【SSF0115羽毛：先进的加工技术雪崩能量， 100 ％测试充分界定雪崩电压和电流描述：该SSF01】,IC型号SSF0115,SSF0115 PDF资料,SSF0115经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSF0115

羽毛：

先进的加工技术

雪崩能量， 100 ％测试

充分界定雪崩电压和电流

描述：

该SSF0115是新一代高电压和低

当前N沟道增强型沟道功率

MOSFET。这种新技术提高了设备的可靠性

和电参数的可重复性。 SSF0115组装

在高可靠性和合格的装配厂。

应用：

符合IEEE802.3af兼容

SSF0115顶视图（ SOT- 223 ）

ID = 3A

BV=100V

Rdson=0.15

绝对最大额定值

参数

=25

=100C

=25C

dv / dt的

英镑

热阻

参数

θJA

结到环境

分钟。

—

典型值。

—

马克斯。

单位

C / W

连续漏电流， VGS @ 10V

漏电流脉冲

①

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

②

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复电压

工作结

存储温度范围

-55到+150

马克斯。

2.3

1.8

0.019

±20

待定

V / ns的

单位

*当安装在推荐的最小尺寸PAS （ PCB安装）。

电气特性@ TJ = 25

℃（除非另有规定）

参数

DSS

GS （ TH）

DSS

漏极至源极击穿电压

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

分钟。

100

—

2.0

—

2009.6.10

典型值。

—

0.09

—

MAX 。单位

—

0.15

4.0

100

-100

μA

测试条件

=0V,I

=250μA

=10V,I

=2A

=250μA

=30V,V

=0V

=100V,

=0V,T

=150C

=20V

=-20V

版本： 1.0

页面

1of5

GSS

Silikron半导体有限公司。

SSF0115

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）收费

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

2.7

7.8

350

—

480

110

=50V

= 9.2A ，R

=5.4

=18

=10V

=0V

=25V

f=1.0MHZ

=9.2A,V

=10V

=80V,RL=8.6

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

①

反向恢复时间

向前开启时间

分钟。

—

－

典型值。

—

0.34

马克斯。

1.3

—

μC

单位

测试条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

=25C,I

=3A,V

=0V

③

=25C,I

=9.2A

di/dt=100A/μs

③

二极管的正向电压

反向恢复电荷

固有的导通时间是可以忽略不计（开启由LS主导+ LD ）

注意事项：

①

重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。

②

测试条件： L = 30mH ， VDD = 50V ，ID = 2.3A

③

脉冲width≤300μS ，值班cycle≤1.5 ％ ; RG = 25Ω

开始TJ = 25°C

Silikron半导体有限公司。

2009.6.10

版本： 1.0

页面

2of5

SSF0115

EAS测试电路：

栅极电荷测试电路：

开关时间测试电路：

开关波形：

栅极电荷

源极 - 漏极二极管正向电压

Silikron半导体有限公司。

2009.6.10

版本： 1.0

页面

3of5

SSF0115

在电阻与结温

击穿电压VS结温

安全工作区

最大漏电流与结温

瞬态热阻抗曲线

Silikron半导体有限公司。

2009.6.10

版本： 1.0

页面

4of5

SSF0115

SOT- 223机械数据：

Silikron半导体有限公司。

2009.6.10

版本： 1.0

页面

5of5

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