【SSF3018D羽毛：先进的加工技术特别设计的变流器与电源控制高密度电池设计超低导通电阻充分界定雪崩】,IC型号SSF3018D,SSF3018D PDF资料,SSF3018D经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SSF3018D

羽毛：

先进的加工技术

特别设计的变流器与电源控制

高密度电池设计超低导通电阻

充分界定雪崩电压和电流

雪崩能量100 ％测试

描述：

该SSF3018D是新一代中间电压和

大电流N沟道增强型沟道功率

MOSFET。这种新技术提高了细胞密度

并降低了导通电阻;其典型导通电阻可降低

到11.6mohm 。

应用：

电源开关的应用

绝对最大额定值

参数

I

D

@T

c

=25 C

I

D

@T

c

=100C

I

DM

P

D

@T

C

=25C

V

GS

E

AS

E

AR

T

J

T

英镑

热阻

参数

R

θJC

结到外壳

分钟。

—

典型值。

0.65

马克斯。

—

单位

C / W

连续漏电流， VGS @ 10V

连续漏电流， VGS @ 10V

漏电流脉冲

①

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

②

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

80

70

320

192

2.0

±20

460

待定

-55到+150

C

W

W / C

V

mJ

A

SSF3018D顶视图（ TO220 ）

马克斯。

单位

ID=80A

BV=100V

Rdson=14mohm

电气特性@ TJ = 25

℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

2009.7.15

分钟。

100

—

2.0

33

—

—

—

—

—

—

典型值。

—

11.6

55

—

—

—

—

60

21

MAX 。单位

—

14

4.0

—

1

5

200

-200

—

—

版本： 1.0

测试条件

V

GS

=0V,I

D

=250μA

V

GS

=10V,I

D

=30A

V

DS

=V

GS

,I

D

=250μA

V

DS

=10V,I

D

=40A

V

DS

=100V,V

GS

=0V

V

DS

=100V,

V

GS

=0V,T

J

=150C

V

GS

=20V

V

GS

=-20V

I

D

=25A

V

DS

=0.5V

DSS

页面

1of5

V

m

V

S

μA

I

GSS

Q

g

Q

gs

nA

nC

Silikron半导体有限公司。

SSF3018D

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极 - 漏极（ "Miller" ）收费

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

—

—

—

—

—

—

—

15

31

54

40

48

3040

420

90

—

—

—

—

—

—

—

—

pF

nS

V

GS

=10V

V

DS

=0.5V

DSS

I

D

=10A

R

G

=15

V

GS

=10V

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHZ

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

t

on

注意事项：

①

重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

②

测试条件： L = 0.3mH ， ID = 37A ， VDD = 50V

连续电流。

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

①

二极管的正向电压

反向恢复时间

向前开启时间

.

分钟。

—

—

—

－

典型值。

—

—

—

100

马克斯。

80

A

320

1.3

—

V

nS

单位

测试条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

=25C,I

S

=30A,V

GS

=0V

③

I

F

= 25A ，V

R

=50V, V

GS

=0V,

-di/dt=100A/μs

③

固有的导通时间是可以忽略不计（开启由LS主导+ LD ）

③

脉冲width≤300μS ;值班cycle≤1.5 ％ RG = 25Ω

开始TJ = 25°C

EAS测试电路：

BV

DSS

栅极电荷测试电路：

Silikron半导体有限公司。

2009.7.15

版本： 1.0

页面

2of5

SSF3018D

开关时间测试电路：

开关波形：

输入导纳

电容

导通电阻与结温

导通电阻与漏极电流

Silikron半导体有限公司。

2009.7.15

版本： 1.0

页面

3of5

SSF3018D

栅极电荷

征二极管的正向压降

输出特性@ 25 ℃

漏电流与外壳温度

最大瞬态热阻抗

Silikron半导体有限公司。

2009.7.15

版本： 1.0

页面

4of5

SSF3018D

TO220机械数据：

Silikron半导体有限公司。

2009.7.15

版本： 1.0

页面

5of5

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VBSEMI

2443+

23000

TO-220

一级代理专营，原装现货，价格优势

北京首天伟业科技有限公司

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21+

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25+23+

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