【SSG0410公司BauelementeN沟道增强型功率MOSFET3.8 A， 100 V ，RD】,IC型号SSG0410,SSG0410 PDF资料,SSG0410经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSG0410

公司Bauelemente

N沟道增强型功率MOSFET

3.8 A， 100 V ，R

DS （ ON）

158 m

描述

该SSG0410提供设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面

安装的应用程序，并适用于低电压应用，如DC / DC转换器。

SOP-8

特点

简单的驱动要求

低栅电荷

快速开关特性

记号

漏

门

来源

0410SC

=日期代码

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

5.80

6.20

4.80

5.00

3.80

4.00

0°

8°

0.40

0.90

0.19

0.25

1.27 TYP 。

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.35

0.49

0.375 REF 。

45°

1.35

1.75

0.10

0.25

0.25 REF 。

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

工作结&存储温度范围

热阻结到环境（最大）

符号

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

, T

英镑

θJA

评级

100

±20

3.8

3.0

2.5

0.02

-55 ~ 150

单位

W / ℃，

°C

C / W

热电阻额定值

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01军-2010版本A

第1页4

SSG0410

公司Bauelemente

N沟道增强型功率MOSFET

3.8 A， 100 V ，R

DS （ ON）

158 m

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏源漏

电流（T

=25°C)

漏源漏

电流（T

=55°C)

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

门源Chagre

栅 - 漏极（ “米勒” ）变更

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

民

100

1.0

典型值

最大

3.0

±100

单位

μA

测试条件

= 0V时，我

=1mA

=10V

=1mA

= 10V ，我

=2.5A

=±20V

=100V, V

=0V

=100V, V

=0V

= 10V ，我

=2.7A

= 6V ，我

=2.5A

= 80V ，我

= 3.5A ，V

=5V

=30V, V

=10V

= 1A ，R

=30, R

=25V

=0V

f=1MHz

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

正向电压上

= 3.8A ，V

=0V

注意事项：

1.脉冲宽度有限的最大。结温。

2.脉冲宽度

≦

300

μs,

占空比

≦

％.

3.表面安装1

FR4电路板的铜垫，安装于民时， 125 ° C / W 。铜垫。

158

175

11.2

4.4

9.4

26.8

2.6

975

1670

源极 - 漏极二极管

1.2

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