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N沟道功率MOSFET
SSF7N60A
特点
BV
DSS
= 600V
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 25μA （最大值） @ V
DS
= 600V
低
DS （ ON）
： 0.977Ω （典型值）
1
2
3
R
DS （ ON）
= 1.2
I
D
= 5.4A
TO-3PF
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
= 25°C)
连续漏电流（T
C
= 100°C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
= 25°C)
线性降额因子
工作结存储
温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
y
x
x
z
x
价值
600
5.4
3.4
30
±30
477
5.4
8.6
3.0
86
0.69
55
+150
1.门2.排水3.源
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
300
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值。
马克斯。
1.45
40
单位
° C / W
版本B
1
1999仙童半导体公司
SSF7N60A
N沟道功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
栅源泄漏，反向
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
分钟。
600
2.0
典型值。
0.65
4.74
1150
130
53
18
19
72
28
49
8.4
22.1
马克斯。
4.0
100
100
25
250
1.2
1500
150
62
45
50
155
65
65
nC
V
DS
=480V, V
GS
=10V
I
D
=7A
参见图6 &图12
{ |
ns
V
DD
= 300V ，我
D
=7A
R
G
=9.1
见图13
pF
单位
V
V /°C的
V
nA
A
S
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
I
D
=250A,
V
GS
=30V
V
GS
=
30V
V
DS
=600V
V
DS
= 480V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=2.7A
V
DS
= 50V ，我
D
=2.7A
V
GS
=0V, V
DS
=25V
f=1MHz
参见图5
{
{
参见图7
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
{|
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
x
{
分钟。
典型值。
415
3.8
马克斯。
5.4
30
1.4
单位
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.4A ，V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=7A
di
F
/dt=100A/s
{
注意事项：
x
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
y
L = 30mH ，我
AS
= 5.4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，起始物为
J
=25°C
z
I
SD
≤
图7A中， di / dt的
≤
120A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=25°C
{
脉冲测试：脉冲宽度
≤
为250μs ，占空比
≤
2%
|
基本上是独立工作温度
2
N沟道功率MOSFET
SSF7N60A
看图1，输出特性
V
GS
上图：
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
如图2传输特性
1
1
0
1
1
0
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
1 0
o
C
5
1
0
0
2
o
C
5
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 V =5 V
.
DS
0
美国东部
3 2 0
S·P升（E T） s
. 5
6
8
1
0
1
0
0
1
0
-1
@Nts ：
oe
1 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
2 T = 2
o
C
.
C
5
1
0
0
1
1
0
- 5
o
C
5
1
-1
0
2
4
1
-1
0
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
25
.
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
I
DR
，反向漏电流[ A]
R
DS （ ON）
, [
]
漏源导通电阻
20
.
V =1 V
0
GS
15
.
1
1
0
10
.
V =2 V
0
GS
05
.
@ N T： T = 2
o
C
oe
J
5
00
.
0
5
1
0
1
5
2
0
2
5
3
0
1
0
0
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
04
.
06
.
08
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
10
.
12
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
20
00
C = C + C（ C = SOTD ）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
图6.栅极电荷与栅源电压
V =10V
2
DS
V =30V
0
DS
V =40V
8
DS
1
0
10
50
C
国际空间站
10
00
V
GS
，栅源电压[V]
电容[ pF的]
5
50
0
C
OSS
C
RSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
@Nts ： I = 70A
oe
.
D
0
0
1
0
2
0
3
0
4
0
5
0
0
0
1
0
1
1
0
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
SSF7N60A
N沟道功率MOSFET
图7.击穿电压与温度的关系
12
.
30
.
图8.导通电阻与温度的关系
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
11
.
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
25
.
20
.
10
.
15
.
10
.
@Nts ：
oe
1 V =1 V
.
GS
0
2 I = 35A
.
D
.
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
09
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 I = 2 0
A
.
D
5
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
05
.
08
.
-5
7
15
2
10
5
15
7
00
.
-5
7
15
2
10
5
15
7
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最大。安全工作区
1
2
0
Oeaini钛阂
prto HS RA
我L M T d设定B R
DS （ ON）
s IIE
1 0
s
0
1m
s
1 m
0 s
D
C
1
s
0
图10.最大。漏电流与外壳温度
6
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
1
1
0
4
1
0
0
2
1
-1
0
@Nts ：
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 SNL PLE
。 IGE美国
1
-2 0
0
1
0
1
1
0
1
2
0
1
3
0
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
15
2
10
5
V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
图11.热响应
热响应
10
0
D=0.5
0.2
0.1
10
- 1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-2
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=1.45
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
(t) ,
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
4
N沟道功率MOSFET
SSF7N60A
图12.栅极电荷测试电路波形&
电流调节器
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
10V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
V
in
10V
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
10%
V
OUT
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
90%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
2
--------------------
E
AS
= ---- L
L
I
AS
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
10V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
5
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