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ISO7240
ISO7241
ISO7242
SLLS868A - 2007年9月 - 修订2007年12月
4通道数字隔离器
1
特点
1 ， 25 ，和150 - Mbps的信号速率选择
- 低通道到通道输出偏移;
1 ns（最大值）
- 低脉宽失真（ PWD ） ;
2 ns（最大值）
- 低抖动的内容; 1纳秒（典型值）在150 Mbps的
典型的25年寿命，在额定工作电压
（参见应用笔记
SLLA197
和
图15）
4000-V
PEAK
隔离， 560 -V
PEAK
工作电压
UL 1577认证
4 kV ESD保护
操作3.3 V或5 V电源
高电磁抗扰度
（见申请报告
SLLA181)
-40 ° C至125°C的工作范围
应用
工业现场总线
电脑外设接口
伺服控制接口
数据采集
描述
在ISO7240 ， ISO7241和ISO7242是四通道数字隔离器与多通道配置和
输出使能功能。这些器件具有逻辑输入和输出缓冲器相隔TI的二氧化硅
（ SIO
2
）隔离屏障。当与隔离电源配合使用时，这些器件可以阻止高电压，
隔离接地，避免噪声电流进入本地接地和干扰或损坏
敏感电路。
的ISO7240具有所有四个通道在同一方向，而ISO7241有三个信道相同的
方向和在反对一个通道。的ISO7242有两个通道中的每一个的方向。
在A和C选项的设备具有TTL输入阈值和噪声滤波器的输入端，以防止瞬态
从脉冲被传递到该装置的输出。在M模式时，有CMOS VCC / 2输入阈值
并没有相应输入噪声滤波器或附加的传播延迟。
周期性刷新脉冲，跨阻挡层发送，以确保输出的适当DC电平。如果这个直流刷新
脉冲没有被接收时，输入被假定为未加电或不被积极地驱动，并且在保险电路
驱动器的输出为逻辑高状态。 （联系TI为逻辑低电平故障安全选项）。
这些设备可从任一3.3 V或5 V电源供电两侧中任3.3 V / 3.3 V， 5 V / 5 V ，
5 -V / 3.3 V或3.3 V / 5 V的组合。需要注意的是信号输入引脚5 - V宽容，无论电压
正在使用的供应水平。
这些设备的特点是工作在-40° C至125°C的环境温度范围。
ISO7240
V
CC1
GND1
IN
A
IN
B
IN
C
IN
D
NC
GND1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC2
GND2
OUT
A
OUT
B
OUT
C
OUT
D
EN
GND2
V
CC1
GND1
IN
A
IN
B
IN
C
OUT
D
EN
1
GND1
1
2
3
4
5
6
7
8
ISO7241
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC2
GND2
OUT
A
OUT
B
OUT
C
IN
D
EN
2
GND2
V
CC1
GND1
IN
A
IN
B
OUT
C
OUT
D
EN
1
GND1
1
2
3
4
5
6
7
8
ISO7242
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC2
GND2
OUT
A
OUT
B
IN
C
IN
D
EN
2
GND2
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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ISO7240
ISO7241
ISO7242
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
功能图
电气隔离
屏障
DC频道
OSC
+
PWM
滤波器
VREF
脉冲宽度
解调
载波检测
EN
IN
输入
+
滤波器
AC频道
(1)
VREF
数据MUX
AC DETECT
输出缓冲器
OUT
表1.设备功能表ISO724x
V
CC1
V
CC2
输入
（中）
H
PU
PU
L
X
开放
PD
PD
(1)
PU
PU
X
X
OUTPUT ENABLE
（ EN ）
H或打开
H或打开
L
H或打开
H或打开
L
产量
（下）
H
L
Z
H
H
Z
PU =上电; PD =断电; X =无关; H =高电平; L =低电平
2
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ISO7240
ISO7241
ISO7242
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可选项
产品
ISO7240ADW
ISO7240CDW
ISO7240MDW
ISO7241ADW
ISO7241CDW
ISO7241MDW
ISO7242ADW
ISO7242CDW
ISO7242MDW
(1)
信号
率
1 Mbps的
25 Mbps的
150 Mbps的
1 Mbps的
25 Mbps的
150 Mbps的
1 Mbps的
25 Mbps的
150 Mbps的
输入
门槛
1.5 V（ TTL ）
（ CMOS兼容）
1.5 V（ TTL ）
（ CMOS兼容）
的Vcc / 2（ CMOS）的
1.5 V（ TTL ）
（ CMOS兼容）
1.5 V（ TTL ）
（ CMOS兼容）
的Vcc / 2（ CMOS）的
1.5 V（ TTL ）
（ CMOS兼容）
1.5 V（ TTL ）
（ CMOS兼容）
的Vcc / 2（ CMOS）的
