【SSF1016羽毛：先进的加工技术雪崩能量， 100 ％测试充分界定雪崩电压和电流描述：该SSF10】,IC型号SSF1016,SSF1016 PDF资料,SSF1016经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSF1016

羽毛：

先进的加工技术

雪崩能量， 100 ％测试

充分界定雪崩电压和电流

描述：

该SSF1016是新一代高电压和低

当前N沟道增强型沟道功率

MOSFET。这种新技术提高了设备的可靠性

和电参数的可重复性。 SSF1016组装

在高可靠性和合格的装配厂。

应用：

电源开关的应用

SSF1016顶视图（ T0-220 ）

ID = 75A

BV=100V

Rdson=16m(Max.）

绝对最大额定值

参数

=25

=100C

=25C

dv / dt的

英镑

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境

分钟。

—

典型值。

0.55

—

马克斯。

—

单位

C / W

连续漏电流， VGS @ 10V

漏电流脉冲

①

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

②

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复电压

工作结

存储温度范围

马克斯。

300

227

1.5

±20

380

待定

-55到+150

V / ns的

单位

电气特性@ TJ = 25

℃（除非另有规定）

参数

DSS

GS （ TH）

DSS

漏极至源极击穿电压

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

分钟。

100

—

2.0

—

2009.8.10

典型值。

—

MAX 。单位

—

4.0

100

-100

测试条件

=0V,I

=250μA

=100V,V

=0V

毫欧V

=10V,I

=30A

μA

=100V,

=0V,T

=150C

=20V

=-20V

版本： 1.0

页面

1of5

GSS

Silikron半导体有限公司。

SSF1016

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）收费

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

18.2

15.6

70.5

13.8

3150

350

240

—

=30V

= 2A ，R

=15

=2.5

=10V

=0V

pF的V

=25V

f=1.0MHZ

=30A,V

=10V

=30V

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

①

反向恢复时间

向前开启时间

分钟。

—

－

典型值。

—

107

马克斯。

300

1.3

—

μC

单位

测试条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

=25C,I

=60A,V

=0V

③

=25C,I

=75A

di/dt=100A/μs

③

二极管的正向电压

反向恢复电荷

固有的导通时间是可以忽略不计（开启由LS主导+ LD ）

注意事项：

①

重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

②

测试条件： L = 0.3mH ， VDD = 50V ，ID = 37A

③

脉冲width≤300μS ，值班cycle≤1.5 ％ ; RG = 25Ω

开始TJ = 25°C

EAS测试电路：

栅极电荷测试电路：

Silikron半导体有限公司。

2009.8.10

版本： 1.0

页面

2of5

SSF1016

开关时间测试电路：

开关波形：

传输特性

电容

在电阻与结温

击穿电压VS结温

Silikron半导体有限公司。

2009.8.10

版本： 1.0

页面

3of5

SSF1016

栅极电荷

源极 - 漏极二极管正向电压

安全工作区

最大漏电流与结

瞬态热阻抗曲线

Silikron半导体有限公司。

2009.8.10

版本： 1.0

页面

4of5

SSF1016

TO- 220机械数据：

Silikron半导体有限公司。

2009.8.10

版本： 1.0

页面

5of5

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