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SSD3055
公司Bauelemente
15A ， 30V ，R
DS （ ON）
26m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
描述
该SSD3055为设计人员提供最佳组合
快速开关，加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该TO- 252普遍首选的所有商业，工业
表面贴装应用和
适用于低电压应用
TO-252
诸如DC / DC转换器。
特点
*低栅极电荷
*快速切换
*简单的驱动要求
D
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
G
S
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
2.20
2.80
2.30 REF 。
0.70
0.90
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
R
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0
0.15
0.90
1.50
5.40
5.80
0.80
1.20
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25
C
I
D
@T
C
=100
C
I
DM
P
D
@T
C
=25
C
o
o
o
评级
30
± 20
15
9
50
28
0.22
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
符号
马克斯。
马克斯。
Rthj -C
Rthj -A
评级
4.8
110
o
o
单位
C / W
C / W
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2006年版本B
第1页
5
SSD3055
公司Bauelemente
15A ， 30V ，R
DS （ ON）
26m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 150
C
)
静态漏源导通电阻
o
o
o
除非另有规定编）
分钟。
30
_
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
典型值。
_
马克斯。
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
DS
=24V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
=8 A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6 A
o
0.037
_
_
_
_
_
_
_
1.0
_
_
_
_
3.0
±
100
1
25
26
40
_
_
_
R
S（O N）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
4.6
1.1
3
4.9
22.5
12.2
3.3
160
107
32
16
nC
I
D
=8 A
V
DS
=24V
V
GS
= 5V
_
_
_
_
V
DD
=15V
I
D
=8A
nS
V
GS
=10V
R
G
=3.4
Ω
R
D
=1.9
Ω
_
_
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
S
V
DS
=10V,I
D
=18A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
1
符号
V
SD
I
S
分钟。
_
_
典型值。
_
_
_
马克斯。
1.3
单位
V
A
A
测试条件
I
S
= 15 A，V
GS
=0V.Tj=25C
V
D
=V
G
=0V,V
S
=1.3 V
o
15
50
I
SM
_
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.脉冲宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
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01
-Jun ， 2006年修订版
B
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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5
SSD3055
公司Bauelemente
15A ， 30V ，R
DS （ ON）
26m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
45
图2.典型的输出特性
40
35
30
25
20
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.最大漏极电流
http://www.SeCoSGmbH.com/
V.S.外壳温度
01军， 2006年修订版
B
图6.输入功率耗散
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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SSD3055
公司Bauelemente
15A ， 30V ，R
DS （ ON）
26m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
图11.正向特性
反向二极管
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图12.栅极阈值电压V.S.
结温
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01军2006 Rev.B的
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SSD3055
公司Bauelemente
15A ， 30V ，R
DS （ ON）
26m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
图13.开关时间电路
图14.开关时间波形
图15.栅极电荷电路
图16.栅极电荷波形
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01军， 2006年修订版
B
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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S-1312W-CT
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