2/2
3/1
4/0
通道
CON组fi guration
标
AS
ISO7240A
ISO7240C
ISO7240M
ISO7241A
ISO7241C
ISO7241M
ISO7242A
ISO7242C
ISO7242M
订购
数
(1)
ISO7240ADW （铁路）
ISO7240ADWR （卷）
ISO7240CDW （铁路）
ISO7240CDWR （卷）
ISO7240MDW （铁路）
ISO7240MDWR （卷）
ISO7241ADW （铁路）
ISO7241ADWR （卷）
ISO7241CDW （铁路）
ISO7241CDWR （卷）
ISO7241MDW （铁路）
ISO7241MDWR （卷）
ISO7242ADW （铁路）
ISO7242ADWR （卷）
ISO7242CDW （铁路）
ISO7242CDWR （卷）
ISO7242MDW （铁路）
ISO7242MDWR （卷）
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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ISO7241
ISO7242
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绝对最大额定值
(1)
价值
V
CC
V
I
I
O
电源电压
(2)
, V
CC1
, V
CC2
电压IN， OUT ， EN
输出电流
人体模型
ESD
静电场诱导，带电器件
放电
模型
机器型号
T
J
(1)
(2)
最高结温
JEDEC标准22 ，测试方法A114- C.01
JEDEC标准22项，试验方法C101
ANSI/ESDS5.2-1996
所有引脚
-0.5 6
-0.5 6
±15
±4
±1
±200
170
kV
V
°C
单位
V
V
mA
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子，并且峰值电压值。
推荐工作条件
民
V
CC
I
OH
I
OL
t
ui
电源电压，V
CC1
, V
CC2
高电平输出电流
低电平输出电流
ISO724xA
输入脉冲宽度
ISO724xC
ISO724xM
ISO724xA
1/t
ui
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
T
J
H
(1)
信令速率
高电平输入电压（IN）的
低电平输入电压（ IN）
高电平输入电压（ IN） （ EN上的所有设备）
低电平输入电压（ IN） （ EN上的所有设备）
结温
符合IEC 61000-4-8和IEC 61000-4-9外部磁场强度免疫力
证明
在室温和良好的稳压电源的典型值。
ISO724xC
ISO724xM
ISO724xM
ISO724xA ， ISO724xC
–4
1
40
6.67
0
0
0
0.7 V
CC
0
2
0
30
5
1500
(1)
(1)
典型值
最大
5.5
3.45
4
单位
V
mA
mA
s
ns
4.5
3.15
1000
25
150
V
CC
0.3 V
CC
V
CC
0.8
150
1000
Kbps的
Mbps的
V
V
V
V
°C
A / M
200
(1)
4
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ISO7240 ISO7241 ISO7242
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ISO7241
ISO7242
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电气特性
V
CC1
和V
CC2
在5 V工作电压，在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
电源电流
ISO7240A/C/M
ISO7240A
ISO7240C/M
ISO7241A/C/M
I
CC1
ISO7241A
ISO7241C/M
ISO7242A/C/M
ISO7242A
ISO7242C/M
ISO7240A/C/M
ISO7240A
ISO7240C/M
ISO7241A/C/M
I
CC2
ISO7241A
ISO7241C/M
ISO7242A/C/M
ISO7242A
ISO7242C/M
电气特性
I
关闭
V
OH
V
OL
V
我（ HYS ）
I
IH
I
IL
C
I
CMTI
休眠模式下的输出电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输入电压滞后
高层次的输入电流
低电平输入电流
输入对地电容
共模瞬态抗扰度
从0 V到V
CC
在V
CC
, V
I
= 0.4罪（ 4E6πt ）
V
I
= V
CC
或0 V ，见
图4
25
–10
2
50
EN为VCC ，单通道
I
OH
= -4毫安，见
图1
I
OH
= –20
A,
SEE
图1
I
OL
= 4毫安，见
图1
I
OL
= 20
A,
SEE
图1
150
10
V
CC
– 0.8
V
CC
– 0.1
0.4
0.1
0
A
V
V
mV
A
pF
KV / μs的
静
1 Mbps的
25 Mbps的
静
1 Mbps的
25 Mbps的
静
1 Mbps的
25 Mbps的
静
1 Mbps的
25 Mbps的
静
1 Mbps的
25 Mbps的
静
1 Mbps的
