SSG4228
公司Bauelemente
6.8A , 30V ,R
DS ( ON)
26m
双-N增强型功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
该SSG4228为设计者提供了最好的
快速切换的组合,坚固耐用的设备的设计,
超低导通电阻和成本效益。
SOP-8
B
特点
L
D
M
低导通电阻
简单的驱动要求
双-N MOSFET封装
H
G
A
C
N
J
K
F
E
标识代码
REF 。
4228SS
½
=日期代码
包装信息
包
SOP-8
MPQ
3K
LeaderSize
13'寸
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0°
8°
0.40
0.90
0.19
0.25
1.27 TYP 。
REF 。
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。
马克斯。
0.35
0.49
0.375 REF 。
45°
1.35
1.75
0.10
0.25
0.25 REF 。
S
G
S
G
D
D
D
D
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
功耗
1
最大结到环境
3
线性降额因子
工作结&存储温度范围
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
评级
30
±20
6.8
5.5
40
2
62.5
0.016
-55~150
单位
V
V
A
A
W
C / W
W / ℃,
°C
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规范的任何更改将不个别通知。
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6.8A , 30V ,R
DS ( ON)
26m
双-N增强型功率MOSFET
电气特性
(T
j
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。
系数
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
符号
BV
DSS
△
BV
DS
/
△
T
j
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
分钟。
30
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
STATIC
-
0.03
-
-
-
-
-
-
9
2
6
10
9
18
6
580
150
108
15
马克斯。
-
-
3
±100
1
25
26
40
15
-
-
-
-
-
-
930
-
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
μA
μA
m
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250μA
参考至25℃ ,我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=±20V
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
DS
=24V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4A
I
D
= 6.8A
V
DS
= 24V
V
GS
= 4.5V
V
DS
= 15V
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
R
G
= 3.3
R
D
= 15
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
V
DS
= 10V ,我
D
=6A
漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向传输导
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
fs
nC
nS
pF
S
源极 - 漏极二极管
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
V
DS
T
rr
Q
rr
-
-
-
-
15
9
1.3
-
-
V
nS
nC
I
S
= 1.7A ,V
GS
= 0V ,T
j
=25°C
I
S
= 6.8A ,V
GS
=0V
dl/dt=100A/μs
注意事项:
1脉冲宽度有限的最大。结温。
2脉宽300US ,占空比2%。
3表面安装在1平方英寸的铜FR4板垫;安装在最小的时候135 ° C / W 。铜垫。
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特性曲线
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