SSG4423
-11A ， -30V ，R
DS （ ON）
15m
Ω
公司Bauelemente
P沟道
增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
描述
该SSG4423提供设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和成本效益。
该SOP - 8普遍首选的所有商业
工业表面贴装应用程序，并适用于低
电压应用，如DC / DC转换器。
0.35
0.49
SOP-8
0.40
0.90
6.20
5.80
0.25
0.19
0.25
45
o
0.375 REF
3.80
4.00
1.27
典型值。
4.80
5.00
0.10 0.25
特点
*低导通电阻
*简单的驱动要求
*快速开关特性
D
8
D
7
D
6
D
5
0
o
8
o
1.35
1.75
单位：毫米
D
日期代码
4423SC
G
1
S
2
S
3
S
4
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
3
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
o
C
o
I
D
@T
A
=70
C
评级
-30
±25
-11
-8.7
-50
2.5
0.02
单位
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
I
DM
o
P
D
@T
A
=25
C
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
评级
50
单位
o
C / W
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公司Bauelemente
o
-11A ， -30V ，R
DS （ ON）
15m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-
30
_
典型值。
_
-
0.02
_
_
_
_
马克斯。
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-
1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
25V
V
DS
=-30V,V
GS
=0
V
DS
=-24V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=- 10A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-6A
o
_
-1.0
_
_
_
_
-3.0
±
100
-1
-25
15
25
43
_
_
R
S（O N）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
Rg
12
20
27
3
20
15
12
40
25
1500
530
440
17
2.9
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
栅极电阻
nC
I
D
=-10A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
_
_
_
_
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
nS
V
GS
=-10 V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=15
Ω
2400
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
_
_
_
S
Ω
V
DS
= -10V ，我
D
=-10 A
f=1.0MHz
4.5
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
符号
V
SD
T
rr
分钟。
_
_
典型值。
_
马克斯。
-1.2
_
_
单位
V
nS
nC
测试条件
I
S
= -2.0 A，V
GS
=0V.
I
S
= -10 A，V
GS
=0V.
dl/dt=100A/us
40
38
反向恢复更改
Q
rr
_
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
2
o
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫; 125℃ / W安装在最小的时候。铜垫。
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特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
12
/W
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.传输特性
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图12.栅极电荷波形
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