25 Mbps的
V
I
= V
CC
或0V，所有信道，无负荷，
EN
1
在3 V ， EN
2
在3 V
V
I
= V
CC
或0V，所有信道，无负荷，
EN
1
在3 V ， EN
2
在3 V
V
I
= V
CC
或0V，所有信道，无负荷，
EN
2
在3 V
V
I
= V
CC
或0V，所有信道，无负荷，
EN
1
在3 V ， EN
2
在3 V
V
I
= V
CC
或0V，所有信道，无负荷，
EN
1
在3 V ， EN
2
在3 V
V
I
= V
CC
或0V，所有信道，无负荷，
EN
2
在3 V
1
1
7
6.5
6.5
12
10
10
15
15
16
17
13
13
18
10
10
15
3
3
10.5
10
10
18
16
16
24
22
22
25
20
20
28
16
16
24
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
2007 ，德州仪器
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ISO7240 ISO7241 ISO7242
5
初步SSCD202 THRU SSCD210
表面贴装肖特基整流器
反向电压 - 20至100伏特
正向电流 - 2.0安培
NTED
ented
PAT
E
PAT
0.083 (2.10)
0.067 (1.70)
0.063 (1.60)
1206
特点
0.142 (3.60)
0.126 (3.20)
0.002 (0.05)
.40)
6 (0
01
R0.
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
0.035 (0.90)
0.020 (0.50)
0.035 (0.90)
0.020 (0.50)
0.046(1.16)
0.034(0.86)
无铅产品
无引线芯片的形式，不含铅的损害
无铅焊点，无引线键合&引线框架
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
对于表面安装应用程序
低廓包
内置应变消除
金属与硅整流，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌能力
对于使用低电压高频开关电源，
逆变器，续流和极性保护应用
案例：
便携与FRP衬底和环氧树脂欠补偿
*尺寸以英寸（毫米）
TM
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值
除非另有规定ED 。
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
o
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（见图1 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
40
安培
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在2.0 A最大正向电压（注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
R
工作结温范围
存储温度范围
注： （1 ）脉冲测试宽度PW = 300usec ， 1 ％的占空比。
（ 2 ）安装在交媾板0.2× 0.2" （ 5.0 x5.0mm ）铜垫的地方。
JL
L
E
R
P
A
IN
IM
o
Y
R
终端：
纯锡电镀（无铅）
每MIL -STD- 750方法2026焊。
极性：
阴极频带，激光打标
重量：
0.012克
A
D
20
14
20
A
T
E
H
S
T
E
机械数据
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
SSCD202
SSCD204
40
28
40
SSCD206
60
42
60
SSCD210
100
70
100
单位
伏
伏
伏
安培
I
（AV）
2 .0
V
F
0.50
0.2
0.70
0.85
伏
（注1 ） @T
J
=25 C
@T
J
=100 C
R
JA
o
I
R
20
75
17
-55到+125
-55到+150
-55到+150
10
o
mA
C / W
o
o
T
J
T
英镑
C
C
第1版
ZOWIE科技股份有限公司
额定值和特性曲线SSCD202 THRU SSCD210
图1 - 正向电流降额曲线
2.0
50
峰值正向浪涌电流，
安培
电阻或
感性负载
P.C.B.安装在
0.2X0.2"(5.0X5.0mm)
铜焊盘区
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
正向平均整流
当前，安培
40
SSCD206~SSCD210
30
1.0
SSCD202~SSCD204
20
10
0
0
50
70
90
110
130
o
0
150
170
1
焊接温度，C
图3 - 典型瞬时
正向特性
10
图4 - 典型的反向特性
IINSTANTANEOUS正向电流（ A）
瞬时反向电流，
毫安
1.00
0.10
0.01
0
结电容， pF的
L
E
R
P
0
0.1
0.2
正向电压（ V）
A
IN
IM
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
400
100
Y
R
TA = 25℃
o
A
D
A
T
