SSG4402N
公司Bauelemente
6.7 A， 60 V ，R
DS （ ON）
38 m
N沟道增强型功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽工艺
提供低R
DS （ ON）
并且，以确保最小的
功率损耗和散热。典型
应用的DC- DC转换器和功率
管理在便携式及电池供电的
产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
SOP-8
B
L
D
M
特点
低R
DS （ ON）
提供更高的效率，并延长电池寿命。
低热阻抗的铜引线框架SOP- 8可节省电路板空间。
快速开关速度。
高性能沟道技术。
A
C
N
J
K
H
G
F
E
包装信息
包
SOP-8
MPQ
2.5K
LeaderSize
13'寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.40
0.90
0.19
0.25
1.27 TYP 。
REF 。
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.49
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
S
S
S
G
D
D
D
D
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
I
S
P
D
@ T
A
= 25°C
P
D
@ T
A
= 70°C
T
J
, T
英镑
评级
60
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
C / W
C / W
±
20
6.7
5.8
25
2
3.1
2
-55 ~ 150
40
80
连续源电流（二极管传导）
总功耗
1
工作结&存储温度范围
t
≦
10秒
稳定状态
热电阻额定值
最大结到环境
a
注意事项：
1
2
表面装在1 “×1” FR4板。
脉冲宽度有限的最高结温。
R
θJA
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N沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
分钟。
1
-
-
-
20
-
-
-
-
典型值。
STATIC
-
-
-
-
-
-
-
11
-
马克斯。
-
单位
V
nA
μA
μA
A
m
S
V
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.9A
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.2A
I
S
= 2.0A ，V
GS
= 0V
±
100
1
10
-
38
50
-
1.2
漏源导通电阻
1
正向跨导
1
二极管的正向电压
动态
2
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
1
2
脉冲测试： PW
≦
300
μs
占空比
≦
2%.
通过设计保证，不受生产测试。
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.5
3.3
4.0
1456
172
97
18
59
37
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nS
pF
nC
I
D
= 6.7A
V
DS
= 30V
V
GS
= 4.5V
F = 1 MHz的
V
DS
= 30V
V
GS
= 0V
V
DD
= 30V
I
D
= 1A
V
根
= 10V
R
L
= 30
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