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SSF2334
描述
该SSF2334采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作
与栅极电压低至2.5V 。此装置适用于
用作电池保护或其它开关
应用程序。
D
G
S
原理图
一般特点
V
DS
= 20V ,我
D
= 4.5A
R
DS ( ON)
< 80mΩ @ V
GS
=2.5V
R
DS ( ON)
< 45mΩ @ V
GS
=4.5V
高功率和电流移交能力
被收购无铅产品
表面贴装封装
标志和引脚分配
应用
电池
保护
●负载
开关
“权力
管理
SOT-23
顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
2334
设备
SSF2334
器件封装
SOT-23
带尺寸
180mm
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000台
绝对最大额定值( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@电流脉冲(注1 )
最大功率耗散
工作结存储温度范围
极限
20
±10
4.5
16
1.2
-55到150
单位
V
V
A
A
W
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
热特性
热阻,结到环境(注2 )
R
θJA
140
/W
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V我
D
=250μA
20
典型值
最大
单位
V
Silikron半导体有限公司。
1
http://www.silikron.com
v1.0
SSF2334
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
基本特征(注3 )
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态特性(注4 )
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性(注4 )
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的特性
二极管的正向电压(注3 )
V
SD
V
GS
=0V,I
S
=1.3A
1.2
V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=10V,I
D
=4.2A,V
GS
=4.5V
V
DD
= 10V ,R
L
= 2.8
V
GS
=4.5V,R
=6,
I
D
=3.6A,
7
55
16
10
10
2.3
2.9
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
C
LSS
C
OSS
C
RSS
V
DS
=10V,V
GS
=0V,
F=1.0MHz
500
250
90
PF
PF
PF
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
V
DS
=V
GS
,I
D
=250μA
V
GS
= 2.5V ,我
D
=4A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4.5A
V
DS
=10V,I
D
=4.5A
0.5
50
35
8
1.5
80
45
V
m
m
S
I
DSS
I
GSS
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
GS
=±10V,V
DS
=0V
1
±100
μA
nA
注意事项:
1.
重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
2.
表面安装在FR4板,T
10秒。
3.
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
4.
通过设计保证,不受生产测试。
Silikron半导体有限公司。
2
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SSF2334
典型的电气和热特性
VDD
t
D(上)
t
on
t
r
90%
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
90%
VIN
VGS
RGEN
G
Rl
D
VOUT
V
OUT
10%
10%
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图1 :开关测试电路
标准化的有效瞬态
热阻抗
图2 :开关波形
方波时脉持续时间(秒)
图3 :归最大瞬态热阻抗
Silikron半导体有限公司。
3
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SSF2334
SOT- 23封装信息
单位为毫米(单位:mm )
符号
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
θ
笔记
单位:毫米
分钟。
马克斯。
0.900
1.150
0.000
0.100
0.900
1.050
0.300
0.500
0.080
0.150
2.800
3.000
1.200
1.400
2.250
2.550
0.950TYP
1.800
2.000
0.550REF
0.300
0.500
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.公差± 0.10毫米( 4密耳),除非另有说明
3.包装体型排除毛边和毛刺门。在非铅侧模具闪光灯应小于5密耳。
4.尺寸L是衡量计量表平面。
5.控制尺寸为毫米,转换英制尺寸不一定精确。
Silikron半导体有限公司。
4
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SSF2334
注意事项:
描述或包含没有规范,能够处理要求的应用程序的任何和所有Silikron产品
极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的控制系统或其他应用程序,其故障可以
可合理预期会导致严重的身体和/或财产损失。请咨询您的Silikron
使用本文中的这种应用描述或包含任何Silikron产品之前,代表最近你。
Silikron承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他参数)上市
任何产品的规格和所有Silikron产品描述或此处包含的。
任何规范,并且所有Silikron产品描述或此处包含规定的性能,特点,
在独立国家所描述的产品功能,而不是性能,特点保证,
如地安装在客户的产品或设备所描述的产品的功能。要验证的症状,并指出,
不能在一个独立的设备进行评估,顾客必须不断的评估和测试设备
安装在客户的产品或设备。
Silikron半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有的半导体
产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能会引起
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火,或可能造成损害
其他财产。在设计产品时,必须采用安全指标,这样就不会发生此类事故或事件。这样
措施包括但不限于保护电路和安全设计,冗余设计误差防止电路,以及
结构设计。
在任何或所有Silikron产品(包括技术参数和服务)描述或包含在被控制的情况下
任何当地出口管制法律和法规,这类产品在没有得到出口出口
从有关在按照上述法律当局许可。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式,电子或机械方式,包括发送
影印和记录,或任何信息存储或检索系统,或其他方式,未经事先书面许可,
Silikron半导体有限公司。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不能保证卷
生产。 Silikron的任何信息都是准确可靠,但不保证是对其使用提出或暗示的
知识产权或其它第三方权利或任何侵犯。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"的Silikron产品
你打算使用。
该目录规定的月的, 2008年规范和信息此处如有变更,恕不另行通知。
Silikron半导体有限公司。
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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SOT-23
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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