100
10
1.0
0.10
0.01
E
H
S
TJ = 100℃
o
循环次数在60Hz
T
E
10
100
TJ = 25℃
o
SSCD202~204
SSCD206
SSCD210
.001
0.9
0
20
40
60
80
100
百分之额定峰值反向电压， ％
0.8
图5 - 典型结电容
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVP-P
o
10
0
1.0
10
100
反向电压，伏
第1版
ZOWIE科技股份有限公司
SSCD202
THRU
SSCD210
公司Bauelemente
电压20V 100V
2.0安培表面贴装肖特基整流器
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
特点
*
*
*
*
*
*
*
*
*
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
低廓包
内置应变消除
金属与硅整流，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力
高浪涌能力
对于使用低电压高频开关电源，
逆变器，续流和极性保护应用
1206
0.142(3.60)
0.126(3.20)
.002(0.05)
)
.40
6( 0
0.083(2.10)
0.067(1.70)
0.063(1.60)
R
1
0 .0
阴极带
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
机械数据
*
案例：便携与FRP衬底和环氧树脂欠补偿
*
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，
方法2026
POLARIT Y：激光打标机
*
*
重量： 0.02克
0.046(1.16)
0.034(0.86)
*尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
除非另有规定额定值25 ℃的环境温度。单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，
减免电流20 ％ 。
类型编号
最大的经常峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（参见图1 ）
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压为2.0A （注1）
½
最大直流反向电流（注1） TA = 25℃
½
在额定阻断电压DC钽= 100℃
典型热阻（注2 ）
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
RΘJA
RJL
T
J
T
英镑
SSCD202
20
20
20
SSCD204
40
40
40
2.0
40
SSCD206
60
60
60
SSCD210
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
V
0.50
10
0.5
75
17
-50 ~ +125
-65 ~ +150
0.70
10
0.85
mA
℃
/W
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
1.脉冲测试宽度PW = 300微秒， 1 ％的占空比。
2.安装在交媾板0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜垫的地方。
℃
℃
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
05 -JAN- 2008 Rev. D的
第1页2
SSCD202
THRU
SSCD210
公司Bauelemente
电压20V 100V
2.0安培表面贴装肖特基整流器
图1 - 正向电流降额曲线
1.0
60
电阻或
感性负载
P.C.B.安装在
0.2X0.2"(5.0X5.0mm)
铜焊盘区
SSCD206~SSCD210
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
正向平均整流
当前，安培
峰值正向浪涌电流，
安培
50
40
30
20
10
0
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0.5
SSCD202~SSCD204
0
0
50
70
90
110
130
o
150
170
1
10
循环次数在60Hz
100
焊接温度，C
图3 - 典型瞬时
正向特性
10.00
100
图4 - 典型的反向特性
IINSTANTANEOUS正向电流，
安培
瞬时反向电流，
毫安
10
1.00
SSCD202~SSCD204
SSCD210
1.0
T
J
=100 C
o
0.10
SSCD206
0.10
0.01
T
J
=25 C
o
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，
伏
百分之额定峰值反向电压， ％
400
图5 - 典型结电容
T
J
= 25 C
f=1.0MHz
Vsig=50mVP-P
o
结电容， pF的
100
10
.1
1.0
10
100
反向电压，伏
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