贴装应用程序，并适用于低
电压应用，如DC / DC转换器。
0.35
0.49
1.27Typ.
4.80
5.00
0.100.25
3.80
4.00
6.20
5.80
0.25
0.40
0.90
0.19
0.25
45
o
0.375 REF
特点
*低导通电阻
*简单的驱动要求
D
8
D
7
D
6
D
5
0
o
8
o
1.35
1.75
单位：毫米
D
*快速开关特性
日期代码
4435SC
G
1
S
2
S
3
S
4
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
o
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
o
C
o
评级
-30
±20
-8
-6
-50
2.5
0.02
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结到环境（ MAX ）
符号
Rthj -A
评级
50
o
单位
C / W
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
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SSG4435
公司Bauelemente
-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
o
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
o
C
)
静态漏源导通电阻
2
2
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
m
Ω
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=-30V,V
GS
=0
V
DS
=-24V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
o
-0.037
_
_
_
_
-1.0
_
_
_
_
-
3.0
±
100
-1
-5
20
35
_
_
_
_
_
47
9.5
8
_
_
_
_
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
nC
I
D
=-4.6A
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
30
20
120
80
2800
1400
350
_
pF
nS
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
G
=6
Ω
R
D
=15
Ω
_
_
_
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
_
20
S
V
DS
= -10V ，我
D
=-8A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
DS
Is
I
SM
分钟。
_
典型值。
-0.75
_
_
马克斯。
-1.2
单位
V
测试条件
I
S
= -2.1A ，V
GS
=0V.
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.2V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
_
_
-2.1
-50
A
A
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
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-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
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图5.最大漏极电流
V.S.外壳温度
图6.输入功率耗散
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图11.正向特性
反向二极管
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图12.栅极阈值电压V.S.
结温
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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-8A ， -30V ，R
DS （ ON）
20m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
图13.开关时间电路
图14.开关时间波形
图15.栅极电荷电路
图16.栅极电荷波形
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