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SSF3018D
羽毛:
先进的加工技术
特别设计的变流器与电源控制
高密度电池设计超低导通电阻
充分界定雪崩电压和电流
雪崩能量100 %测试
描述:
该SSF3018D是新一代中间电压和
大电流N沟道增强型沟道功率
MOSFET。这种新技术提高了细胞密度
并降低了导通电阻;其典型导通电阻可降低
到11.6mohm 。
应用:
电源开关的应用
绝对最大额定值
参数
I
D
@T
c
=25 C
I
D
@T
c
=100C
I
DM
P
D
@T
C
=25C
V
GS
E
AS
E
AR
T
J
T
英镑
热阻
参数
R
θJC
结到外壳
分钟。
典型值。
0.65
马克斯。
单位
C / W
连续漏电流, VGS @ 10V
连续漏电流, VGS @ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
80
70
320
192
2.0
±20
460
待定
-55到+150
C
W
W / C
V
mJ
A
SSF3018D顶视图( TO220 )
马克斯。
单位
ID=80A
BV=100V
Rdson=14mohm
电气特性@ TJ = 25
℃(除非另有规定)
参数
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
2009.7.15
分钟。
100
2.0
33
典型值。
11.6
55
60
21
MAX 。单位
14
4.0
1
5
200
-200
版本: 1.0
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250μA
V
GS
=10V,I
D
=30A
V
DS
=V
GS
,I
D
=250μA
V
DS
=10V,I
D
=40A
V
DS
=100V,V
GS
=0V
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,T
J
=150C
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
I
D
=25A
V
DS
=0.5V
DSS
页面
1of5
V
m
V
S
μA
I
GSS
Q
g
Q
gs
nA
nC
Silikron半导体有限公司。
SSF3018D
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极 - 漏极( "Miller" )收费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
15
31
54
40
48
3040
420
90
pF
nS
V
GS
=10V
V
DS
=0.5V
DSS
I
D
=10A
R
G
=15
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHZ
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
t
on
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
测试条件: L = 0.3mH , ID = 37A , VDD = 50V
连续电流。
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
向前开启时间
.
分钟。
典型值。
100
马克斯。
80
A
320
1.3
V
nS
单位
测试条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
=25C,I
S
=30A,V
GS
=0V
I
F
= 25A ,V
R
=50V, V
GS
=0V,
-di/dt=100A/μs
固有的导通时间是可以忽略不计(开启由LS主导+ LD )
脉冲width≤300μS ;值班cycle≤1.5 % RG = 25Ω
开始TJ = 25°C
EAS测试电路:
BV
DSS
栅极电荷测试电路:
Silikron半导体有限公司。
2009.7.15
版本: 1.0
页面
2of5
SSF3018D
开关时间测试电路:
开关波形:
输入导纳
电容
导通电阻与结温
导通电阻与漏极电流
Silikron半导体有限公司。
2009.7.15
版本: 1.0
页面
3of5
SSF3018D
栅极电荷
征二极管的正向压降
输出特性@ 25 ℃
漏电流与外壳温度
最大瞬态热阻抗
Silikron半导体有限公司。
2009.7.15
版本: 1.0
页面
4of5
SSF3018D
TO220机械数据:
Silikron半导体有限公司。
2009.7.15
版本: 1.0
页面
5of5
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    SSF3018D
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    -
    -
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